【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用として、優れたプロファイルが形成できるゲート配線材料薄エッチング組成物を提供する。
【解決手段】エッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液で、かつ工業的に満足できる速さでエッチングできるエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングするための組成物として、銅イオン、硝酸、及びフッ素化合物を含有する組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用の金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の電極用金属層のエッチングに使われるエッチング液組成物に係り、全体エッチング液組成物重量に対して、リン酸４５〜７０重量％、硝酸１．５〜６重量％、酢酸１０〜３０重量％、Ｍｏエッチング調整剤０．０１〜３重量％、スルホン酸化合物０．１〜１．９９９重量％及び組成物総重量を１００重量％にする量の水を含むエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングに近い金属を溶解するエッチング方法でありながら、微細なエッチングを正確且つ効率的に行うことができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板の表面上の所定部位に、エッチング剤を内包するマイクロカプセルを配してパターニングを行った。マイクロカプセルの外殻体は、乳化重合により製造された高分子材料で構成されている。次に、基板の表面上にパターニングされたマイクロカプセルに熱又は圧力を加えると、マイクロカプセルが破壊してエッチング剤が放出され、基板の表面に接触する。すると、基板の表面の金層のうちマイクロカプセルが付着していた部分の金層が酸化溶解してエッチングされ、マイクロカプセルが付着していなかった部分に金からなる電極配線が形成された。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液。及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜のウェットエッチングは、等方性のエッチング特性が知られているが、ウエハを高速回転させているため、回転に伴う異方性が現れるため、ウエハ外周部の配線形状を管理することが困難であった。
【解決手段】アルミニウム膜のウエット・エッチングにおいて、フルコーンノズルを２本搭載し、１本のノズルをウエハ全面へ薬液が塗布可能な位置に設置し、もう１本のノズルを薬液濃度が薄くなるウエハ中心部（ウエハ直近の位置）に設置し同時に薬液を塗布することにより、回転数依存が少なくエッチングレート均一性を向上することが可能とするものである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金とＭｏ又はＭｏ合金を含んだ積層金属層のエッチングにおいて、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング組成物を提供する。
【解決手段】必須成分として、水溶液がアルカリ性のリン酸塩及び水溶液がアルカリ性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種の塩と過酸化水素と水を含有してなる、Ｃｕ又はＣｕ合金の１層又は複数層とＭｏ又はＭｏ合金の１層又は複数層とからなる多層積層金属層のＣｕ又はＣｕ合金及びＭｏ又はＭｏ合金を一度にエッチングするためのエッチング組成物。 （もっと読む）

