【課題】カーボンによるバンドギャップ・エンジニアリングを可能とし、カーボン原子に基づく多彩なエレクトロニクスを達成して、信頼性の高い電子装置を実現する。
【解決手段】電子装置は、単層のグラフェン膜１と、グラフェン膜１上の両端に設けられた一対の電極２，３とを有しており、グラフェン膜１では、電極２，３間の領域において、中央部位のＢＣ間が複数のアンチドット１０が形成されてなる第１の領域１ａとされており、第１の領域１ａの両側におけるＡＢ間及びＣＤ間がアンチドットの形成されていない第２の領域１ｂとされている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓＳｂ系の化合物半導体のベース層を有するＩｎＰ系ＨＢＴにおいて、高周波特性を犠牲にすることなく、さらにオフ耐圧を向上させる。
【解決手段】ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。第２コレクタ層１０３は、第１コレクタ層１０２およびベース層１０４に接した状態で、ベース層１０４の伝導帯端のエネルギー準位よりも低く、第１コレクタ層１０２の伝導帯端よりも高い伝導帯端のエネルギー準位を有し、ベース層１０４の価電子帯端のエネルギー準位よりも低い価電子帯端のエネルギー準位を有したものとなっている。 （もっと読む）

【課題】セルフアライメントにより容易に電極を形成することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングストッパ層２の上方に、Ｓｂを含み、所定の溶液に対するエッチング耐性がエッチングストッパ層２よりも低いＳｂ含有層３ｂを形成し、Ｓｂ含有化合物半導体層３ｂ上に、Ａｓを含み、前記所定の溶液に対するエッチング耐性がエッチングストッパ層２よりも低いＡｓ含有層３ｃを形成する。そして、前記所定の溶液を用いて、導電膜４をエッチングマスクとし、Ｓｂ含有層３ｂ及びＡｓ含有層３ｃをメサ状にウェットエッチングし、平面視でＳｂ含有層３ｂ及びＡｓ含有層３ｃから離間した位置において化合物半導体層１の上方に導電膜５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＰをエミッタ層として有し、熱的安定性と通電に対する信頼性を両立することの出来るＨＢＴを用いた電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＩｎＧａＰエミッタ層を有するＨＢＴにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層５とＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７の間にＧａＡｓ層６を挿入し、ベース層４から逆注入された正孔がＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７まで拡散、到達することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】高い電流増幅率を有し、高周波特性および素子寿命に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製法を提供すること。
【解決手段】半絶縁性基板１上に、ｎ型半導体より成る真性エミッタ層１６と、ｐ型ドーパントを高濃度でドーピングされ、真性エミッタ層１６よりも狭いバンドギャップを有する半導体より成るベース層９と、ベース層９と同じ半導体より成るコレクタ層１０とを、この順序で積層して成るへテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、真性エミッタ層１６の周囲に、高抵抗領域１５が設けられ、高抵抗領域１５と真性エミッタ層１６との間に、真性エミッタ層１６の半導体と同じ半導体から成るガードリング領域１７が設けられ、真性エミッタ層１６とベース層９との接合面が、ガードリング領域１７の上面よりも下に位置することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】同一基板に形成されるＨＢＴとＦＥＴとの相互影響を低減する。
【解決手段】第１半導体と、第１半導体の上方に形成された第２半導体とを備え、第２半導体は、Ｐ型の伝導型を示す不純物またはＮ型の伝導型を示す第１不純物原子と、第２半導体が第１不純物原子を有する場合のフェルミ準位を、第２半導体が第１不純物原子を有しない場合のフェルミ準位に近づける第２不純物原子とを有する半導体基板を提供する。一例として、当該第２半導体の多数キャリアは電子であり、第２不純物原子は、第１不純物原子を有する第２半導体のフェルミ準位を下降させる。第２半導体は３−５族化合物半導体であり、第２不純物原子が、ベリリウム、ボロン、炭素、マグネシウム、および亜鉛からなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体下層と半導体上層が積層された半導体積層体において、半導体下層の表面に損傷を与えることなく、半導体下層の一部を露出させる技術を提供する
【解決手段】 半導体下層１８の表面の一部に、半導体上層１５とは格子定数の異なる格子不整合層３０を形成する工程と、格子不整合層３０の表面と格子不整合層３０で被覆されていない半導体下層１８の表面に、半導体上層１５を結晶成長させる工程と、格子不整合層３０上の半導体上層１５に形成された転位４０を介してウェットエッチング液を導入し、格子不整合層３０とその格子不整合層３０上の半導体上層１５を除去して半導体下層１８の一部を露出させる工程を備える。ドライエッチングにより半導体下層１８に損傷を与えることなく、半導体下層１８の一部を露出させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板に擬似格子整合もしくは格子整合させたデバイス層を形成し、そのデバイス層よりＩｎＰ基板を剥離して、ＩｎＰ基板の再利用を可能とする。
