【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに関連する、半導体構造体及び半導体の製造方法が提供される。この方法は、同じ配線レベルにある金属導線によって接続される２つのデバイスを形成することを含む。２つのデバイスの第１のものの金属導線は、銅配線構造体上に金属キャップ層を選択的に形成することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】作成された設計データを用いて製造される半導体装置の歩留まりを向上させる設計データ作成方法、設計データ作成プログラム、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の設計データ作成方法は、半導体装置の設計データを作成する設計データ作成方法であって、パターンレイアウトに含まれるコンタクトホール層パターンを挟む上層配線パターンと下層配線パターンとのＡＮＤ領域を抽出し（Ｓ３１）、前記ＡＮＤ領域に含まれるコンタクトホール層パターンを抽出し（Ｓ３２）、前記ＡＮＤ領域の中心と前記コンタクトホール層パターンの中心とが一致するように前記コンタクトホール層パターンを移動する（Ｓ３３）。 （もっと読む）

【課題】製造工程時間の増加を招くことなく、複数の凹部に埋め込まれた部材表面の平坦性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】相対的に面積の大きい第１ダミーパターンＤＰ_１と相対的に面積の小さい第２ダミーパターンＤＰ_２とをダミー領域ＦＡに配置することによって、素子形成領域ＤＡとダミー領域ＦＡとの境界ＢＬ近くまでダミーパターンを配置することができる。これにより、分離溝内に埋め込まれた酸化シリコン膜の表面の平坦性をダミー領域ＦＡの全域において向上することができる。さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 所望の信頼性を有する半導体装置を設計する。
【解決手段】 半導体装置１００は、第一の配線１１２上にビア１２４が形成された構成を有する。半導体装置１００の設計方法は、銅配線（配線金属膜１１０）中において、ボイド１５０が一の起点から成長すると仮定したときの、所定温度でＳＩＶ保証時間ｔ_openに広がるボイド１５０の成長領域の想定値ｘ_openを算出するステップと、想定値ｘ_openと第一の配線１１２とビア１２４との接触領域のサイズとを比較することにより、ビア１２４の形状因子を規定するステップと、を含む。接触領域のサイズは、ｄ＋２ｈ（ｄはビア１２４の直径、ｈはビア１２４が第一の配線１１２内に埋め込まれる深さ）とすることができる。 （もっと読む）