【課題】保護膜を設けることによる素子の初期特性の劣化を招くことなく、耐湿性を改善して、信頼性の高い薄膜バリスタを提供する。
【解決手段】絶縁性の基体１と、基体上に形成されたＺｎＯバリスタ層２と、その表面に、所定の電極間ギャップ１３を介して対向するように配設された表面プレーナ型電極３ａ，３ｂと、ＺｎＯバリスタ層の表面の少なくとも電極間ギャップ１３に露出した領域を覆うように配設された、高抵抗ＺｎＯ薄膜からなるバッファ層４と、バッファ層を覆うように配設された保護膜５とを備えた構成とする。
保護膜として、シリコン酸化物薄膜、シリコン窒化物薄膜およびシリコン窒化酸化物薄膜からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
バリスタ特性を有するＺｎＯ薄膜の表面の結晶粒の平均的な直径を５０ｎｍ以上とする。
バッファ層である高抵抗ＺｎＯ薄膜を、酸素を含む雰囲気中でスパッタ成膜して形成する。 （もっと読む）

【課題】静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成され、５ｋＶ以上の保護電圧を得ることが可能な複合電子部品を提供する。
【解決手段】複合電子部品１００は、第１及び第２の磁性基体１１ａ、１１ｂと、それらの間に挟まれた機能層１２とを備え、機能層１２はコモンモードフィルタ層１２ａと静電気対策素子層１２ｂによって構成されている。静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。コモンモードフィルタ層１２ａは、絶縁層１６ｂ上に形成された第１のスパイラル導体１７と、絶縁層１６ｃ上に形成された第２のスパイラル導体１８とを備え、コモンモードフィルタの直流抵抗は０．５Ω以上５Ω以下であり、静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。さらに第１及び第２のスパイラル導体１７，１８の幅Ｗ及び長さＬは、√（Ｌ／Ｗ）＜（７．６６５１−ｆｃ）／０．１３８５で表される関係式を満たしている。 （もっと読む）

【課題】エラー時に、迅速に作動する機構が設けられた過電圧アレスタを提供する。
【解決手段】中間電極と少なくとも１つの外側電極とを備えた過電圧アレスタにおいて、導電性の弾性湾曲部３が中間電極１に取り付けられていて、弾性力Ｆが外側電極２に加えられており、前記弾性湾曲部と前記外側電極との間に電気構成素子４が設けられており、前記弾性湾曲部は、導電コンタクト要素５を有し、２つの側を備えるスペーサ部材７が設けられており、該スペーサ部材は、一方の側で前記電気構成素子と接続されており、他方の側で前記導電コンタクト要素の孔９に突入し、当該孔に溶融可能材料６を用いて固定されており、前記導電コンタクト要素は、前記溶融可能材料が溶融しない際に前記外側電極２に対して間隔を有し、前記溶融可能材料が溶融した際に、前記外側電極に接触接続される。 （もっと読む）

【課題】素体の表面を保護しつつ、端子電極の形成部位以外の部位へのめっき金属の析出を抑制可能な積層チップバリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る積層チップバリスタ１は、半導体を主組成とした素体２と、素体２上に形成された端子電極８と、少なくとも端子電極８の形成部位以外の素体２の表層に形成された、アルカリ金属を含有する高抵抗層５と、高抵抗層５上に形成されたガラス層６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】インパルス耐量特性に優れ、且つ特性のバラツキを低減することができる酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化アンチモンと、酸化コバルトまたは酸化マンガンと、酸化クロムと、ホウ酸と、二酸化ケイ素と、酸化アルミニウムと、を含むバリスタ原料を準備し、バリスタ原料に分散剤を加えてスラリーを作成し、スラリーを用いてグリーンシートを作成し、グリーンシートを積層してグリーンチップを作成し、グリーンチップを、所定温度まで加熱して焼成する酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法であって、焼成は、400℃/hr以上の昇温速度で、所定温度まで昇温させる。分散剤として、α−オレフィンと無水マレイン酸の共重合体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】小型化及び低電圧駆動に対応でき、特性のばらつきが少なく、安価に提供でき、しかもＥＳＤ耐性及び高温負荷時の信頼性を効果的に高め得る積層バリスタを提供する。
【解決手段】半導体セラミック材料からなるセラミック層２間の所定の界面に沿って複数の内部電極３ａ，３ｂが配置されているセラミック素体４と、セラミック素体４の両端面に引き出された所定の内部電極と電気的に接続される外部電極とを備える積層バリスタ１であって、セラミック層２はＺｎＯを主成分とし、副成分として、Ｐｒを全体の０．１〜５．０原子％、Ｃｏを１．０〜５．０原子％、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの内少なくとも１種を総量で０．００２〜０．２原子％、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａの内少なくとも１種を総量で０．００５〜０．５原子％、Ｚｒを０．０１〜０．２原子％含み、かつ、内部電極３ａ，３ｂがＡｇ及びＰｄを含むことを特徴とする、積層バリスタ１。 （もっと読む）

この発明は、改善された電圧可変材料（「ＶＶＭ」）を提供する。より詳細には、この発明は、改善されたプリント回路基板と、回路保護を有する改善された素子と、回路保護を有する改善されたデータ通信ケーブルと、この発明のＶＶＭ基板を使用する素子を大量生産する方法と、を提供する。ＶＶＭ基板は、既知の電圧可変材料と結び付けられた導電粒子、及び可能なら半導電性粒子及び／又は絶縁粒子を、基地のプリント回路基板と結び付けられたワニス又はエポキシ樹脂に注入することによって中間のドーターボード又はキャリヤボードに対する必要を省く。 （もっと読む）