【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】特別な手法を用いることなく、無機レジスト層を有する基板から金属層を円滑に剥離することが可能な光ディスク用原盤の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無機レジスト層２３と金属層３６との間に、無機レジスト層２３との密着強度が低い中間層３０を設けることで、特別な手順を要することなく、金属層３６上の凹凸パターンの形状を良好に維持しながら、金属層３６を基板２０から容易に剥離することができる。 （もっと読む）