Fターム[5F033QQ78]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | パターン形成方法,基板,導電膜,絶縁膜の処理方法 (47,095) | 熱処理 (5,181) | 熱窒化 (63)
Fターム[5F033QQ78]に分類される特許
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半導体装置およびその作製方法、並びに電子機器
【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素TFTが含むゲート電極は、第1の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第2の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素TFTが含む半導体層の外側に設けられている。
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半導体装置
【課題】 キャパシタの特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 下部電極と上部電極と誘電体膜とを含むキャパシタを備えた半導体装置であって、下部電極は、イリジウムを含む第1の導電膜117と、誘電体膜122と第1の導電膜との間に設けられ且つ貴金属膜で形成された第2の導電膜119と、誘電体膜と第2の導電膜との間に設けられ且つペロブスカイト構造を有する導電性金属酸化物膜で形成された第3の導電膜121と、第1の導電膜と第2との導電膜の間に設けられ且つ金属膜及び金属酸化物膜の少なくとも一方を含み且つ第1の導電膜に含まれるイリジウムの拡散を防止する拡散防止膜118aと、を備え、誘電体膜は、ペロブスカイト構造を有する絶縁性金属酸化物膜を含み、該絶縁性金属酸化物膜は、A(ZrxTi1-x )O3 (ただし、Aは少なくとも1以上のAサイト元素、0<x<0.35)で表される。
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半導体のための引張り及び圧縮応力をもたせた物質
応力をもたせた膜が基板上に形成される。基板が処理ゾーンに置かれ、処理ゾーンに与えられたシリコン含有ガス及び窒素含有ガスを有する処理ガスのプラズマが形成される。窒素の如き希釈ガスを加えることもできる。堆積直後のままの応力をもたせた物質を、紫外線又は電子ビームに対して露出させることにより、その堆積物質の応力値を増大させることができる。それに加えて、又はそれとは別に、堆積中にその物質の応力値を増大させるために、窒素プラズマ処理を使用することができる。応力をもたせた物質を堆積させるためのパルス化方法も開示する。 (もっと読む)
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