【課題】ストレスの集中に起因する結晶欠陥の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１シリコン層５上には、第２シリコン層６が積層されている。第１シリコン層５と第２シリコン層６との界面には、たとえば、ＳｉＯ_２からなる応力緩和層７が形成されている。第２シリコン層６には、その上面から掘り下がったトレンチ８が形成され、このトレンチ８は、応力緩和層７を貫通している。トレンチ８の内面には、ＳｉＯ_２膜９が被着されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化が進んでも、簡単な手法でトランジスタの動作速度を向上できる半導体集積回路を提案する。
【解決手段】この半導体集積回路１は、複数のトランジスタ３と、複数のトランジスタ３の各々を区分けする素子間分離絶縁膜５と、素子間分離絶縁膜５上に配置されたダミーゲート７とを備え、少なくとも一部のＰＭＯＳトランジスタ３ｐのソースドレイン領域３ｃにおける通電方向端部に隣接する、素子間分離絶縁膜５のエッジ部分５ｐ上には、ダミーゲート７が配置され、少なくとも一部のＮＭＯＳトランジスタ３ｎのソースドレイン領域３ｃにおける通電方向端部に隣接する、素子間分離絶縁膜５のエッジ部分５ｎ上には、ダミーゲート７が配置されない様にしたものである。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスに起因する重金属等の汚染を十分に低減することができ、工程数が少なく安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ層３に形成されたトレンチ内に多結晶シリコン４１が埋め込まれ、当該多結晶シリコン４１とＳＯＩ層３の単結晶シリコンとで境界面Ｋｓが形成されてなる多結晶シリコン置換領域４０が、絶縁分離トレンチ２０により取り囲まれた領域内において、半導体素子３０と絶縁分離トレンチ２０から離間するようにして配置されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】 溝の側壁上端部における応力の発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に溝１ａを形成する工程と、溝１ａの側壁に熱酸化膜１ｂを形成する工程と、溝１ａの中に、表面が半導体基板１の表面より低い第１の絶縁膜２を埋め込む工程と、溝１ａの側壁の上端部に位置する半導体基板１に、フッ素及び窒素の少なくとも一方を導入する工程とを具備する。第１の絶縁膜２は、例えば素子分離膜である。フッ素及び窒素の少なくとも一方を導入する工程の後に、溝１ａ内に位置する第１の絶縁膜２上に、第２の絶縁膜１５を形成する工程と、第２の絶縁膜１５をエッチバックすることにより、溝１ａの側壁の上部を覆うサイドウォールを形成する工程とを具備してもよい。 （もっと読む）

【課題】能動デバイスのキャリア移動度を向上させること。
【解決手段】半導体デバイス構造は、基板の一部分上に配置されたゲート構造と、この基板の一部分にチャネル領域を形成するために、この一部分に隣接して配置されたソース領域およびドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域に直接隣接して配置されたトレンチ分離領域とを含む。トレンチ分離領域の少なくとも一部分は応力材料を含み、その結果、この材料がチャネル領域内に剪断応力を発生させる。 （もっと読む）