【課題】有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）誘電体を有するＩＣ構造体に悪影響を及ぼさずに有機フォトレジストを剥脱する方法を提供すること。
【解決手段】有機フォトレジスト材料と有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）材料を有する集積回路（ＩＣ）構造体において有機フォトレジストを剥脱する、デュアルダマシンプロセス中に行われる多数の工程の１つであって、一酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ）ガス混合物を反応器内に供給すること、反応器内でプラズマを発生させること、及びフォトレジストを剥脱することを含んでなる方法を提供する。この剥脱方法は、フォトレジストとＯＳＧ材料との間に高い選択性を提供し、さらに、フォトレジストや他のそのような有機材料の剥脱を、ＯＳＧ材料のエッチングに用いられるのと同じ反応器内で行うことを可能とする。 （もっと読む）

ビアの中に有機プラグを形成する方法について記述する。ビアはシリコン含有誘電体を含む集積回路（ＩＣ）構造中に存在する。有機プラグを形成する方法は底部反射防止膜等の有機化合物を塗布することを含む。その有機化合物はビアを占める。そして、その方法は反応装置に一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを供給することに進み、そして反応装置中でプラズマを生成する。有機化合物の多くの部分が除去されて、ビアを占める有機プラグを残す。有機プラグは、典型的には、デュアルダマシンプロセスにおいて形成される。 （もっと読む）

基板、基板上の導電パッド、および基板上の絶縁層を含む電子デバイスを形成する方法であって、上記絶縁層は導電パッドの一部を露出するバイアホールを有する。詳細には、絶縁層上であり導電パッドの露出部分上に導電構造体を形成できる。導電構造体は、チタン・タングステン（ＴｉＷ）のベース層と、アルミニウムおよび／または銅のうちの少なくとも１つの導電層とを含みうる。さらに、導電構造体のベース層を、導電層と絶縁層との間に形成できる。関連デバイスについても説明する。

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本発明は、薄膜電子部品の製造方法およびこの方法を実施する装置に関する。また、本発明は、この方法に従って製造された薄膜電子部品に関する。まず、実質的に誘電性を有する基板上に、導電性材料から成るガルヴァニックに均一な最下段の導電層が形成され、この最下段の導電層から導電領域がガルヴァニックに相互に分離して、電極パターンが形成される。この電極パターン上には、薄膜部品に必要とされる上部の不活性層または活性層を１層または数層形成することが可能である。本発明によれば、この最下段の導電層が分離することによる電極パターンの形成は、ダイカットエンボス加工に基づく切断作業を最下段の導電層に行うことによる。すなわち、切断作業に使用する切断部材の浮彫りが、基板上に永久変形が生じさせ、同時に、導電層から、ガルヴァニックに相互に分離した導電領域に至る領域をエンボス加工する。本発明は、ロールツーロール方式における薄膜部品の製造に適している。

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【課題】 放熱性が良好で、製造コストが低く、微細加工に好適なデュアルダマシンによる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に無機層間膜５、有機層間膜６、シリコン酸化膜からなる下部マスク７、シリコン窒化膜からなる上部マスク８を形成し、上部マスク８上にシリコン酸化窒化膜からなり膜厚が２０乃至１００ｎｍであるカバーマスク１０を形成する。そして、反射防止膜１１及びレジスト膜１２を形成する。次に、レジスト膜１２をマスクとして、反射防止膜１１、カバーマスク１０、下部マスク７をエッチングする。そして、カバーマスク１０をマスクとして、有機層間膜６及び無機層間膜５をエッチングしてビアホールを形成する。次に、上部マスク８をマスクとして有機層間膜６をエッチングして配線溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】オーバーエッチングが十分に行えて、しかもアルミニウム配線層の片落ちを起こすことのない微細ピッチの金属配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バリアメタル層１１、実質的なアルミニウム配線層１２、さらに破線で示すフォトレジスト層ＰＲと接触する、最上層がタングステン膜（Ｗ）で構成されるキャップ層１３が順に積層されている。このような配線パターンのエッチングに際し、オーバーエッチングによりフォトレジスト層ＰＲが目減りしてエッジ部分が型崩れすることがあっても、アルミニウム配線層１２の形状には影響ない。すなわち、最上層のタングステン膜（Ｗ）は、アルミニウム配線層１２をエッチングする際のエッチングマスク（ハードマスク）となり得るからである。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）