自己加熱バーンイン用の方法及び装置を開示している。一実施例では、半導体デバイスは、複数のゲートと、複数のクロック信号からクロック信号を選択して、選択クロック信号に応じて複数のゲートをトグルさせて、バーンインを行うよう内部的に熱を発生させるマルチプレクサと、内部温度を監視する熱検知回路とを含む。

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本発明に係る雑音検出測定回路は、信号処理を行う複数の回路ブロックからなる半導体集積回路内部に埋め込み分散配置して、電源／グラウンド雑音波形および空間分布を捕捉できるものであり、ＣＭＯＳ半導体集積回路の製造プロセスにより形成され、電源／グラウンド配線の雑音検出回路は、ソースフォロワと選択読み出しスイッチ及びソース接地アンプで構成される。ＭＯＳトランジスタ６個程度で構成でき、小型で、スタンダードセル方式の論理ゲート回路と同程度の面積で十分にレイアウト配置が行える。雑音検出回路の出力信号は、前記ソース接地アンプの出力電流を電流バス配線に接続し、電流増幅して外部抵抗負荷回路を駆動して読み出す。電流バス配線には、複数の雑音検出回路を並列に接続できるものとし、選択的に読み出すことで、大規模集積回路内の多点雑音測定を行う。
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半導体デバイス（２０１）の組み込み特徴化を提供するためのシステムおよび方法。このデバイスは、外部テスト機器の必要性なしにデバイスの特徴化を可能にする組み込み一体式特徴化ユニット（２０３）が備えられている。
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集積回路(5)と、その集積回路(5)の相互接続構造に組み込まれ、又は直接結合されるアンテナ(6)とを備える柔軟なデバイス(100)が与えられる。相互接続構造は、アクティブ領域の外側に広がる。電気的に絶縁する又は誘電性のある層(4)がアンテナ(6)と集積回路(5)との両方に対する支持層として存在する。基板(10)は、集積回路(5)のアクティブ領域(10A)の外側の非シリコン領域(10B)で除去される。この除去は、単結晶シリコンの基板の使用に結び付けられることができる。柔軟なデバイスは、識別ラベル及びセキュリティペーパへの一体化にとても適しており、一時的に付けられたキャリア基板を用いて製造されることができる。
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本発明は、最良の集積回路（ＩＣ）性能におけるリアルタイム適応制御に関する。適応動作は局所的に行なわれる。システムは異なるアイランド（３０）に分割される。各アイランド（３０）が制御され、その作業状態が幾つかのパラメータに応じて変更される。チップの残りの部分も他のパラメータに応じて同様に制御される。これにより、各アイランド（３０）は、グローバルコントローラ（４２）と通信するローカルコントローラ（３６）を有していることが必要になる。主な制御パラメータは、例えば、供給電圧、閾値電圧、クロック周波数である。
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少なくとも１つのモジュールを有する集積回路装置であって、該モジュール内の温度、給電ノイズ及びクロストーク等のような装置パラメータをモニタするのに適した少なくとも１つの関連するモジュールモニタを組み込んでいるモジュールを有する集積回路装置をテストするのに適した方法が、記載されている。
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本発明の半導体デバイス（１１）は回路と保護構造（５０）とを備える。本発明の半導体デバイス（１１）は、第１および第２のセキュリティ素子（１２Ａ、１２Ｂ）と、入力および出力（１４、１５）とを備える。セキュリティ素子（１２Ａ、１２Ｂ）は、異なる第１および第２のインピーダンスをそれぞれ有する。このデバイスはさらに、測定手段、処理手段および接続手段を備える。処理手段は、受け取られた第１の情報を特定の測定プログラムに変換する。これによって、デバイス（例えばスマートカード）のオーセンティシティをチェックし、またはアイデンティティを確立するために、デバイス（１１）および読取り装置中にチャレンジ−レスポンス機構が実装される。
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