【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）

【課題】金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 （もっと読む）

改良された耐プラズマ性を有する充填ポリマー組成物が開示される。組成物はポリマーマトリックス中に分散された粒子フィラーを含む。粒子フィラーは、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＹＦ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ又はＳｉ_３Ｎ_４、及び希土類酸化物であることが可能である。一実施形態では、組成物は、静電チャック用接着剤、シャワーヘッド用接着剤、ライナー用接着剤、シール材、Ｏリング、又はプラスチック部品として利用される。
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【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。エッチングガスにはＢｒ_２ガスとＣｌ系の高分子ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】粒子が重なり合うことなく単層配列で存在し、被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理用マスク及びその製造方法、表面処理方法並びに当該表面処理方法により処理された基板を持つ光学デバイスを提供すること。また、粒子が重なり合うことなく単層配列して存在した粒子含有フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】フィルムマスクを被処理物表面に配置した後、エッチング処理を施して、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチングする表面処理方法に利用される、表面処理用マスクとしてのフィルムマスクを、基材上に結着剤及びゲル化剤を含む第１塗布層と粒子を含む第２塗布層とをこの順で略同時に塗布形成し、前記第１塗布層をゲル化させた後、前記第１塗布層及び前記第２塗布層を乾燥させて、前記フィルムマスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】粒子が重なり合うことなく単層配列で存在し、被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理用マスク及びその製造方法、表面処理方法並びに当該表面処理方法により処理された基板を持つ光学デバイスを提供すること。また、粒子が重なり合うことなく単層配列して存在した粒子含有フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】粒子及び粒子よりも体積量が小さい結着剤とを含み且つ粒子が露出した粒子層と結着剤を含み且つ露出した粒子を覆う結着剤層と、を含んで構成されるフィルムマスクを被処理物表面に配置した後、エッチング処理を施して、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチングする表面処理方法。また、当該表面処理方法に用いるフィルムマスクを有する表面処理用マスク及び製造方法並びに表面処理方法により得られる基板を持つ光デバイス。 （もっと読む）

【課題】被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理方法、及びそれに用いる表面処理用マスクを提供すること。また、当該表面処理方法により処理された基板を有する光学デバイスを提供すること。
【解決手段】被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理方法であって、第１粒子と第１粒子よりもエッチング耐性が低い第２粒子とを有する粒子群を含んで構成される表面処理用マスクを、被処理物表面に配置する工程と、表面処理用マスクが配置された被処理物の表面に対し、エッチング処理を施し、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチング工程と、を有することを特徴とする表面処理方法である。また、当該表面処理方法に用いる表面処理用マスク、及び当該表面処理方法により得られる基板を有する光デバイスである。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、高アスペクト比構造のプラズマエッチングを可能にする方法及び装置を提供する。一実施形態では、エッチングするための方法が提供され、その方法は、シリコン層上に配置されるパターニングされたマスクを有する基板をエッチングリアクタ内に提供するステップと、リアクタに混合ガスを供給するステップと、混合ガスから形成されたプラズマを維持するステップを含み、リアクタに供給されるバイアス電力及びＲＦ電力はパルス化され、方法はプラズマの存在の中でシリコン層をエッチングするステップを更に含む。
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本開示は銅処理のためのデバイス、方法およびシステムを含み、具体的には、硫黄プラズマを用いた銅層処理を含む。１つ以上の実施形態は、銅を硫黄を含むプラズマガスと反応させて銅硫黄化合物を形成し、水で銅硫黄化合物の少なくとも一部を除去する方法を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体をエッチングにより加工して高アスペクト比の微細構造を高精度に形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムおよびリンを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０上にエッチングマスク１１ｐを形成する工程と、エッチングマスク１１ｐの形成後、プラズマエッチング装置のチャンバ内に配置された被加工物１０の上に、ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分からなる混合ガスを導入しこの混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物１０に入射させて被加工物１０を選択的にエッチングする工程とを含む。ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分の総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比が７０％以上である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体とマスクとの間の選択比を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比は、６０％以上８５％以下である。 （もっと読む）

【課題】パッド領域上での堆積物の生成を抑制することのできる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】パッド領域を有する配線層群を形成するステップと、前記配線層群が被覆されるように、絶縁性のカバー層を形成するステップと、前記パッド領域が露出するように、前記カバー層をプラズマエッチングにより除去するステップとを具備し、前記パッド領域は、アルミニウムにより形成され、前記プラズマエッチングにより除去するステップは、炭素ラジカル及びフッ素ラジカルを発生させるＣＦ系ガスを用いて、前記パッド領域を露出させるステップと、前記露出させるステップの後に、塩素ラジカル又は塩素イオンを発生させるＣｌ_２系ガスを用いて、前記パッド領域の表面に生成した堆積物を除去するステップとを備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、処理チャンバ内で良好なＲＦ均一性を提供する装置を提供する。一実施形態において、装置は、基板サポートアセンブリと、ターミナルと、誘電絶縁体を含む。基板サポートアセンブリは、中心通路を中心軸に沿って形成する。ＲＦ伝送路が提供される。ＲＦ伝送路は、実質的垂直部分と実質的水平部分を有し、ターミナルはＲＦ伝送路の実質的水平部分に結合される。誘電絶縁体は、ＲＦ伝送路の実質的水平部分を取り囲む。誘電絶縁体は、ターミナルが通り抜ける第1開口を有する。
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本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
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【課題】 歩留まりを高めることが可能なＧａＮ系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明によるＧａＮ系半導体素子の製造方法は、ＧａＮ系半導体層（２〜４）の積層体９を、所定深さまでドライエッチングによりエッチングするＧａＮ系半導体素子１０の製造方法であって、エッチング装置内の到達真空度を２×１０^−３Ｐａ以下にした後、反応ガスを供給することにより所定圧力まで高めた状態で、ドライエッチングにより積層体９をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内雰囲気の濃度を瞬時に変更可能として、液晶デバイスや半導体デバイスの生産に必要なプラズマ反応処理プロセスを高い生産性で低コストに実現できること。
【解決手段】各成分ガスの温度分布式流量調整器に対して与えられる新たな流量設定値は、濃度変更の前後で総流量値が同一となることを条件として、想定される変更後のプロセスガス濃度から逆算することにより求められた値とされ、かつ排出管路の圧力制御器は、変更開始から所定の微少時間に限り、圧力設定モードから弁開度設定モードに切り替えられると共に、変更直後の圧力変動を緩和すべく経験的に求められた弁開度設定値が与えられる。 （もっと読む）

基板からポリマーを除去するため方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板からポリマーを除去するのに用いられる装置は、プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに置かれた基板支持アセンブリと、チャンバの壁内に形成された出力ポートを介してプロセスチャンバに結合するリモートプラズマソースとを含み、出力ポートは基板支持アセンブリに置かれた基板の周辺領域に向けた開口を有し、前記リモートプラズマソースは水素種に耐性のある材料から作られている。
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