【課題】白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下の挿入損失を可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】R_3-xBi_xFe_5-wA_wO₁₂（但し、前記Rは一種又は二種以上の希土類元素でGdを必ず含み、前記AはGa,Al,In等からなる一種又は二種以上の元素であり、前記xは0.7<x≦1.5、前記wは0<w≦1.5）で表される組成を有するBi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を含有し、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを


と表したときにΔを-0.34atppm以上2.87atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】温度特性が優れ、かつ角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＹｂ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２、または化学式Ｔｂ_ｙＨｏ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、金るつぼを使った液相エピタキシャル法にて育成することで、温度特性０．０７５ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】 特にカットコアに好適な特性を有する高飽和磁束密度で低磁歪のFe基ナノ結晶軟磁性合金と前記Fe基ナノ結晶軟磁性合金を製造する際に用いられるアモルファス合金薄帯および前記Fe基ナノ結晶軟磁性合金の製造方法並びにこれを用いた高性能磁性部品を提供する。
【解決手段】 一般式：Ｆｅ_{１00−ｘ-z-z}AxMaSiyBz（原子％）で表され、式中、AはCu, Auから選ばれる少なくとも１種の元素、MはTi, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, Wから選ばれた少なくとも１種の元素を示し、ｘ、ｙ、ａおよびｚはそれぞれ0≦ｘ≦2、13≦ｙ≦18、0≦a≦1.5、４≦ｚ≦10、x＋ｙ＋ａ＋ｚ≦25を満足する組成であり、平均粒径120nm以下のbcc Fe-Si結晶粒とアモルファス相からなり、bcc Fe-Si結晶粒が体積分率で組織の50％以上を占めており、飽和磁束密度Bsが１．４Ｔ以上、飽和磁歪定数λsが-3.5×10^-6以上+3.5×10^-6以下の範囲にある高Ｂｓ低磁歪のFe基ナノ結晶軟磁性合金である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により育成され、化学式 Ｂｉ_ｘＮａ_ｙＰｂ_ｚＭ１_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｆｅ_５−ｗＭ２_ｗＯ_１２（式中のＭ１はＹ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜ｘ≦２．０、０＜ｙ≦０．８、０≦ｚ＜０．０１、０．１９≦３−ｘ−ｙ−ｚ＜２．５、０≦ｗ≦１．６）で示される磁性ガーネット単結晶である。 （もっと読む）