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Fターム[5E343AA19]の内容

Fターム[5E343AA19]に分類される特許

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【課題】 大面積デバイスに対してナノオーダーの超微細配線を形成することができ、かつ簡易な製造工程で製造コストを低減する。
【解決手段】 「フォトレジスト形成工程」では、基板11上にフォトレジスト41を形成する。「干渉露光工程」では、フォトレジスト41に対して窒素レーザによる干渉露光を行って干渉縞を露光する。「現像工程」では、露光したフォトレジスト41を現像して、そのフォトレジスト41に干渉縞に基づく凹凸(ライン部42及びスペース部43)を形成する。「撥水加工工程」では、フォトレジスト41をCFxプラズマ中に曝して、その表面を撥水性に改質する。「配線形成工程」では、フォトレジスト41のスペース部43に導電性ペースト44を流し込んで焼結する。これらの工程により、基板11に超微細配線13を形成する。 (もっと読む)


【課題】 描画性と密着性とを両立させ、描画装置として描画機能付ディスペンサやインクジェット装置等を使用し、回路基板を作製するといった産業用途に適した描画形成方法を提供する。
【解決手段】 導電成分を含む溶液を滴下することによって基板上に配線パターンを描画形成する方法において、基板に酸素元素を表面に含み、その表面の25℃における臨界表面張力が25dyn/cmより小さい基板を用い、溶液にその表面張力が上記臨界表面張力より大きい溶液を用いる。 (もっと読む)


【課題】コア基板表面にビルドアップ法により形成された多層配線層を具備する多層配線基板の表面平坦性を向上させることを目的とする。
【解決手段】有機樹脂を含有する絶縁基板2の表面に配線回路層3が被着形成されたコア基板1の表面に、有機樹脂を含有する絶縁層11と配線回路層13とを順次積層して多層配線層15を形成してなる多層配線基板において、前記コア基板1の表面の配線回路層3の表面粗さ(Ra)を100nm〜1μmとし、且つ該配線回路層3を前記絶縁基板2の表面から0.1〜10μmくぼんで形成することで表面平坦性に優れた多層配線基板を提供できる。 (もっと読む)


【課題】 金属膜の付着強度のばらつきが小さいプリント配線基板と、このプリント配線基板に用いられるフッ素樹脂基板と、そのフッ素樹脂基板の製造方法を実現する。
【解決手段】 工程(3)では、フッ素樹脂基板2の表面の脱フッ素処理を行う。脱フッ素処理は、フッ素樹脂基板2を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に10〜30秒、望ましくは15〜25秒浸漬することにより行う。フッ素樹脂基板2を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に浸漬することにより、基板表面のフッ素元素を取り除き、ヒドロキシ基を導入することで、親水性を高めることができる。ここで、脱フッ素処理に溶液を用いるため、表面を均一に処理することができる。また、脱フッ素処理はフッ素樹脂基板2を溶液に浸漬するだけで行うことができるので、作業が容易である。 (もっと読む)


【課題】 フッ素系ポリマーの多孔質樹脂基材であって、穿孔が形成され、全体の多孔質構造が保持され、かつ穿孔の内壁面が多孔質構造化されている多孔質樹脂基材の製造方法を提供する。該穿孔の内壁面を選択的に導電化した多孔質樹脂基材の製造方法を提供する。
【解決手段】 フッ素系ポリマーを含有する樹脂材料から形成された多孔質樹脂基材に、厚み方向に貫通する少なくとも一つの穿孔を形成する工程1;穿孔の内壁面に、アルカリ金属を含有するエッチング液を接触させてエッチング処理する工程2;エッチング処理により生じた変質化層に、酸化力を有する化合物またはその溶液を接触させて、該変質化層を除去する工程3;を含む穿孔された多孔質樹脂基材の製造方法。該穿孔の内壁面を導電化する多孔質樹脂基材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 絶縁層と導体パターンとの間の密着性の向上を図ることができ、しかも、金属薄層における層間剥離を防止することのできる、配線回路形成用基板、それが用いられる配線回路基板、その金属薄層を形成するための金属薄層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 ベース絶縁層1の表面に、第1金属35が飛散する第1金属飛散領域37と、第2金属36が飛散する第2金属飛散領域38とが重複するように、第1金属35および第2金属36をスパッタリングすることにより、金属薄層2を形成する。金属薄層2は、これによって、第1金属35が偏在し、ベース絶縁層1に隣接する第1金属偏在部分4と、第2金属36が偏在し、導体パターン6に隣接する第2金属偏在部分5と、それら第1金属偏在部分4と第2金属偏在部分5との間に介在され、第1金属35および第2金属36が共存する金属共存部分3とが、境界なく連続して存在するように形成される。 (もっと読む)


【課題】誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセスを提供することに関するさらに、本発明は、回路パターン素子からの金属損失を防ぐことに関する。
【解決手段】
(a)第1主面を有しパターン形成されていない金属層を提供すること;
(b)該第1主面に微細粗面化を施し、微細粗面化された表面を形成すること;および、
(e)該金属層をエッチングし、該金属層に回路パターンを形成することを含み、
該微細粗面化がエッチングの前に行われ、該微細粗面化された表面が、粗面計の測定で約0.3〜約0.6ミクロンの表面粗さrを有する、誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセス。 (もっと読む)


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