Fターム［5E034CC00］の内容
サーミスタ、バリスタ (5,260) | バリスタの抵抗材料、組成 (360)
Fターム［5E034CC00］の下位に属するFターム
Fターム［5E034CC00］に分類される特許
1 - 1 / 1
急激な金属−絶縁体遷移素子を用いた低電圧ノイズ防止回路
定格信号電圧未満の電圧を有するノイズ信号を効果的に除去できる急激な金属−絶縁体遷移（ＭＩＴ）素子を用いた低電圧ノイズ防止回路を提供する。急激なＭＩＴ素子はノイズ信号から保護されようとする電気電子システムに直列に接続され、所定電圧での急激なＭＩＴに従う。従って、低電圧ノイズが効果的に除去できる。 
（もっと読む）
1 - 1 / 1
[ Back to top ]