【課題】電気的に隔離された発光ダイオードを提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードは、半導体基板５１と、基板上にあるｎ型ＩＩＩ群窒化物のエピタキシャル層５２と、ｎ型エピタキシャル層上にあり当該ｎ型層と共にｐ−ｎ接合部を形成する、ＩＩＩ群窒化物のｐ型エピタキシャル層５３と、ｎ型エピタキシャル層上にありｐ型エピタキシャル層に隣接し、ｐ−ｎ接合部５８の一部を電気的に隔離する抵抗性窒化ガリウム領域５４とを含む。ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。方法の実施形態では、ｐ型エピタキシャル領域上に打ち込みマスクを形成し、ｐ型エピタキシャル領域の部分にイオンを打ち込んでｐ型エピタキシャル領域の部分を半絶縁性にすることによって、抵抗性窒化ガリウム境界を形成する。フォトレジスト・マスク又は十分に厚い金属層を、打ち込みマスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層構造を構成する全ての半導体層に低抵抗領域を形成することなく、改善された抵抗率を持つ領域を含む層を有する半導体層構造を成長させることができる成長方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。その後、第１の半導体層１１の上に少なくとも１つの他の半導体層１２を成長させ、それによって半導体層構造を形成する。その後、第１の半導体層１１の選択された部分の電気抵抗を変化させるように、第１の半導体層１１の選択された部分１１ａをアニールする。第１の半導体層１１の上に成長された少なくとも１つの他の半導体層１２の電気抵抗は、上記アニールによって有意の変化を受けない。本発明は、例えば半導体層構造内の１つの半導体層に電流開口部を形成するのに使用できる。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、上クラッド層、下クラッド層、該上下クラッド層間の活性層、該上クラッド層への導電線パスを形成する上オーム接触層、該下クラッド層への導電線パスを形成する下オーム接触層を備える、半導体発光デバイスを提供する。下オーム接触層は、上オーム接触層の形状とは実質的に異なる形状を有しており、それによって、上下クラッド層に電圧が適用された場合に、実質的に上オーム接触層下にある活性層の一部から、キャリアの流れを転換する。
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