説明

Fターム[5D029JA01]の内容

光学的記録担体及びその製造 (16,105) | 記録層の材料 (1,590) | 無機材料 (585)

Fターム[5D029JA01]に分類される特許

581 - 585 / 585


光学的情報記録媒体において、透明樹脂基板(1)上に、第1の誘電体層(2)、記録層(3)、第2の誘電体層(4)及び反射層(5)をこの順に積層する。記録層(3)においては、SiO等の誘電体からなる母相(6)中に微結晶粒(7)を分散させる。記録層(3)の厚さは7乃至15nmとし、微結晶粒(7)の粒径は3乃至7nmとする。微結晶粒(7)は、0.3乃至25質量%のPd及び0.3乃至25質量%のCuを含有し、残部がAg及び不可避的不純物からなるAgPdCu合金により形成する。そして、この光学的情報記録媒体に、波長が380乃至430nmの青紫色半導体レーザ光を照射して情報を記録及び再生する。 (もっと読む)


超解像近接場構造を利用して、高いCNRを実現する読み取り専用の記録媒体を提供する。
情報が記録された読み取り専用の記録媒体であって、情報が表面に記録された基板と、基板の前記表面上に、相変化物質により形成された反射層と、反射層上に形成された第1誘電体層と、第1誘電体層上に、金属酸化物またはナノパーチクルにより形成されたマスク層とを有する。
(もっと読む)


【課題】高速記録が可能な書き換え型の光記録媒体の再生耐久性、クロスイレーズ特性及び記録感度を改善する。
【解決手段】記録層14と、記録層14から見て光入射面17a側に設けられた第1誘電体層15と、記録層14から見て支持基板11側に設けられた第2誘電体層13と、第1誘電体層15から見て光入射面17a側に設けられた放熱層16と、第2誘電体層13から見て支持基板11側に設けられた反射層12とを備える。記録層14は一般式(SbTe1−x1−y(Mはアンチモン(Sb)及びテルル(Te)を除く少なくとも1つの元素)で表される材料を含み、第1誘電体層15はZnSとSiOの混合物を含み、反射層12は銀(Ag)又はこれを主成分とする合金を含み、放熱層16は窒化アルミニウム(AlN)を主成分とする材料を含む。 (もっと読む)


【課題】 従来の低速記録装置との記録非互換を確保しつつ再生互換を確保でき、かつ、不連続領域を活用して拡張規格にも容易に対応し得る光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 記録装置が記録動作時にのみアクセスする記録時専用領域が隣接して2箇所以上存在し、これらの各記録時専用領域の開始アドレスをt(n=0,1,2,…)、終了アドレスをtn+1−1とするとき、開始アドレスtからのセクタ数iに対してアドレスtがt=m×i+t(m=1,2,3,…)で表され、記録時専用領域がm=1の領域A,Aとm≠1の領域Aとからなり、記録時専用領域中にm≠1とされて物理的に存在するアドレス不連続領域Aを含むので、拡張規格に対してはこのm≠1のアドレス不連続領域Aを活用して新たな特性情報等を付加することで対応できるようにした。 (もっと読む)


【課題】相変化媒体を利用した新規な原理に基づく多値記録再生方法を提供する。
【解決手段】エネルギービームの照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化を生じる記録層を有する情報記録用媒体に対して、記録用エネルギービームを照射し、局所的に前記記録層を溶融せしめ、凝固時の冷却により非晶質マークを形成することにより、情報の記録を行う記録再生方法において、主として前記凝固時における再結晶化過程と非晶質化過程との競合により非晶質マークの大きさを制御し、再生用光ビームの照射領域からの反射光強度が、その領域内にある結晶領域と非晶質領域の光学特性の差及びそれらの面積に応じて3以上の多段階の記録レベルに制御されている。 (もっと読む)


581 - 585 / 585