【課題】 透光性でかつボールアップを有効に防止し得る構造の発光半導体素子用の透光性電極とその透光性電極の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる発光半導体素子用透光性電極は、ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄからなる群より選ばれた、少なくとも１種類の金属あるいは２種類以上の金属の合金よりなる第１の層と、該第１の層上に形成された、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏよりなる群より選ばれた少なくとも１種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第２の層とを有し、第２の層の表面には第１の層の金属を含まないようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】各発光素子の発光強度を均等にして、高性能かつ高信頼性のＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを順次積層し、この一導電型半導体層２を引き出した延在部７の上に共通電極５と絶縁膜６とを並設して成る発光素子を複数個配列して成る発光素子群９にて構成され、この発光素子群９内における各発光素子の延在部７における共通電極５に至る電極間隔ｘが異なるとともに、一方の発光素子の電極間隔ｘと他方の発光素子の電極間隔ｘとを同じにして、双方の共通電極５を通電せしめるように成し、そして、前記延在部７と共通電極５との接触面積ｓを、電極間隔ｘが長くなるにしたがって、大きくしている。 （もっと読む）