【課題】表面がＴｉＮ膜であるバリアメタルが露出した部分の耐湿性を向上すると共に、パッシベーション膜を一層としても、クラックに起因する不良を無くし、また、アルミニウム合金中のＳｉノジュールの成長に起因する不良増加を抑えることのできる積層金属電極配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に所要の配線パターンで形成される金属電極配線膜として、下地のバリアメタル膜とその上に積層されるアルミニウムまたはアルミニウム合金膜２を有し、さらに、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金膜２上に被覆される有機系パッシベーション膜７を備える半導体装置において、前記バリアメタル膜が、チタン膜３、１０で挟まれた窒化チタン膜４からなる三層の積層膜を有する半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、金属Ｃｕ／Ｍｏをエッチングするのに適したエッチング剤組成物であって、該組成物の全質量に対して、１〜２５質量％の過酸化水素；該組成物の全質量に対して、０．１〜１５質量％のアミノ酸；該組成物の全質量に対して、０．１〜１５質量％のｐＨ安定剤；該組成物の全質量に対して、０．０１〜２質量％のフッ素含有酸；該組成物の全質量に対して、０．０１〜３質量％の酸性ｐＨ調整剤と、水性媒体とを含む組成物を提供する。本発明は、また、本発明のエッチング剤組成物を用いて金属Ｃｕ／Ｍｏをエッチングする方法を提供する。
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【課題】ＣｕとＭｏの積層金属膜のみならず従来技術では困難であったＣｕとＭｏ合金の積層金属層を一度にエッチングするとともに、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング溶液を提供する。
【解決手段】必須成分として、（ａ）水溶液が中性又は酸性のリン酸塩及び水溶液が中性又は酸性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種と（ｂ）過酸化水素と（ｃ）水を含有してなる、銅又は銅合金の１層又は複数層とモリブデン又はモリブデン合金の１層又は複数層とからなる多層積層金属層の銅又は銅合金及びモリブデン又はモリブデン合金を一度にエッチングするためのエッチング溶液。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】組成物全体の質量に対してリン酸５５〜７５質量％、硝酸０.７５〜１.９９質量％、酢酸１０〜２０質量％、Ｍｏエッチング調整剤０.０５〜０.５質量％、含ホウ素化合物０.０２〜３質量％、及び残量の水を含むエッチング液組成物。ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層が浸食されることなく、窒化チタン被膜が剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】過酸化水素、フッ酸、水溶性有機溶剤、及び防食剤を含有し、前記防食剤が環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物である、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、環内に窒素原子を２個有する含窒素化合物を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。
【解決手段】アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。
硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩などを用いる。
また、有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ヒドロキシ酢酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上にチタン膜/銅膜またはチタン合金膜/銅膜が形成された２重積層膜や、チタン膜／銅膜／チタン膜またはチタン合金膜／銅膜／チタン合金膜が形成された３重積層膜などの多重積層膜をパターニングする際、エッチング処理される基板の枚数増加に伴うエッチング性能の低下を最少にして、積層膜のパターンプロファイルが均一で、収率を増大させ、製造費用が節減できるエッチング液、及びそのエッチング液を用いた薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、エッチング液及び薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法に関し、前記エッチング液は、フッ素イオン供給源、過酸化水素、硫酸塩、リン酸塩、アゾール系化合物、及び溶媒を含む。 （もっと読む）

【課題】積層膜をウェットエッチングする場合のサイドエッチング量を制御し、膜端を均一化する。
【解決手段】提供される積層膜のエッチング方法は、基板３１上に順次成膜された、互いに膜質の異なるＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２とＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３とを少なくとも含む積層膜を、複数種類のウェットエッチング手法を組み合わせて、一括エッチングするウェットエッチング方法であって、複数種類のウェットエッチング手法には、Ａｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングをＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングよりも促進させるスプレーエッチングと、Ｍｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングをＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングよりも促進させるパドルエッチングとが、少なくとも含まれている。 （もっと読む）

【課題】銅積層膜をエッチングする際のアンダーカットを防止するトランジスタの配線膜エッチング技術を提供する。
【解決手段】エッチング液は、硝酸と、塩酸と、燐酸とを含有する水溶液で構成されており、銅酸化物の含有量の異なる膜をエッチングする際の、エッチング速度の差が小さい。従って、銅酸化物を含有する第一の銅薄膜５１と、第一の銅薄膜５１よりも銅酸化物の含有量の少ない第二の銅薄膜５２をエッチングする際に、オーバーエッチングが起こらず、アンダーカットと呼ばれる現象が起こらない。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
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【課題】ｐ型ＭＯＳＦＥＴとｎ型ＭＯＳＦＥＴとの間で異なる所望のしきい値を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にＨｆ、 Ｚｒの少なくとも１つと、Ｓｉ、Ｏ、Ｎを含むゲート絶縁膜を形成し、第１、第２のゲート電極層を形成し、第１のゲート電極層上および第２のゲート電極層上に、第１の金属含有層を形成し、第２の金属含有層を形成し、保護膜を形成し、保護膜を選択的に除去し、残存する保護膜をマスクとして、第１の金属含有層および第２の金属含有層を選択的に除去し、第１の金属含有層および第２の金属含有層が選択的に除去された第２のゲート電極層上に、第３の金属含有層を成膜し、加熱処理により、第１のゲート電極層を合金化するとともに、第２のゲート電極層を合金化し、異なる組成のゲート電極を形成する。 （もっと読む）