【課題】 既存の電子カラムに使用される電子放出源と異なり、電子を安定的に放出することができるＣＮＴを用いる電子放出源と、ＣＮＴを容易に整列付着または蒸着するための方法と、これを用いる電子カラムを提供する。
【解決手段】図４は、図２のチップ先端１１にＣＮＴチップ５０が付着された電子放出源１０がチップ先端１１を基準としてソースレンズ２０と整列結合された状態を示し、このように整列された状態で、イオンビームソース１１０からイオンビームがソースレンズ２０のホールを通過してＣＮＴチップ５０に走査され、このイオンビーム（Ｉ）によってＣＮＴチップ５０が垂直に整列され、既存の電子カラムにおいて電子ビームが放出される方向の逆方向にイオンビームを走査し、この際、イオンビームは平行にチップに向かって平行ビームとして進行することもでき、あるいはフォーカシングされてチップ先端１１に向かって走査される。 （もっと読む）

物体あるいは基板上にナノ構造を含む材料を堆積させるための方法は、（１）ナノ構造を含む材料の溶液あるいは懸濁液を形成する工程と、（２）前記溶液に選択的に「チャージャ」を追加する工程と、（３）前記溶液に複数の電極を浸す工程であって、前記ナノ構造の材料が堆積することになる前記基板あるいは物体が前記複数の電極の１つとして作用する工程と、（４）前記２つの電極間に所定期間直流および/又は交流を印加することによって前記溶液中の前記ナノ構造の材料を前記基板電極に向かって移動させて付着させる工程と、（５）前記コーティングされた基板のその後のオープションの処理工程と、のうちの１つ以上の工程を含む。関連する物体とデバイスもまた提供される。ナノ構造の特性および/又は幾何学的形状に基づいてナノ構造を分離する方法もまた記載される。
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【課題】 高温のフィラメントを使用せずに、固体のカーボンターゲットを用いて表面や装置（デバイス）に垂直なカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、プラズマが優位に存在する堆積チャンバー内で炭素あるいは炭素系のターゲットを用いて試料上に配向されたカーボンナノチューブを成長する方法に関する。前記試料（１６）は前記ターゲット（１５）に接触して配置されており、前記試料及びターゲットはいずれも自由表面を有しており、前記プラズマによって前記試料の自由表面にカーボンナノチューブの成長を引き起こす。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるＳｉベースの物質層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のグレインを備え、グレイン境界に金属シリサイドが形成されたＳｉベースの物質層である。また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 （もっと読む）