【課題】 誘電体薄膜として誘電率が高い強誘電体を用いても、電圧依存性を抑制した薄膜キャパシタを得ることができる手段を提案する。
【解決手段】 下部電極と上部電極との間に誘電体薄膜が形成された薄膜キャパシタにおいて、厚さｄ１の前記誘電体薄膜と前記上部電極との間に、互いに間隔ｐ１で並んでいる複数の貫通孔を有する絶縁体薄膜が形成されており、前記貫通孔には前記上部電極を構成する金属が充填されており、前記上部電極と前記誘電体薄膜は前記貫通孔中の金属を通じて接しており、前記誘電体薄膜の厚さｄ１と前記貫通孔の間隔ｐ１の関係が２．５≦ｐ１／ｄ１≦７．５で表される薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタの下部電極に凹凸を形成する工程において、真空装置の加熱工程を必要としないようにする。
【解決手段】基材101上に、密着層102a、窒化チタン膜102bからなる下部電極102を形成する〔(b)図〕。下部電極102上に酸化物薄膜形成剤103aを塗布する〔(c)図〕。塗布された酸化物薄膜形成剤103aを焼成して酸化物薄膜103を形成する〔(d)図〕。このとき、下部電極102の表面に凹凸が形成される。酸化物薄膜103上に上部電極106を形成する〔(e)図〕。 （もっと読む）

【課題】機械的強度を向上させた積層電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極層３と誘電体層２とが交互に積層された電子部品であって、前記誘電体層２は針状粒子８を有し、前記針状粒子８は対向する前記内部電極層３にブリッジをかけるように配置され、前記針状粒子８が、前記対向する前記内部電極層３の少なくとも一方の内部電極層３に食い込んでいることを特徴とする積層電子部品。 （もっと読む）

【課題】高い静電容量を維持しつつ、静電容量の均一性を向上させることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサ１は、基板の上全面に、トレンチパターンが形成されるトレンチ形成用層１００を兼ねる下部電極、それを被覆するように設けられた誘電体膜１６、及び上部電極１７が順次積層されたものである。このトレンチパターンは、第１パターンＰ１と第２パターンＰ２とが別体に併設された構成を有しており、第１パターンＰ１は、複数の凸部１０１が所定間隔で立設されたものであり、第２パターンＰ２は、複数の凹部１０２が所定間隔で設けられたものであり、各凸部１０１の外壁、及び、各凹部１０２の内壁によりトレンチが画成されている。 （もっと読む）

【課題】内部電極の表面性に起因する絶縁破壊電圧の低下、電極間短絡の発生、及び、取得容量の低下を回避し得る構造を持つ積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の内部電極２１に隣接する上下２層の第１及び第２の誘電体層１０１、１０２のうち、第１の誘電体層１０１と第１の内部電極２１との間の第１の接触面Ｓ１は、第１の誘電体層１０１の表面性を反映した実質的に平坦な表面性を持つ。第２の誘電体層１０２と第１の内部電極２１との間の第２の接触面Ｓ２は、第１の内部電極２１の凹凸の表面性を反映した表面性を持つ。そして、第１の接触面Ｓ１を基準にして、第１の誘電体層１０１の厚みをｔ１とし、第２の誘電体層１０２の厚みをｔ２としたとき、 １．０１５＊ｔ１≦ｔ２≦１．１７＊ｔ１を満たす。 （もっと読む）

【課題】 クラックの発生が有効に防止され、ショート不良率および耐電圧不良率が低く、しかも、高い静電容量を有する積層型セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】 複数のセラミックス粒子から構成されている誘電体層と、内部電極層と、を有する積層型セラミック電子部品であって、前記誘電体層には、前記誘電体層を構成する他のセラミック粒子と結合しており、前記内部電極層を貫通しないように前記内部電極層に突き出たセラミック粒子が、含まれていることを特徴とする積層型セラミック電子部品。 （もっと読む）

本発明は、広義には、電力特性を強化した電荷保存デバイス（ＥＣＳＤ）に関するものである。より詳しくは、本発明は、コンデンサ、バッテリー、燃料電池およびその他の電荷保存デバイスのような種々の素子ないしはデバイスの電流密度、電圧定格、電力伝達特性、周波数応答および電荷保存密度を改善する技術に関する。例えば、本発明は、一態様として、滑らかな構造により導体の表面積を大きくすることによって導体間の距離を小さくし、かつ原子レベル、分子レベル、および巨視的レベルの作製技術を用いることにより実効誘電特性を改善したソリッドステートコンデンサおよび電解コンデンサを提供する。
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【課題】誘電体セラミックに対する密着性に優れた埋め込み用コンデンサ素子を提供することにある。
【解決手段】本発明の埋め込み用コンデンサ素子１０は、誘電体セラミック層２１と、誘電体セラミック層２１の表面上に形成されたアンカー層５５，５６と、アンカー層５５，５６の表面１１７，１１８上に形成された金属電極１１，３１とを備える。従って、アンカー層５５，５６と金属電極１１，３１との間に物理的結合力が得られる結果、金属電極１１，３１と誘電体セラミックとの密着性が改善される。 （もっと読む）