【課題】ゲート電極の接触抵抗の値を制御できるサイリスタを提供することを目的としている。
【解決手段】第１導電型半導体基板１４の一方の表面近傍に第１の第２導電型半導体領域１６が形成され、第１の第２導電型半導体領域の表面近傍にカソード電極２０と接合する第１導電型半導体領域１７およびゲート電極２１と接合する第２の第２導電型半導体領域１８が形成され、第１導電型半導体基板の他方の表面近傍にアノード電極２２と接合する第３の第２導電型半導体基板１３が形成されたサイリスタにおいて、ゲート電極と第２の第２導電型半導体領域とが接合してオーミック接触を形成し、ゲート電極と第１の第２導電型半導体領域とが接合して非オーミック接触を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い周波数のスイッチング動作に対応でき、且つ、電力損失を低減できる逆阻止型サイリスタを提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ領域（１ａ、１ｂ）とＮ領域（２ａ、２ｂ）とＰ領域３とＮ領域４とが順に接合された逆阻止型サイリスタ１００は、Ｐ領域（１ａ、１ｂ）からＮ領域４に順方向電圧が印加された場合にＰ領域（１ａ、１ｂ）とＮ領域４の間を導通させる前の最大電圧値を示すブレークオーバ電圧が、Ｎ領域４からＰ領域（１ａ、１ｂ）に逆方向電圧が印加された場合にＮ領域４とＰ領域（１ａ、１ｂ）の間の導通を阻止する限界の電圧値を示すブレークダウン電圧より低くなるように電圧差を生じさせる電圧差生成領域３０を有する。 （もっと読む）

【課題】信号電圧が電源電圧を正負両方向に越えるようなチップ端子に対し適切に動作するＥＳＤ保護回路を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護回路は、端子に一端のＰ側が接続されグラウンドに他端のＮ側が接続されるＰＮＰＮ接合と、グラウンドにＰ側が接続されるＰＮ接合のＮ側にソース及びゲートが接続され、前記の端子にドレインが接続されるＰＭＯＳトランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】３次元的に形成したトランジスタやサイリスタのリーク電流を低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０の主面に対してほぼ垂直に形成されたシリコンピラー１２と、シリコンピラー１２の下部及び上部にそれぞれ設けられた第１及び第２の不純物拡散層１４，１６と、シリコンピラー１２を水平方向に貫いて設けられたゲート電極１８と、ゲート電極１８とシリコンピラー１２との間に設けられたゲート絶縁膜２０と、シリコンピラー１２に隣接して設けられたバックゲート電極４８と、バックゲート電極４８とシリコンピラー１２との間に設けられたバックゲート絶縁膜４６とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力が小さく、かつ臨界電圧上昇率を向上させたサイリスタを得る。
【解決手段】このトライアック１０を制御する電極は、主電極となるＴ１電極（第１の主電極）１１、Ｔ２電極（第２の主電極）１２と、ゲート電極１３である。トライアック１０を構成する半導体層２０は、図に示すように、Ｐ１層（第１の半導体層：ｐ型層：ベース）２１、Ｎ１層（ｎ型層：ベース）２２、Ｐ２層（ｐ型層：ベース）２３、Ｎ２層（第３の半導体層：ｎ型層：エミッタ）２４、Ｎ３層（ｎ型層：エミッタ）２５、Ｎ４層（第２の半導体層：ｎ型層）２６で構成される。このトライアック１０においては、シリコンのダイオード３１、３２が、ゲート電極１３からＴ１電極１１に向かう方向が順方向となるべく、Ｔ１電極１１とゲート電極１３との間に直列に設置される。 （もっと読む）

【課題】双方向サイリスタの感度の向上と誤動作の防止との両方を良好に達成することが困難であった。
【解決手段】双方向サイリスタを構成するために、半導体基板１に第1、第２、第３及び第４のＮ型半導体領域Ｎ1、Ｎ2、Ｎ3、Ｎ4と第１及び第２のＰ形半導体領域Ｐ1、Ｐ2とを設ける。半導体基板１の一方の表面２に第１の主電極Ｔ1とゲ−ト電極Ｇとを配置する。半導体基板１の他方の主面３に第２の主電極Ｔ2を設ける。第４のＮ形半導体領域Ｎ４に浅く拡散された第１の部分Ｎ4ａと深く拡散された第２の部分Ｎ4ｂとを設ける。第２の部分Ｎ4ｂを第１及び第２の主サイリスタの中心から遠い位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度、とくにオン状態からオフ状態への高速でのスイッチングが可能なサイリスタ構成の半導体装置、さらにはこのような半導体装置の駆動方法および製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型領域ｐ１、ｎ型領域ｎ１、ｐ型領域ｐ２、およびｎ型領域ｎ２がこの順に接して設けられた半導体層１０１と、両端部に配置されたｐ型領域ｐ１に接続されたアノード電極Ａと、ｎ型領域ｎ１に接続されたカソード電極Ｋ電極と、中央に配置されたｐ型領域ｐ２に接続されたゲート電極Ｇ１，Ｇ２とを備えた半導体装置１において、ゲート電極は、ｐ型領域ｐ２を構成する半導体層１０１部分を挟んで対向配置されている。 （もっと読む）