【課題】個々のメモリセルの電荷蓄積量が多い不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に、それぞれ複数の絶縁膜１２及び電極膜１３を交互に積層して積層体１４を形成する。次に、積層体１４を積層方向に貫通する貫通孔１５を形成する。このとき、貫通孔１５における電極膜１３内に位置する部分の側面１５ａを、貫通孔１５の中心軸１５ｃを含む断面において、貫通孔１５の内側から見て凹状に湾曲させる。その後、貫通孔１５の側面上に電荷蓄積層２６を形成し、貫通孔１５の内部に半導体ピラー１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０２にコンタクトプラグ１０４を形成する。第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。金属膜を形成後、エッチング停止膜までシリカ研磨剤とセリア研磨剤を混合したスラリーを用いて平坦化を行い、金属配線１１４ａを形成する。エッチング停止膜を除去し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮し、かつ下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無くエッチングする。
【解決手段】フッ素系反応成分と、Ｈ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、シリコン含有膜９３をエッチングする。処理ガス中のＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、シリコン含有膜のエッチングすべき部分の大半をエッチングする第１エッチング工程では上記含有率を高くし、残りのシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング工程では上記含有率を低くする。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるレジスト残りを防止することでコスト低減を実現した、パターン形成方法、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成し、金属膜３上にレジストマスク４を形成し、レジストマスク４を用いて金属膜３をドライエッチングして金属マスク４を形成する。この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 トンネル絶縁膜及び絶縁物質で形成される電荷貯蔵膜を含む積層膜が形成された半導体基板が提供される段階と、前記電荷貯蔵膜上の前記積層膜をパターニングして前記電荷貯蔵膜の一部が露出される段階と、露出された前記電荷貯蔵膜をエッチングガスを用いて１次エッチングする段階及び前記エッチングガスに含まれたフローリン（fluorine；フッ素）比率を前記１次エッチングよりも減少させた条件で前記電荷貯蔵膜を２次エッチングする段階を含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】疎密に配置された複数のパターンを正確に形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１４上に第１絶縁膜１５を形成し、第１絶縁膜１５上に疎密に配置された第１開口パターン３１ａ〜３１ｄを有する第１マスク材３１を形成し、第１マスク材３１を用いて第１絶縁膜１５をエッチングして第１開口パターン３１ａ〜３１ｄを転写する工程と、第１マスク材３１を除去し、第１開口パターン１５ａ〜１５ｄの上面を塞いで第１絶縁膜１５上に、第１絶縁膜１５と異なる材質の第２絶縁膜３２を形成する工程と、第２絶縁膜３２上に、第１開口パターン１５ａ〜１５ｄと対向する第２開口パターン３６ａ〜３６ｄを有する第２マスク材３６を形成し、第２マスク材３６を用いて第２絶縁膜３２をエッチングし、第２マスク材３６を用いて第１絶縁膜１５を予め定められた深さまでエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のトレンチを形成でき、且つ、トレンチ壁面全面にわたってダメージ層を除去できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】異方性ドライエッチングにより、シリコンを含む半導体基板にアスペクト比が１０以上のトレンチを形成するトレンチ形成工程と、異方性ドライエッチングによって半導体基板に生じたダメージ層を、等方性ドライエッチングにより除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、除去工程において、少なくとも炭素及びフッ素を含む第１ガスと、酸素からなる第２ガスとの少なくとも２種類のガスを用い、半導体基板の温度を２０℃以上９０℃未満の範囲内の温度にして、等方性ドライエッチングを実施する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

基板からポリマーを除去するため方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板からポリマーを除去するのに用いられる装置は、プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに置かれた基板支持アセンブリと、チャンバの壁内に形成された出力ポートを介してプロセスチャンバに結合するリモートプラズマソースとを含み、出力ポートは基板支持アセンブリに置かれた基板の周辺領域に向けた開口を有し、前記リモートプラズマソースは水素種に耐性のある材料から作られている。
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【課題】シリコン酸化膜に、プラズマエッチングすることにより、微細径、高アスペクト比のコンタクトホールを、略垂直でネッキングやボーイングの少ない良好な形状で形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜を、マスクを介して、処理ガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素およびパーフルオロカーボンガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】炭素系ハードマスクの形成において、垂直形状に優れたパターンを形成することができる炭素系ハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素を含むことを特徴とするハードマスク形成方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングしたＳＯＧ膜１０４をマスクとして、下層レジスト１０３をプラズマエッチングし、開口１１２を形成する。このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】基板上の膜にプラズマエッチングにより平行なライン状のパターンを形成するエッチング方法において、前記パターンの微細化を図ること。
