【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び相変化メモリー用膜を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であって、ガス成分を除く純度が９９．９９５ｗｔ％以上であり、ガス成分である炭素、窒素、酸素、硫黄の総量が７００ｐｐｍ以下である相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】光メディアの記録信頼性を向上できる、スパッタリングターゲットの製造方法等を提供する。
【解決手段】石英ガラス容器及び石英ガラスボールを備えたボールミル中において石英粒子を粉砕する粉砕工程と、粉砕工程後のボールミル中にさらにＺｎＯ粒子を添加し、粉砕された石英粒子とＺｎＯ粒子とを前記ボールミル中で混合することにより混合物を得る混合工程と、混合物を焼結する工程と、を備える製造方法により得られる、ＳｉＯ_２及びＺｎＯを主成分とする干渉膜２４を有する光メディアスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ＢＤ−Ｒディスク等の製造の大幅な効率化及びコスト低減
【解決手段】情報記録層のスパッタリングの際には、同一材料（例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏ膜）の単膜形成を行うが、成膜条件を変化させた層を形成し、擬似的な複膜構造とする。例えばＯ₂流量やガス圧の値を変化させて、Ｐｄの酸化を抑えた層を形成する。これにより、耐久性を向上させた膜部分を形成し、情報記録層の全体の耐久性を向上させる。スパッタ装置は、１チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。 （もっと読む）

【課題】光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化するため、スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を提供する。
【解決手段】ZnSを主成分とし、ZrO₂とY₂O₃を含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、Y₂O₃：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット及びZnSを主成分とし、ZrO₂とMgO及び又はCaOを含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、MgO及び又はCaO：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。
【解決手段】ＺｎＳ系誘電体材料に対して、０〜５ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３を配合したＺｎＯが５〜３０ｍｏｌ％分散されたターゲット。この誘電体材料は、ＺｎＳ単体又はＺｎＳに対して５ｍｏｌ％以下のＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、若しくはＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）が配合されたものである。該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、音楽、映像等の著作物やコンテンツ等のデータが格納された状態から、一定期間経過するとデータが破壊乃至消失して当該著作物に係る権利を保護することのできる光ディスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、アルミニウム、及びアルミニウムと反応性を有する金属を少なくとも含む合金からなる反射膜を備える光ディスク、及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】記録層が変質することなく、超解像層として用いる相変化層を結晶化することができる、追記型の超解像光学的情報記録媒体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる光学的情報記録媒体は、第１の波長を有する第１のレーザ光が照射されることにより、情報が記録される記録層１３を備える。また、レーザ光の光源と記録層１３との間に形成され、第２の波長を有する第２のレーザ光が照射されることにより結晶化される相変化層１７を備える。さらに、記録層１３と相変化層１７との間には、第１のレーザ光に対する透過率が第２のレーザ光に対する透過率よりも高い、中間層１５を備える。 （もっと読む）

【課題】反射率（初期反射率）が高く、かつ記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸化Ｉｎと酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＩｎ原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が６〜６０原子％であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】反射率（初期反射率）が高く、かつ記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層を備え、耐久性にも優れた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層と、該記録層に隣接して形成される誘電体層とを備えた光情報記録媒体であって、前記記録層は、酸化Ｉｎと酸化Ｐｄを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＩｎ原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が６〜６０原子％であることを特徴とする光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供し、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善する。
【解決手段】ZnOを主成分とするホモロガス構造を有する酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。(In₂O₃)(ZnO)_m、m≧1のホモロガス構造を有し、これにTa、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】低密度記録と高密度記録の両方に対応でき、あるいはこれらと中密度記録に全て対応できるようにした、二枚のディスク基板の貼り合わせによる二層または三層式の光ディスク及びこの光ディスクの記録・再生のための光ディスク装置を提供する。
【解決手段】透明合成樹脂から成る円板状のディスク基板であって、情報に対応した凹凸形状が一面に形成され、その上に半透明性の第１の反射膜が形成されることにより第１の情報記録層が形成された第１のディスク基板と、透明合成樹脂から成る円板状のディスク基板であって、情報に対応した凹凸形状が一面に形成され、その上に第２の反射膜が形成されることにより第２の情報記録層が形成された第２のディスク基板と、第１及び第２のディスク基板を貼り合わせる透明接着層とを含んで構成する。そして、第１及び第２の反射膜が、Ｓｉ化合物により構成する。 （もっと読む）

