【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。また、このカーボンポリマによる保護膜１０７により、金属材料１０４をエッチングする際に飛散した金属物質はポリシリコン膜１０５に直接付着することなく、アッシング工程によりカーボンポリマの保護壁１０７とともに簡単に取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】シリコンの表面を、凹凸がナノオーダーになる程度に粗化する方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ_４とＡｒとＨ_２Ｏを含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍下のプラズマ空間１３に導入して、ＨＦを含むフッ素系反応ガスを生成する。このフッ素系反応ガスと、Ｏ_３を含む酸化性反応ガスと、プラズマ空間１３を経ないＮ_２等の希釈用不活性ガスとを混合して処理ガスを得、この処理ガスをシリコン基板９からなる被処理物に接触させる。フッ素系反応ガスと希釈用不活性ガスの流量比を、（フッ素系反応ガス）：（希釈用不活性ガス）＝２：３〜２：１２とし、好ましくは２：５〜２：８にする。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて、疎部および密部を有するパターンを表面に形成した試料をエッチングするドライエッチング方法において、パターンの疎部のエッチング速度に比べてパターンの密部のエッチング速度が速いＣＦ系ガスと窒素ガスを含むエッチングガスを用いた第１のエッチングステップと、パターンの密部のエッチング速度に比べてパターンの疎部のエッチング速度が速い第２のエッチングステップとを用いる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ雰囲気の周囲に存在する銅による影響を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に絶縁膜１８〜２１を形成する工程と、絶縁膜１８〜２１上にレジスト膜２４を形成する工程と、レジスト膜２４の上方にマスク膜２５を形成する工程と、マスク膜２５の上方にレジストパターン２７を形成する工程と、レジストパターン２７をマスクにしてマスク膜２５をエッチングする工程と、酸素ガスとハイドロフロロカーボンガスの混合ガスを導入し、３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力の雰囲気内で、マスク膜２５から露出する領域のレジスト膜２４をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

いくつかの実施形態は開口のパターンを形成する方法を含む。方法は、互いから間隔を置いた構成要素を基板上に形成することを含み得る。構成要素は頂面と、頂面から下方にのびる側面を持ち得る。第一の材料が構成要素の頂面と側面に沿って形成され得る。第一の材料は第一の材料の等角な層を、構成要素に渡って回転形成することにより、または基板の構成要素に沿った選択的な堆積により、形成され得る。第一の材料が形成された後で、第一の材料の領域を露出させた状態で残しつつ、充填材料が構成要素の間に提供され得る。第一の材料の露出された領域は、開口のパターンを作り出すために、充填材料および構成要素の両方からその後選択的に除去され得る。
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【課題】微細化したホール又はラインのパターンを、従来よりも容易に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜（２）上に第１のカーボン膜（３）と第１のＡＲＬ（４）を順次堆積し、第１のＡＲＬをパターニングする工程、第２のカーボン膜（６）と第２のＡＲＬ（７）を順次堆積し、第２のＡＲＬをパターニングする工程と、第２のＡＲＬをマスクとして第２のカーボン膜を除去する工程と、露出した第１のＡＲＬとをマスクとして、第１のカーボン膜を除去する工程と、残存している第１及び第２のカーボン膜をマスクとして被加工膜のエッチングを行う工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上とホール内に形成したカーボンナノチューブを絶縁膜に損傷を与えることなく絶縁膜上から除去すること。
【解決手段】配線１５ａ上方に絶縁膜１７、１８を形成し、絶縁膜１７、１８をパターニングして配線１５ａに達するホール１７ａを形成し、ホール１７ａ内と絶縁膜１７、１８上面にカーボンナノチューブ２２を形成し、カーボンナノチューブ２２の層の上に第２絶縁膜２３を形成し、第２絶縁膜２３をエッチングすることによりカーボンナノチューブ２２を露出するとともに、カーボンナノチューブ２２の層の凹部に第２絶縁膜２３を残し、カーボンナノチューブ２２をエッチングしてカーボンナノチューブ２２の上端の位置を揃え、さらにカーボンナノチューブ２２上の第２絶縁膜２３をエッチングし、カーボンナノチューブ２２をエッチングして絶縁膜１７上面から除去するとともにホール１７ａ内に残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 フィン型ＦＥＴデバイス及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、基板を準備しそして基板上に半導体含有層を形成することにより形成される。次いで、複数個の開口を有するマスクが、半導体含有層上に形成され、ここでマスクの複数個の開口のうち互いに隣接する開口は、最小構造寸法だけ離されている。その後、半導体含有層の第１部分にドーパントを導入するために、角度付けしたイオン注入が行われ、ここでドーパントがほぼ存在しない残りの部分がマスクの下側に存在する。サブリソグラフィック寸法のパターンを形成するために、半導体含有層のうちドーパントを含む第１部分がこの半導体層のうちドーパントをほぼ含まない残りの部分に対して選択的に除去され、そしてサブリソグラフィック寸法のフィン構造を生じるために、パターンが基板に転写される。 （もっと読む）

【課題】水晶基板をドライエッチングにより微細加工して水晶デバイスを製造する
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａ，１３ｂを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１を静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給して水晶基板９をドライエッチングする。表面９ａのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の一部が残る深さまでエッチングする。表面９ａのドライエッチング後に、ウエットエッチングにより粘着剤層を除去して支持基板１１から水晶基板９を剥離する。裏面９ｂのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の残りの一部が除去される深さまでエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を伝送する伝送線路上に発生するプラズマからの高調波による定在波を低減し、プロセスの再現性および信頼性を確保する。
【解決手段】処理ガス供給装置を備えた処理容器３７と、該処理容器内に配置され、処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナ３８と、前記処理容器内に配置された基板電極１を備え、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施す処理装置において、ケーブル９ａ，９ｂ，９ｃの長さを切り換えるケーブル長切換手段１５ａ，１５ｂと、基板電極側からの反射波を検出する反射波検出手段１３と、前記ケーブル長切換手段を制御する切換制御手段１４を備え、プロセス処理に先立って前記ケーブル長をプロセス条件毎に予め設定した長さに切換えて前記反射波の高調波レベルを抑制する。 （もっと読む）

【課題】高硬度で脆い基板に対する微細加工を実現できる現実に実用化可能な基板のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１をドライエッチング装置６の基板載置面４１ａに静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給した状態で、プラズマを発生させた水晶基板９をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより処理チャンバー内をドライクリーニングする第２のプラズマ処理工程と、を含み、クリーニングガスが、フッ素化合物、フッ素化合物と希ガスの混合ガス、及び酸素から成る群から選択された１つのガスのみから成るガスであり、第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程、及びその工程を容易に適用しうる構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子であって、基板上で第１方向に延長される第１ライン部分と該第１ライン部分の一端から前記第１方向とは異なる第２方向に延長される第２ライン部分とを含む複数の導電ラインと、前記複数の導電ラインの各々の前記第２ライン部分の一端と一体に接続されている複数のコンタクトパッドと、前記複数のコンタクトパッドのうち、選択された一部のコンタクトパッドから前記第２方向に沿って前記第２ライン部分と平行に延長される第１ダミー部分を各々有する複数のダミー導電ラインとを有する。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 （もっと読む）