【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、ヘキサフルオロケイ酸、ふっ化水素酸の金属塩またはアンモニウム塩、およびヘキサフルオロケイ酸の金属塩またはアンモニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも1種のふっ素化合物と酸化剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】金属膜１０６をウエットエッチングした後、ｎ^＋ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をドライエッチングする。次に、段状に形成されたレジストマスク１０７を途中までアッシングした後、変質層１０８を除去する変質層除去工程を行う。この後、金属膜１０６等をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜を単一工程で下部膜のＡｌＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象がなく湿式エッチングして優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でも優れたプロファイルを形成することができる薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
【解決手段】本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関するものであって、特にａ）燐酸；ｂ）硝酸；ｃ）酢酸；ｄ）リチウム系化合物；ｅ）燐酸塩系化合物；およびｆ）水を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】ルテニウムとタングステン化合物又はタンタル化合物との積層膜が形成された基板を、タングステン化合物又はタンタル化合物を酸化変質させることなく、更にデバイス形成領域面が水やアルカリ溶液に曝され、ＬｏｗＫが変質することなのない基板処理方法、及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ルテニウムとタングステン化合物又はタンタル化合物との積層膜が形成された処理基板Ｗの外周に接触するロールチャック１ａ〜１ｄで保持される処理基板Ｗの周縁部に、処理液供給ノズル５から次亜塩素酸塩水溶液を処理液として供給し、吸引ノズル８で吸引して、周縁部のルテニウムを処理する基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、積層構造体を有する基板及び積層構造体を有する基板の製造方法において、銀又は銀を主成分とする銀合金からなる金属膜と保護膜とを同一のエッチング液によって一括してウェットエッチングすることを可能とすることである。
【解決手段】積層構造体を有する基板１０は、基板２０の表面に、少なくとも金属膜３１と保護膜３２をこの順に形成した積層構造体を有する基板１０において、金属膜３１は、銀又は銀を主成分とする銀合金からなり、保護膜３２は、厚さが８Å以上３２Å以下であり、かつ、金属膜３１及び保護膜３２は、同一のエッチング液によって一括してウェットエッチングできることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を２０〜７０度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。
【解決手段】 絶縁膜基板上に形成されたアルミニウム系金属およびモリブデン系金属の積層膜をエッチングするエッチング液であって、硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、硫酸カルシウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸第二鉄、硫酸銅、硫酸マグネシウム、硫酸鉛、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、アミド硫酸、アミド硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、エチレンジアミン硫酸塩、アニリン硫酸塩およびアデニン硫酸塩からなる群から選択されるスルホン酸化合物、燐酸および硝酸を含有する、エッチング液。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明のエッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物の提供。
【解決手段】 ふっ素化合物の濃度（ただし、ふっ化水素酸を除く）が０．０１〜５質量％、特定の酸化剤の濃度が０．１〜５０質量％であるエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【解決手段】エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体技術において適切に銅からなるメタライジング層をさらにはＣｕ／Ｎｉ層をエッチングすることができる新規の貯蔵安定な溶液に関する。この新規エッチング溶液を用いて、純粋な銅メタライジング、銅ニッケル合金からなる層並びに互いに積層された銅及びニッケル層をエッチングしかつ構造化することができる。前記溶液は、硝酸、過酸化水素、クエン酸及び水を含有する。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】銀（Ａｇ）配線用エッチング液を提供すること。また、エッチング液を利用する銀（Ａｇ）配線形成方法を提供すること。さらに、エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明により、エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。エッチング液は下記化学式１で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含む。
（化学式１）
Ｍ（ＯＨ）_ＸＬ_Ｙ
（ただし、前記式でＭはＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳｉまたはＢであり、Ｘは２または３であり、ＬはＨ_２Ｏ、ＮＨ_３、ＣＮ、ＣＯＲ、ＮＨ_２Ｒであり、Ｙは０、１、２または３であり、Ｒはアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】電極同士の間隔を狭めてもバンプ・ピッチを超微細に維持し続ける。
【解決手段】本発明に係るバンプの形成方法は、保護膜５の開口部から露出した電極４上にピラーバンプ１０を形成する技術であって、前記開口部より狭い第２の開口部１９を有するレジスト１５のパターンを形成するパターン形成工程（図２（ａ）〜図２（ｃ）参照）と、前記パターン形成工程後に、第２の開口部１９に対し、ピラーバンプ１０を構成する金属でめっき処理を施してピラーバンプ１０を形成するめっき工程（図２（ｄ）参照）とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とからなる多層膜のエッチング処理において、基板表面のエッチング液の流動性が異なっても均一に良好な順テーパー形状を与えることのできる優れたエッチング液を提供することを課題とする。
【解決手段】 リン酸、硝酸（好ましくは濃度１〜１０質量％）及び硫酸（好ましくは濃度１〜２０質量％）を含有する水溶液（好ましくは水分量２０質量％以下）からなるエッチング液組成物を調製し、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層膜、または、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜とＭｏを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層膜のエッチングに用いる。
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【課題】好適な形状の配線を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】素子と接続される第１の導電層と、その上の第２の導電層とを形成し、第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、マスクを用いたドライエッチングによって第２の導電層を加工し、マスクを残したままウエットエッチングによって第１の導電層を加工する配線の作製方法であって、ドライエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレートより大きく、ウエットエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレート以上とする。 （もっと読む）

本発明は、エッチャントすなわちエッチング溶液及び該エッチング溶液用添加剤、これらの処理方法、これらを用いた基板のパターニング方法、本発明に従って処理されたパターニング基板、並びに当該パターニング基板を有する電子素子に関する。基板に係る少なくとも1層の表面コーティングを、エッチングによってパターニングする、本発明に従ったエッチング溶液は、硝酸、亜硝酸塩、化学式C(H)_n(Hal)_m[C(H)_o(Hal)_p]_qCO₂Hで表されるハロゲン化された有機酸、及びバランス水を有する。ここで、Halは臭化物、塩化物、フッ化物又はヨウ化物を表す。nは0,1,2又は3で、mは0,1,2又は3である。ただしm+n=3である。oは0又は1で、pは1又は2である。ただしo+p=2である。qは0又は1であるが、ただしq+m=1,2,3又は4である。
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【課題】製造工程及び費用を最少化しながらも優れたプロファイルを得ることができる導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電体を６５乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸、０．１乃至８．０重量％のカリウム化合物及び残量の水を含むエッチング液組成物を利用して写真エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセスによるチャージアップに起因するスルーホール不良の発生を防止することができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置を製造する方法であって、半導体基板を準備するステップと、半導体基板の上方に第１配線層をプラズマを用いる方法で形成するステップと、第１配線層を含む全面に第１導電層を成膜して全ての第１配線層を電気的に短絡するステップと、プラズマを用いない方法で第１導電層を除去するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接続孔の直径を小さくしても、接続孔に埋め込まれたプラグと、プラグ上の配線との接触抵抗を低くする。
【解決手段】第１の導電層４上に、絶縁膜８を形成し、絶縁膜８に、第１の導電層４上に位置する接続孔８ｃを形成する。接続孔８ｃの中及び絶縁膜上に導電膜を形成し、さらに、絶縁膜８ａ上に位置する導電膜をＣＭＰ法で除去することにより、接続孔８ｃに導電体９を埋め込む。接続孔８ｃに埋め込まれた導電体９の表層を、不活性イオンを用いたスパッタエッチングにより除去し、その後、絶縁膜８上に、導電体９に接続する第２の導電層１０ａを形成する。 （もっと読む）