【課題】メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。
【解決手段】カルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなる相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットであって、少なくともエロージョンの部位において、スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢとしたとき、０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５となる組織を有することを特徴とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】高温高湿環境下での耐久性に優れた光情報記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属系記録層と、金属系記録層に隣接する誘電体層とを基板の上に有する光情報記録媒体をスパッタリング法により製造する方法であって、
Ｉｎ基合金からなる記録層を用意する工程と、
誘電体層の組成に応じて下記条件で誘電体層を成膜する工程、を包含する。
（１）誘電体層がＡｌの酸化物を主成分として含むときは、スパッタ電力：３Ｗ／ｃｍ^２以下、誘電体層の厚さ：５〜７０ｎｍに制御。
（２）誘電体層がＳｉの酸化物を主成分として含むときは、スパッタ電力：３Ｗ／ｃｍ^２以下、誘電体層の厚さ：４〜８ｎｍまたは３０〜７０ｎｍに制御。
（３）誘電体層がＮｂの酸化物を主成分として含むときは、スパッタ電力：２Ｗ／ｃｍ^２以上、誘電体層の厚さ：１０〜１５ｎｍに制御。
（４）誘電体層がＺｎの硫化物を主成分とし、Ｓｉの酸化物を更に含むときは、スパッタ電力：３Ｗ／ｃｍ^２以下、誘電体層の厚さ：２〜１５ｎｍに制御。 （もっと読む）

【課題】容易に、転写元となるパターンの線幅よりも線幅が狭いパターンを形成できる微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】
第一の基板３上には、１以上の凹状パターンが形成されている。この凹状パターン上に、誘電体膜４を形成する。その後、第一の光硬化性樹脂２を塗布する。第一の光硬化性樹脂２上に第二の基板５を貼り合わせ、光照射により、第一の光硬化性樹脂２を硬化させる。硬化後、第一の基板３と第二の基板５とを、誘電体膜４と第一の光硬化性樹脂２との境界で分離する。第二の基板５上の第一の光硬化性樹脂２に、第一の基板３上の凹状パターンよりも線幅が狭い凸状パターンが転写される。 （もっと読む）

【課題】低熱伝導率、低溶融温度、高耐食性を有して、レーザーマーキングに対応可能な光情報記録用Al合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) 光情報記録媒体用Al合金反射膜であって、Alを主成分とし、希土類元素の少なくとも１種を1.0 〜10.0原子％含有し、更にCr，Ta，Ti，Mo，Ｖ，Ｗ，Zr，Hf，Nb，Niの少なくとも１種を0.5 〜５.0原子％含有することを特徴とする光情報記録用Al合金反射膜、(2) 前記Al合金反射膜においてFe，Coの少なくとも１種を1.0 〜5.0 原子％含有するものや、In，Zn，Ge，Cu，Liの少なくとも１種を1.0 〜10.0原子％含有するもの、(3) 前記Al合金反射膜を有していることを特徴とする光情報記録媒体、(4) 前記Al合金反射膜と同様の組成を有するAl合金よりなるスパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】表面の粗度が低く滑らかな光ディスク用スタンパを容易に且つ安定して提供する。
【解決手段】遷移金属の酸化物と、この遷移金属の酸化物よりも融点の低い添加金属元素を含む無機材料からなるレジストを用いる。 （もっと読む）

本発明による光学記憶媒体は、超解像近接場構造としてマスク層（２）を使用し、前記マスク層は、ドープされた半導体物質を備える。半導体物質は、レーザービームを照射されたとき、特に半導体物質の反射率が増加するようｎドープされる。半導体物質として有利に、インジウム合金およびドーピング物質としてセレンまたはテルルを使用することができる。それぞれの光学記憶媒体の製造のために、マスク層として前記ドープされた半導体物質を堆積するスパッタリング法を、使用することができる。スパッタリング法において、ドーパントは半導体のスパッタリングターゲットにすでに含まれる。
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【課題】基板成形後からスパッタ開始までの時間を管理し、基板に吸着したガスや水分の影響を極力小さくすることにより、記録感度のばらつきを制御し、品質を安定化させることが可能な光情報記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）基板成形直後からスパッタ開始までの時間（スパッタ開始時間）を管理し、スパッタ開始時間が予め設定した一定時間内に収まる基板のみをスパッタする光情報記録媒体の製造方法。
（２）基板１枚毎にスパッタ開始時間を管理する（１）記載の光情報記録媒体の製造方法。
（３）スパッタ開始時間を６０秒以内とする（１）又は（２）記載の光情報記録媒体の製造方法。 （もっと読む）