【課題】 金属−絶縁物−金属キャパシタおよび配線構造を提供する。
【解決手段】 ダマシン工程を利用してＭＩＭキャパシタおよび配線構造を含む半導体装置を製造する。前記ＭＩＭキャパシタおよび配線構造は静電容量を増やしつつ同じ深さで形成する。 （もっと読む）

半導体基板は、共通の誘電層を有する垂直相互接続部および垂直キャパシタの両方を備えている。基板は、アセンブリを形成するために更なるデバイスと適切に組み合わせることができる。基板は、一方の面を第１のステップを含むエッチング処理で形成した後、基板の他方の面を第２のステップを含む処理で形成することができる。
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【課題】 絶縁層及びヴィア形成において、形成された絶縁層の表面が非常に平滑となり、薄膜素子等を信頼性及び歩留り良く、高い自由度を以って形成でき、さらには微小なヴィア形成が可能である絶縁層及びヴィア（接続孔）の形成方法、及びそれを用いた多層配線基板並びにモジュール基板等の配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 台座２０を介してマスク基板２１を配置し、この基板２１とコア基板１との間に感光性エポキシ樹脂などの感光性絶縁材料３Ａを介在させ、これをパターン露光して現像してヴィアホール７を形成する。この現像により、微小なヴィアホール７を形成できると同時に、マスク基板２１のコア基板対向面２１ａによって絶縁材料（従って、絶縁層３）を平坦かつ滑らかな表面に、しかも常に設定された厚みに形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）