【課題】センサ素子間のクロストークを防止したイメージセンサ半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イメージセンサ半導体装置を提供する。第1の型の導電性を有する半導体基板を提供する。複数のセンサ素子が、半導体基板に形成される。分離構造が、複数のセンサ素子間に形成される。イオン注入処理が、少なくとも2つの異なる注入エネルギーを用いて分離構造のほぼ下に、第1の型の導電性を有するドープ領域を形成するために実施される。 （もっと読む）