【解決手段】基板上のラインと溝とからなるパターンが形成されたレジストマスクに対して、薄膜の成膜、当該薄膜の異方性エッチングによるラインの両側壁への堆積物の形成、ラインの除去及び堆積物をマスクとした堆積物の下方膜のエッチングからなるダブルパターン形成工程を行って当該下方膜にラインと溝とからなるパターンを形成し、次いで堆積物を除去して更に上記ダブルパターン形成工程を行う。この時、当初のラインの幅と溝の開口幅との比を３：５に設定し、また溝に対応する薄膜の開口幅と、ラインの側壁を覆うように成膜された傾斜部分の幅と、の比がダブルパターン形成工程の１回目においては３：１、２回目においては１：１となるように薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】画素特性が良好で、製造が容易な構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも絶縁膜上に形成された金属膜をエッチングして金属配線を得る工程と、前記金属配線をマスクとして前記絶縁膜の１部をエッチングする工程とを含み、前記絶縁膜の１部のエッチングが、高周波電力の供給下及び真空下での塩素ガスと塩素化合物ガスとを含む処理用ガスに由来するプラズマによるエッチングであり、前記塩素ガスと塩素化合物ガスとが、２〜５倍の塩素化合物ガスの流量に対する塩素ガスの流量の比率で用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートのプロファイルを制御でき、処理容器等がエッチングされることに起因するパーティクルの発生を抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】クリーニングガスをプラズマ化して得たプラズマにより処理容器内２に付着した付着物を除去するクリーニング工程（ａ）と、炭素とフッ素とを含む成膜ガスをプラズマ化して得たプラズマにより、前記処理容器内部における前記プラズマに晒される部位にＣＦ膜を成膜する成膜工程（ｂ）と、次いで前記処理容器内の載置台にウエハＷを載置し、エッチングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記ウエハＷに対してエッチングするエッチング工程（ｃ）と、このエッチング工程（ｃ）の後に前記処理容器からウエハＷを搬出する工程（ｄ）と、を実施するにあたり、前記（ｄ）が終了した後、前記（ａ）〜（ｄ）を行なう。 （もっと読む）

【課題】ベント中にシャワープレート裏面側の異物粒子汚染を防止できる、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】制御手段を備えたプラズマ処理装置において、ガス供給手段は、シャワープレートを経由して処理室内へベントガスを供給する第一のガス供給経路と、シャワープレートを経由せずに処理室内へベントガスを供給する第二のガス供給経路とを具備しており、制御手段は、前記処理室内の圧力に対して前記シャワープレート裏面の圧力が陽圧でかつ該シャワープレートの耐圧未満の圧力となるように、前記第一のガス供給経路及び前記第二のガス供給経路の少なくとも一方のベントガスの流量を調整する機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上の膜にプラズマエッチングにより平行なライン状のパターンを形成するエッチング方法において、露光解像度以上に微細化したパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上の酸化膜２１上に、窒化膜２２、酸化膜２３、窒化膜の３層からなるマスク層を形成する。幅と間隔の等しく形成した窒化膜のマスクパターンの側壁にアモルファスシリコン層を堆積し、異方性エッチングにより側壁膜を形成する。これをマスクとして酸化膜２３をエッチングする。この上にアモルファスシリコン３８を堆積し、異方性エッチングにより側壁膜を形成する。これをマスクとして窒化膜２２をエッチングし、窒化膜２２からなる微細なマスクとする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりや信頼性を損なうことなく微細なコンタクトホールを形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に第１の窒化膜２４、第１の酸化膜２６、第２の窒化膜２８を順次形成する工程と、第２の窒化膜上にフォトレジスト膜３４を形成する工程と、フォトレジスト膜に開口部３６を形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクとして、第２の窒化膜２８をエッチングし、開口部を第１の酸化膜まで到達させる第１のエッチング工程と、第２の窒化膜をマスクとして、第１の酸化膜をエッチングし、開口部を第１の窒化膜まで到達させる第２のエッチング工程と、開口部の底部の径ｄ_２を広げるとともに、第１の窒化膜を途中までエッチングする第３のエッチング工程と、第１の窒化膜を更にエッチングし、半導体基板に達するコンタクトホール３８を形成する第４のエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】定常状態のガス流を用いてシリコン層にフィーチャー（特徴部）をエッチングする方法を提供する。酸素含有ガス及びフッ素含有ガスを含むエッチングガスを用い、エッチングガスからプラズマを発生させた後、エッチングガス流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。
【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも１つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。第１の速度は第２の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。 （もっと読む）