【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の透過型液晶パネル向け半導体装置を小型化し、マイクロディスプレイを実現しようとするとき、半導体装置と透明電極とを接続するビアホールの径が縮小するため、接触抵抗が高くなるという問題があった。また、接触抵抗低減のために、半導体装置と透明電極との間に中間金属層を設けると、画素の開口率が低下し、画面が暗くなるという課題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体装置と透明電極との間に設ける中間金属層に切欠部を有する。この切欠部により、中間金属層の側面の面積を拡大し、透明電極との接触面積を従来よりも大きくすることができる。また、中間金属層の側面部面積を利用するため、画素表面に対する投影面積を小さく設定でき、画素の開口率を大きくすることができる。このため、十分な明るさをもつ、超小型のマイクロディスプレイを提供できる。 （もっと読む）

【課題】複数の第１構造要素および複数の第２構造要素を備え、基板を光学的に位置合わせするための基板上マーカ構造を提供すること。
【解決手段】使用に際して、前記マーカ構造は、
前記マーカ構造上に向けられる少なくとも１本の光ビームを提供すること、
前記マーカ構造から受け取った光をセンサで検出すること、および
前記基板の位置を前記センサに関連づける情報を含む位置合わせ情報を前記検出光から求めることに基づいて前記光学的位置合わせを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置上からクリーニングシートまで移動させることなく半導体装置上でプローブのクリーニングを行い、且つ、室温以外の高温又は低温の測定環境による電極パッドとプローブとのアライメントエラー及びコンタクト不良を回避する。
【解決手段】電気信号の入出力端子となる電極パッドを備えた半導体装置において、電極パッドは、第１のパッド材料からなる第１の電極パッド部分と第２のパッド材料からなる第２の電極パッド部分とから構成されている。ウェハの上に形成された第１の電極パッド部分と第２の電極パッド部分とは平面的に見て少なくとも一辺が隣接しており、第２のパッド材料は第１のパッド材料と同等以上の硬度を有し、且つ半導体装置を検査する際に電極パッドと接触するプローブの硬度と同等以下の硬度を有している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子デバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスは、ベース基板１２と配線パターン１４とを有する配線基板２と、電極２２が形成された半導体チップ２０と、半導体チップにおける電極が形成された面２５に形成された樹脂突起３０と、樹脂突起上に形成された電気的接続部４２を含む、電極に電気的に接続された配線４０と、を有し、電気的接続部が配線パターンに接触するように、配線基板に搭載された半導体装置３と、配線基板と半導体装置とを接着する接着剤４とを含む。配線４０は、第１の層４４と、第１の層上に形成された、第１の層よりも延性の高い材料で構成された第２の層４６とを含む。第１の層における樹脂突起と重複する領域には、ひび割れが形成されており、第２の層における樹脂突起と重複する領域には、ひび割れが形成されていない。 （もっと読む）

【課題】配線表面にバリア膜を形成する前に、ＮＨ₃を含むプラズマ処理を行う際に発生する低誘電率膜のダメージを低減するとともに、比誘電率上昇による配線遅延の問題を低減する配線構造の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に３以下の比誘電率を有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内にＣｕからなる配線を形成する工程と、配線表面上に還元性ガスを供給する工程と、還元性ガスを供給した後、前記配線上にバリア膜を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。その結果、配線構造を形成後、バリア膜を形成する前に配線表面に対してプラズマを供給しないので、低誘電率膜がダメージを受けるのを防止するとともに、ゲート酸化膜等の劣化を防ぐことが出来る。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線上にバリア膜を有する半導体装置において、ストレスマイグレーション、エレクトロマイグレーションの劣化を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁膜内に形成された配線溝内に埋め込まれた導電膜を有する配線層と、配線表面に形成されたバリア膜と、バリア膜上に形成された上層配線層とを備える。また、絶縁膜とバリア膜は接しており、導電膜とバリア膜の間にはＳｉ，Ｃを含むアモルファス層が形成されていることを特徴とする。Ｓｉにより導電膜とバリア膜の結合性を高め、アモルファス層中の空孔をＳｉ，Ｃで埋めるため、配線層とバリア膜の密着性を向上することが出来る。これにより、Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション耐性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した伝送線路の伝送損失を抑制できるようにする。
【解決手段】 半導体基板１０１上に信号線１０２とグランド線１０３とからなる伝送線路が形成され、その信号線１０２の両脇の半導体基板１０１に溝１０４を備え、また、信号線１０２およびグランド線１０３は、半導体基板１０１主面に平行な底面に対し、隣接する側面の方が面積が広くなるように形成されている。 （もっと読む）