【課題】次段回路で基準電圧として用いられる定電圧を生成する基準電圧回路について、ツェナーダイオードの製造ばらつき等が出力定電圧の温度特性に及ぼす影響を低減する。また、当該出力定電圧の温度特性の平坦性を向上する。また、回路規模の増大を抑制しつつ優れた起動性、応答性および安定性を実現する。
【解決手段】分圧回路３３２は直列接続されたダイオード３０４，３０６，３０８に対して並列的に設けられている。分圧回路３３２の低電位側接続点ｙの電圧は正の温度特性を示し、分圧回路３３２の高電位側接続点ｘの電圧は負の温度特性を示す。分圧点ｚにおける定電圧Ｖ０が平坦な温度特性を持つように分圧抵抗３１６，３１８の抵抗値が設定されている。分圧回路３３２の分圧点ｚは、フィードバックループに接続されることなく次段回路へ接続されることにより、次段回路へ定電圧Ｖ０を出力する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作する参照回路を提供すること。
【解決手段】低電圧参照回路は、一対の半導体装置を有し得る。各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。ゲート絶縁体は、メタルゲートとｎ型半導体領域との間に挿入され、メタルゲートとｎ型半導体領域とを通りキャリアはトンネリングする。メタルゲートは、ｐ型ポリシリコンの仕事関数と整合する仕事関数を有し得る。ゲート絶縁体は、約２５オングストロームより薄い厚さを有し得る。メタルゲートは、第一の端子を半導体装置に対して形成し得る。ｎ＋領域およびｎ型半導体領域は、第二の端子を半導体装置に対して形成し得る。第二の端子は、接地に結合され得る。バイアス回路は、異なる電流を半導体装置に供給するために第一の端子を用い得、対応する参照出力電圧を１ボルト未満の値で提供し得る。 （もっと読む）

【課題】センス電流を抵抗で検出する場合であっても、カレントミラー回路を用いて検出する場合であっても、誤検出や電流検出精度の低下を起こさないパワーモジュールを提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１の電流センス素子ＳＴのセンスエミッタにエミッタが接続されたトランジスタＱ５と、トランジスタＱ５のコレクタに一方端が接続され、他方端が共通接続部ＢＰに接続された電流検出抵抗ＳＲとを有し、トランジスタＱ５のベースがＧＮＤに接続された電流検出回路Ｃ３と、電流検出抵抗ＳＲによって発生する共通接続部ＢＰを基準とした電位差を電流検出電圧Ｖｓとして検出し、所定の閾値電圧との比較を行い、両者の大小関係によってＩＧＢＴ１に過電流が流れているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域でダイオードの電流コラプス特性を評価することができるダイオード装置およびダイオード装置の評価方法を提供する。
【解決手段】ダイオード装置１００において、第１の回路と、第１の回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７を有する測定回路と、第１の回路および測定回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７のカソード側の電位を所定の電位にクランプするクランプ回路１１１と、第１の回路、測定回路およびクランプ回路と並列に接続された第２の回路とを備え、被測定ダイオード１０７のカソード電位は、被測定ダイオード１０７のカソード電位が所定値未満の場合に、クランプ回路１１１の出力端子の電位にクランプされる。 （もっと読む）

