本発明は高輝度の窒化物マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）及びその製造方法に関するものである。本発明はマイクロサイズの複数の発光チップ１０を形成し、そのチップ間のギャップをＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＤＢＲ（ＺｒＯ_２／ＳｉＯ_２、ＨｆＯ_２／ＳｉＯ_２）、ポリアミドなどの充填材５で埋め込むと共に、発光チップアレイと充填材の上面１１をＣＭＰ加工により平坦化した後、大面積の透明電極６を形成する。それによって、全ての発光チップが同時に作動するように構成したことを特徴とする高輝度の窒化物マイクロＬＥＤ及びその製造方法を提供する。また、フリップチップ構造を採用してマイクロサイズ発光チップアレイの電極形成の均一度が向上した高輝度の窒化物マイクロＬＥＤを提供する。
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有機発光装置は、低い直流電圧順方向バイアスで作動された際に光を放射する。本発明では、空間が節約できる有機発光装置の回路配置を示した。この回路配置は、交流駆動電圧の正および負の周期の両方で発光する。また、基板上にこの回路配置を製作する方法を示した。本発明では、追加の整流電子機器を追加することなく、有機発光装置または有機ダイオードの高電圧交流駆動ができるという利点が得られる。
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【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）

本発明は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関し、これらの半導体チップはそれぞれ少なくとも１つの半導体層を備えた複数の構造素子をそれぞれ有する。この方法においては基板ならびに成長表面を有するチップ結合体ベースが提供される。閉塞していないマスク材料層を、形状および／または開口面が異なる静的で分散的な複数の窓を有するように成長表面上に形成し、ここでマスク材料は後続のステップにおいて成長すべき半導体層の半導体材料がこのマスク材料上では実質的に成長しない、または成長表面に比べて実質的に成長しにくい。続けて、半導体層が実質的に窓の内部に位置する成長表面の領域の上に析出される。さらなるステップではチップ複合体ベースが被着された材料と共に半導体チップに個別化される。さらに本発明は本方法に応じて製造されるオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。
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【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

【課題】 透光性でかつボールアップを有効に防止し得る構造の発光半導体素子用の透光性電極とその透光性電極の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる発光半導体素子用透光性電極は、ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄからなる群より選ばれた、少なくとも１種類の金属あるいは２種類以上の金属の合金よりなる第１の層と、該第１の層上に形成された、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏよりなる群より選ばれた少なくとも１種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第２の層とを有し、第２の層の表面には第１の層の金属を含まないようにしたものである。 （もっと読む）