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Fターム[5F043AA27]の内容

ウェットエッチング (11,167) | 被エッチング体 (2,299) | 半導体以外の導電層 (575) | 金属 (484) | 多層構造 (81)

Fターム[5F043AA27]に分類される特許

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本発明は層構造(2)からなる階段状プロファイルを形成する方法に関する。第二の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分(211)の下側に位置している、第二の層構造部分(22)の領域を、取り除き、第一の残りの層構造部分(211)の第一の突出部(A)を形成し、第三の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分(211)の第一の突出部(A)を取り除く。
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