【課題】作動電圧領域と保護電圧との間隔が低減されており、必要面積の小さいＥＳＤ保護回路を提供する。
【解決手段】第１の端子（１２）および第２の端子（１４）と、該第１の端子（１２）と第２の端子（１４）の間にあるＥＳＤ電流経路（４２）とを備えるＥＳＤ保護回路（４０）であって、前記ＥＳＤ電流経路はＥＳＤトランジスタ（４４）の作動電流区間を介して導かれる。前記ＥＳＤトランジスタ（４４）は、分圧器（４８）の中間タップ（４６）の電位に依存して制御され、前記分圧器は前記第１の端子（１２）と第２の端子（１４）との間に接続されている。このＥＳＤ保護回路（４０）は、ＥＳＤトランジスタ（４４）がトランジスタ（４９）を介して制御され、トランジスタ（４９）は中間タップ（４６）の反転電位を備えるインバータ（５０）により制御されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数レベルの電圧を出力可能でありながら、装置規模の増大を極力抑え得るとともに、安全性にも優れた電圧出力回路を提供する。
【解決手段】コレクタおよびエミッタのうち、一方が、所定の電圧が入力される第１電圧入力端子に、他方が、出力端子に接続された出力用トランジスタと、出力用トランジスタのベースに接続された、所定の電圧が入力される第２電圧入力端子と、を備え、出力端子を通じて外部に電圧を出力する、電圧出力回路において、出力用トランジスタのベースと接地点との間に、互いに直列に接続された複数のツェナーダイオードを備え、前記接続状態において互いに隣り合う、ツェナーダイオード同士の間の各々は、接地点にＯＮ／ＯＦＦ切替可能に接続されているとともに、第２電圧入力端子に、抵抗器を介して接続されている電圧出力回路とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ−ＤＣレギュレータを内蔵する半導体集積回路において、レギュレータでの無駄な消費電力を減らして、電力の有効利用を図ること。
【解決手段】半導体集積回路７は、外部から供給される電源電圧を降圧して、内部回路４１の駆動電圧を発生するＤＣ−ＤＣレギュレータ４２を内蔵する。出力ポート４５に外部負荷素子６が接続された状態では、外部負荷素子６およびポート制御トランジスタ４３は、ＤＣ−ＤＣレギュレータ４２の電圧制御トランジスタ５２に対して、並列に接続される。半導体集積回路７は、内部回路４１の駆動電圧の上昇を制限する電圧補正回路７１を備えている。電圧補正回路７１は、ポート制御トランジスタ４３を流れる電流量が内部回路４１の消費電流量よりも多い場合、出力制御トランジスタ７３がオンして、ポート制御トランジスタ４３を流れる電流の一部を、内部回路４１を経由せずに、接地点７５へ流す。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、ボディバイアス回路網と集積回路とを備える集積回路を提供すること。
【解決手段】集積回路であって、ボディ端子を有するｎチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、マイナスボディバイアス電圧を該ボディ端子へ印加する調整可能なチャージポンプベースのボディバイアス回路網とを備える、集積回路。上記集積回路は、プログラマブルロジックデバイス集積回路を備え、該集積回路は、構成データがロードされるプログラマブルエレメントをさらに備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クランプ回路の静電破壊防止機能を損なうことなく、装置の仕様耐圧を高めることが可能な半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路装置は、外部端子Ｔ１と接地端との間に接続され、外部端子Ｔ１にクランプ電圧以上の電圧Ｖａが印加されたときに、外部端子Ｔ１と接地端との間を短絡させるクランプ回路１と；外部端子Ｔ１にクランプ電圧以上の電圧Ｖａが印加されており、かつ、その印加期間が所定の閾値期間に達したとき、クランプ回路１の動作を禁止するクランプ制御回路２と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】 供給電源Ｖccが十分上昇していない状態では出力端子に誤動作出力を出さないことを可能とする半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 供給電圧によって制御される電源回路１と、電源回路の出力に接続された電圧−電流変換装置（Ｑ１）と、前記電圧−電流変換回路の出力に接続された電流−電圧変換装置１と、前記電流−電圧変換回路の出力に接続された定電圧ライン３と、出力回路５の出力端子６と、前記定電圧ラインの電位と前記電源回路からの出力信号を受けて前記出力端子の電位を制御し、前記定電圧ラインの電位の上昇が不十分又は前記電源電圧が定常状態でないときに前記出力端子後段に接続された素子を動作させない状態にする保護回路１２を備えている。供給電源Ｖccが急峻に立ち上がり、回路の動作開始の順番が崩れたとしても誤動作波形を出させないようにする。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタの電流増幅率ｈＦＥに影響を与えることなく、ツェナーダイオードのツェナー電圧Ｖｚのみを高精度に調整することのできる、低コストの製造方法を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタＴ２とツェナーダイオードＤ２が同一半導体基１０上に形成されてなる半導体装置１００の製造方法であって、バイポーラトランジスタＴ２を構成するｐ導電型およびｎ導電型の拡散領域とツェナーダイオードＤ２を構成するｐ導電型およびｎ導電型の拡散領域を、それぞれ、同じ拡散工程Ｋ２，Ｋ３を用いて形成すると共に、熱処理工程Ｌ１において、拡散工程Ｋ２，Ｋ３終了後の半導体基板１０を、窒素雰囲気中、５００℃以上、９００℃以下の温度範囲で熱処理する。 （もっと読む）

少なくともいくつかの実施例では、２００℃を上回る温度での使用に適した電子素子は、炭化シリコン基板上に形成された集積回路と、厚い不活性化層とを有する。その他の実施例では、２００℃を上回る温度での使用に適した電子素子は、サファイア基板上に配置されたシリコンから形成された集積回路と、厚い不活性化層とを有する。電子素子は、炭化水素掘削作業及び生産作業の関連で実装される。
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