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Fターム[5F004DA15]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 処理に用いるガス (14,486) | CH2F2 (321)

Fターム[5F004DA15]に分類される特許

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【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素(C)とフッ素(F)と水素(H)とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 (もっと読む)


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