【課題】カーボンによるバンドギャップ・エンジニアリングを可能とし、カーボン原子に基づく多彩なエレクトロニクスを達成して、信頼性の高い電子装置を実現する。
【解決手段】電子装置は、単層のグラフェン膜１と、グラフェン膜１上の両端に設けられた一対の電極２，３とを有しており、グラフェン膜１では、電極２，３間の領域において、中央部位のＢＣ間が複数のアンチドット１０が形成されてなる第１の領域１ａとされており、第１の領域１ａの両側におけるＡＢ間及びＣＤ間がアンチドットの形成されていない第２の領域１ｂとされている。 （もっと読む）

【課題】これまでのＭＯＳＦＥＴと同等の集積性を維持しながら、ＭＯＳＦＥＴに比べて優れたスイッチング特性をもつ、すなわち、室温においてＳ値が６０ｍＶ／桁より小さな値をもつ半導体素子を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴと、トンネル接合を有するトンネルバイポーラトランジスタを組み合わせることにより、低電圧であっても、ゲート電位変化に対してドレイン電流が急峻な変化（Ｓ値が６０ｍＶ／桁よりも小さい）を示す半導体素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓを含む半導体膜１０と、半導体膜１０上に設けられた酸化ガリウム膜２０と、酸化ガリウム膜２０上に設けられた導電性膜３０と、を具備し、酸化ガリウム膜２０は、半導体膜１０および導電性膜３０の一方から他方にトンネル電流が流れるトンネル絶縁膜であるトンネル素子およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 縦型の薄膜電流注入型トランジスタにおいて、通常の空気雰囲気で高い電流増倍率と高い電流密度を安定して制御できるトランジスタ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、第１電極と第２電極の間に第１半導体層、第３電極、第２半導体層を配し、前記第３電極から注入される電流によって前記第１電極から前記第２電極に流れる電流を制御するトランジスタ素子であって、前記第３電極が金属微粒子を構成要素として含む。また、前記第１半導体層が酸化亜鉛、前記第２半導体層が、酸化インジウム、酸化錫、酸化カドミミウムの少なくともいずれか１つを主成分とし、前記第１電極から前記第２電極に流れる電流が主として電子によるものである。 （もっと読む）

【目的】ペロブスカイト構造の酸化物層をキャリア走行領域とするペロブスカイト構造の酸化物層を有する酸化物素子の製造方法及び誘電体ベーストランジスタの製造方法に関し、酸化物層の表層の導電率を調整する工程を含むペロブスカイト構造の酸化物層を有する酸化物素子の製造方法及び誘電体ベーストランジスタの製造方法を提供すること。
【構成】電子用ドープ元素がドープされたペロブスカイト構造の第一の酸化物層１７と正孔ドープ用元素がドープされたペロブスカイト構造の第二の酸化物層１８を重ねて形成する工程と、熱処理によって前記電子ドープ用元素と前記正孔ドープ用元素を相互拡散させて第一の酸化物層１７と前記第二の酸化物層１８の少なくとも界面近傍の層のキャリアを変化させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】様々な選択された光出力を得るための好ましい信号処理が可能で、光波混合変調レーザトランジスタ及びその技術を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその技術を作り出すことである。
【解決手段】光出力を作り出す方法は、以下の工程、つまり第１及び第２の電気信号を提供する；コレクタ領域、ベース領域、及びエミッタ領域を含むバイポーラ発光トランジスタ素子を提供する；コレクタ領域に結合されるコレクタ電極及びエミッタ領域に結合されるエミッタ電極を提供し、及び電位をコレクタ電極及びエミッタ電極に対して結合する；ベース領域との光通信における光結合器を提供する；ベース領域に結合される第１及び第２のベース電極を提供する；及び第１及び第２の電気信号をそれぞれ第１及び第２の電極に結合して、ベース領域から放出され及び光結合器に結合される光出力を作り出すという工程を含み、その光出力は、第１及び第２の電気信号の関数である。また、改良されたｐｎｐトランジスタレーザと出力レーザパルスを作り出す誘導放出モードと自然放出モード間を交互に切り替える技術も開示されている。 （もっと読む）