【解決手段】インジウムリン（ＩｎＰ）基板１１上に擬似格子整合もしくは格子整合する犠牲層１２を形成する工程と、前記犠牲層１２上にデバイス層１３を形成する工程と、前記犠牲層１２を除去することで前記ＩｎＰ基板１１と前記デバイス層１３とを分離する工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なコンタクト特性を有するベース電極を再現性良く実現できるヘテロ接合バイポーラトランジスタとその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、半絶縁性ＩｎＰ基板１上に、Ｎ⁻型ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＰコレクタ層３、Ｐ^＋型ＩｎＧａＡｓベース層４およびＮ型ＩｎＰエミッタ層５が順次積層されている。更に、Ｎ型ＩｎＰエミッタ層５はＩｎＰレッジ層構造７を備え、ベース電極１０は、内部ベース電極１２と外部ベース電極１３から構成されており、内部ベース電極１２は、コレクタメサ領域の外周部を自己整合的に規定しつつ、ＩｎＰレッジ層構造７と接触し、外部ベース電極１３の一部が、内部ベース電極１２上に形成され、かつ、外部ベース電極１３の残りの部分が、コレクタメサ領域外に形成された埋め込み層１４上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】半絶縁性ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓバッファー層２、ＩｎＰサブコレクタ層３、ＩｎＧａＡｓコレクタコンタクト層４、ＩｎＰ層５、ＩｎＧａＡｓコレクタ層６、ＩｎＧａＡｓベース層７、薄膜ＩｎＰ層８を順次積層し、薄膜ＩｎＰ層８上にシリコン窒化膜９を堆積し、それの開口部内においてＩｎＰエミッタ層１０、ＩｎＰ層１１、ＩｎＧａＡｓエミッタコンタクト層１２を順次エピタキシャル再成長させ、エミッタコンタクト層１２表面全体を含むようにエミッタ電極メタル１３を形成し、シリコン窒化膜９を開口部周辺の一部を残して除去し、露出した薄膜ＩｎＰ層８を除去し、ベース層７を露出させる工程を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板１０１の裏面から半導体基板１０１の表面にある金属配線１０８ｂまで至るよう形成されたビアホール１１６を有する半導体基板１０１と半導体基板１０１の表面にありビアホール１１６によって半導体基板１０１の表面に開口部を有する位置にある金属配線１０８ｂとの密着性を向上させた半導体装置１００の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された金属層と、前記金属層の下に前記半導体基板と前記金属層が合金化反応して形成された合金化反応層と、前記半導体基板の裏面側から前記金属層または前記合金化反応層に至るよう形成されたビアホールとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベースコレクタ耐圧と電流増幅率を確保し、ベース抵抗を低減したヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】基板表面上に、エミッタコンタクト領域、第１の半導体材料からなるエミッタ領域、前記第１の半導体材料よりも禁制帯幅の小さな第２の半導体からなるベース領域、前記第１の半導体材料からなるコレクタ領域、コレクタコンタクト領域が前記基板表面に平行な方向に順次形成され、前記エミッタ領域、前記ベース領域、前記コレクタ領域と、前記基板表面との間に、前記第１の半導体材料よりも禁制幅の大きな第３の半導体材料からなるバッファ層を有するとともに、エミッタ電極、ベース電極、及びコレクタ電極がそれぞれ前記エミッタコンタクト領域、前記ベース領域、及び前記コレクタ領域に接して形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ＨＢＴの動作の信頼性向上と動作の高速性向上とを同時に実現する。
【解決手段】 半絶縁性基板１１上にコレクタコンタクト層１２、コレクタ層１３、ベース層１４、エミッタ層１５，１６、エミッタコンタクト層１７、エミッタ電極１８，１９が形成され、ベース層上、コレクタコンタクト層上にベース電極２１、コレクタ電極２５を取付けたＨＢＴにおいて、エミッタ層を、ベース層側の第１のエミッタ層１５とエミッタコンタクト層側の第２のエミッタ層１６とで形成し、第１のエミッタ層の延設部２３に空乏化されたリッジを形成する。さらに、第２のエミッタ層、エミッタコンタクト層及びエミッタ電極は、エミッタ電極に対するアンダーカット３１を有したエミッタメサ２２を形成し、ベース電極をエミッタメサに対してセルフアライン形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴセル内での発熱均一性を保ち、かつ、高周波帯域の利得特性を向上させたバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 ベースメサフィンガー（エミッタレッジ層１５、ベース層１６及びコレクタ層１７）を２本のコレクタフィンガー（コレクタ電極１３）で挟み、ベースメサフィンガー上に１本のベースフィンガー（ベース電極１２）及びその両側の２本のエミッタフィンガー（エミッタ層１４及びエミッタ電極１１）を形成した構造である。