【課題】温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する。
【解決手段】金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、ＣｒＳｉＯ又はＮｉＣｒＳｉＯからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Ｃｒ膜との多層構造を有する。金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性が良い。 （もっと読む）

【課題】各種のセンサに用いられる、歪抵抗薄膜に関して、高ＧＦおよび低ＴＣＲで、かつ、ブリッジ回路内の複数の素子のＴＣＲバラツキを低減することを目的とする。
【解決手段】表面に酸化膜を有したＳｉ等の基板２上に、クロムと酸素を主体とした歪抵抗薄膜４、電極６、保護膜８を積層して歪抵抗素子１０を形成しており、この歪抵抗薄膜４は、クロム領域１２とクロム酸化物領域１４とを設け、クロム領域１２とクロム酸化物領域１４とを交互に複数配置して形成した構成である。 （もっと読む）

【課題】厚膜抵抗体のトリミングの精度を向上させること。
【解決手段】配線基板は、絶縁基体１、配線導体２および厚膜抵抗体３を有している。配線基板は、絶縁膜４、めっき金属膜およびダミー抵抗体８をさらに有している。厚膜抵抗体３は、配線導体２に電気的に接続されており、絶縁基体１に設けられている。絶縁膜４は、厚膜抵抗体３を部分的に被覆している。めっき金属膜は、厚膜抵抗体３の絶縁膜４によって被覆されていない部分を覆っている。ダミー抵抗体８は、厚膜抵抗体３とは電気的に独立しており、厚膜抵抗体３に近接して配置されており、絶縁基体１に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本明細書は、酸化物層で覆われたシリコン基板上に形成される集積受動デバイス（ＩＰＤ）を説明する。
【解決手段】シリコン表面にトラップ用中心を作ることによって、シリコン／酸化物界面における好ましくない蓄積電荷が不動にされる。トラップ用中心は、シリコン基板と酸化物層との間に挿入される多結晶シリコン層によって製造される。 （もっと読む）

本発明は、電気エネルギーを熱に変換する少なくとも１つの加熱導体（４、４′）及び加熱導体（４、４′）の耐熱性の担体（５、５′）を含んで構成され、空気流（Ｌ）中に配置して少なくとも１つの空気流路（１４、１４′、１４″）を備えた加熱抵抗（３、３′）を配置した熱風装置の加熱素子（１）であって、加熱素子（１）は完全にセラミック製であり、担体（５、５′）は絶縁性セラミック製で加熱導体（４、４′）は導電性セラミック製であり、担体（５、５′）及び加熱導体（４、４′）のセラミックは互いに強固に結合していることを特徴とする。
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【課題】 チップ型にした絶縁基板２と，この絶縁基板の両端に形成した半田付け用の端子電極３，４と，前記絶縁基板の表面のうち前記両端子電極間の部分に並列に形成した複数個の抵抗膜５と，前記絶縁基板の表面に前記各抵抗膜を覆うように形成したカバーコート６とから成るチップ抵抗器において，その各抵抗膜５を略等しい抵抗値にする。
【解決手段】 前記両端子電極３，４を，前記絶縁基板の表面に前記各抵抗膜ごとに独立して接続するように形成した個別上面電極８，１０と，前記絶縁基板における左右両側面２ａ，２ｂに前記各個別上面電極に接続するように形成した側面電極９，１１とで構成する。 （もっと読む）

水密壁および流体運搬システムへの接続のための開放端を有する管状アルミニウムまたは他の金属の支持体、管状金属支持体上に配置された予め決められた大きさの抵抗体を含む自動車付属品を制御するための電気回路に使用するための管状抵抗体アセンブリ。抵抗体を含む制御回路は一つ以上の自動車付属品の操作を制御する。アセンブリは管状支持体の中を流れる流体を意図的に加熱するために使用されてもよく、流体は抵抗体から過剰の熱を運び去るために使用されてもよく、両方に使用されてもよい。多数の抵抗素子はヘッドライト、ファンアセンブリなどのかかる付属品の制御の多数のレベルのために含められてもよい。 （もっと読む）