説明

Fターム[5F004DB08]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 被エッチング物 (6,778) | 金属 (711)

Fターム[5F004DB08]の下位に属するFターム

Al (158)
 (107)

Fターム[5F004DB08]に分類される特許

441 - 446 / 446


【課題】適応型プラズマ源を有するプラズマ室の設置方法、プラズマエッチング法及び適応型プラズマ源を製造する方法を提供する。
【解決手段】先ず、第1のプラズマ源コイル200aと、第1のプラズマ源コイルよりも中心部でのエッチング速度が速い第2のプラズマ源コイル200bと、第1のプラズマ源コイルよりも周縁部でのエッチング速度が速い第3のプラズマ源コイル200cとを備える複数個のプラズマソースコイルを用意する。その後、第1のプラズマ源コイルをプラズマ室300aに取り付け、テストウエハ308に対するエッチング工程を行う。次に、テストウエハに対する位置別のエッチング速度を分析し、その結果に応じて、第1のプラズマ源コイルを第2プラズマ源コイルまたは第3のプラズマ源コイルに交換する。 (もっと読む)


構造部の断面をミル処理する際の、局部的な形状変化を制御する改良された方法であって、測定精度を向上させるため、記録ヘッドの断面での局部的な形状変化を抑制する際に使用される方法である。局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。

(もっと読む)


本発明はドナー基板からレシーバ基板に材料のパターンを積層によって転写する方法である。転写された材料のパターンは、積層の際にドナーとレシーバとの間に挿入されたマスクの開口によって画定される。この技法は可撓性ポリマーレシーバ基板に適合しており、可撓性表示装置用の薄膜トランジスタを作製するのに有用である。

(もっと読む)


【課題】レイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】レイヤ上にフォトレジストレイヤが形成される。フォトレジストレイヤがパターン付けされることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャが形成され、フォトレジストフィーチャは第1微小寸法を有する。フォトレジストフィーチャの側壁上にコンフォーマルレイヤが堆積されることによって、フォトレジストフィーチャの前記微小寸法が低減される。レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第1微小寸法より小さい第2微小寸法を有する。 (もっと読む)


【課題】強誘電体膜をエッチングする際に生じる反応副生成物を形成される素子に悪影響を与えることなく除去する。
【解決手段】強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 (もっと読む)


【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット33が設けられた面23を有する環状導波路13を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路13の中心C1に対してスロット3の中心C2、C5が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


441 - 446 / 446