２本のエミッタフィンガーは、ベースフィンガーを基準に対称の位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴセル内での発熱均一性を保ち、かつ、高周波帯域の利得特性を向上させたバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 ベースメサフィンガー（エミッタレッジ層１５、ベース層１６及びコレクタ層１７）を２本のコレクタフィンガー（コレクタ電極１３）で挟み、ベースメサフィンガー上に１本のベースフィンガー（ベース電極１２）及びその両側の２本のエミッタフィンガー（エミッタ層１４及びエミッタ電極１１）を形成した構造である。２本のエミッタフィンガーは、ベースフィンガーを基準に対称の位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】 ベース／コレクタ接合容量およびベース層の引き出し抵抗を減少させることのできる電極構造を有する半導体素子を含む半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、エミッタキャップ層６の構成材料層を形成し、これらをメサ構造に加工してヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）素子２０を形成する。ＨＢＴ素子２０では、ベース電極８をセンターに配置し、この幅方向両側にエミッタメサおよびエミッタ電極９を各２本形成する。ベース電極８の上には厚さが厚く、低抵抗なベース引き出し配線１８を直接形成する。この際、ベース層４およびコレクタ層３の一部をその積層方向に同一パターンに除去し、この除去領域２１を含む領域上にベース電極８およびベース引き出し配線１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ベース・コレクタ間容量及びベースコンタクト抵抗を共に減少させて、高周波特性等の特性の向上を図ることができる、ヘテロ接合型半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともコレクタ層３とベース層４とエミッタ層５とからなる積層体を有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタ２４ａであって、エミッタキャップ層６、エミッタ層５及びコレクタ層３がアンダーカット形状をなし、各アンダーカット部に有機絶縁膜９Ａ、９Ｂが充填されていると共に、エミッタ電極７に対して自己整合的に形成されたベース層４の側面から上面の一部にかけてベース電極１２が全方向蒸着後のリフトオフによって形成されている、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ２４ａ。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性が改善された、メタモルフィックバッファ層を有するヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、メタモルフィックバッファ層２を形成し、その上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６を順次積層し、コレクタ電極７をメタモルフィックバッファ層２の上部層２ｃに接して設ける。メタモルフィックバッファ層２には、結晶成長中における不純物ドープ法によって、従来のサブコレクタ層と同等またはそれ以上の不純物を導入し、メタモルフィックバッファ層２がコレクタ電流をコレクタ電極７へ導く役割を果たすことができるようにする。熱抵抗の大きい三元混晶などで形成されることの多いサブコレクタ層を省略できるので、半導体装置内で発生した熱を速やかに基板１へ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤにより窒素よも水素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第一窒化ガリウム系半導体膜を成長し、その後３族原料ガスの供給を一旦停止し、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第二窒化ガリウム系半導体を成長することにより、前記第一窒化ガリウム系半導体膜においては、マグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布は実質的に平坦であり、かつマグネシウム濃度が水素原子濃度より高く、前記第二窒化ガリウム系半導体膜においては、表面に向かってマグネシウム濃度及び水素原子濃度が増大する第１の領域が設けられ、前記第１の領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高い構造とする。 （もっと読む）

【課題】 エミッタサイズを縮小でき、且つ製造コストを低減することができるＨＢＴを実現する。
【解決手段】 高濃度ｎ型の第１サブコレクタ層１０２上に、バンドギャップの小さい材料からなる高濃度ｎ型の第２サブコレクタ層１０８と、ｉ型又は低濃度ｎ型のコレクタ層１０３と、高濃度ｐ型のベース層１０４と、バンドギャップの大きい材料からなるｎ型のエミッタ層１０５と、高濃度ｎ型のエミッタキャップ層１０６と、バンドギャップの小さい材料からなる高濃度ｎ型のエミッタコンタクト層１０７とが順次形成されている。エミッタコンタクト層１０７からは、エミッタ電極を兼ねる配線１１５Ａが引き出され、エミッタ層１０５からは、ベース電極を兼ねる配線１１５Ｂが引き出され、第２サブコレクタ層１０８からは、コレクタ電極を兼ねる配線１１５Ｃが引き出されている。 （もっと読む）