薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物
【課題】本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明のエッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。
【解決手段】本発明のエッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置用のエッチング組成物に係り、より詳しくは、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質インジウムースズーオキサイドＩＴＯ及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成するゲート配線材料であるモリブデンＭｏ/アルミニウムＡｌ−ネオジムＮｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるアルミニウムＡｌ−ネオジムＮｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる薄膜トランジスタ液晶表示装置用のエッチング組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
エッチング工程は、究極的に、基板上に微細回路を形成する過程であって、現像工程によって形成されたフォトレジストパターンと同一金属パターンを形成する。
【０００３】
エッチング工程は、その方式によって、湿式エッチングと乾式エッチングに分けられるが、湿式エッチングは、金属等と反応して腐食させる酸系列の化学薬品を利用してフォトレジストパターンのない部分を溶かすものであって、乾式エッチングは、イオンを加速させ露出部位の金属を除去することによってパターンを形成するものである。
【０００４】
乾式エッチングは、湿式エッチングに比べて、異方性プロファイルを有して、エッチング制御力が優れる長所がある。ところが、装備が高価であって、大面積化が困難であり、エッチング速度が遅いために、生産性が低下される問題がある。
【０００５】
一方、湿式エッチングは、乾式エッチングに比べて、大量及び大型処理が可能であって、エッチング速度が速いために、生産性が高く、装備が低廉である長所がある。ところが、エッチング液及び純水使用量が多く、廃液量が多い問題がある。
【０００６】
一般的に、乾式エッチングをする場合、表面の一部硬化するフォトレジストを除去するために、プラズマアッシング工程が追加されることによって、装備価額、工程時間損失等の生産性低下及び製品競争力弱化の要因として作用されるために、実際の現場では、湿式エッチングを主に使用している実情である。
【０００７】
また、湿式エッチングに使用されるエッチング液より精密な微細回路が要求されることによって、エッチングしようとする金属の種類別に適用されている。
【０００８】
大韓民国特許出願第2000-0047933号及び米国特許第4,895,617号は、Ａｌ単一膜をエッチングするための燐酸、硝酸、酢酸、界面活性剤及び水を含むエッチング液に関して開示している。
【０００９】
また、大韓民国特許出願第2000-0047933号は、Ａｌ−Ｎｄ膜をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸、水及びフッ素カボン系の界面活性剤を含むエッチング組成物に関して開示しており、大韓民国特許出願第2001-0030192号は、アルミニウム及びＩＴＯをエッチングするために、シュウ酸及び組成物のｐＨを３〜４.５に調節できる酸と塩酸、燐酸、硝酸を含むエッチング組成物に関して開示していて、大韓民国特許出願第2001-0065327号は、銀または、銀合金をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸及びポタシウムオキシスルフェート(potassiumoxy sulfate)を含む配線用エッチング液に関して開示しており、大韓民国特許出願第2002-0010284号は、インジウムージンクーオキサイドＩＺＯをエッチングするために、塩酸、酢酸、沮害剤及び水を含むエッチング組成物に関して開示している。
【００１０】
また、大韓民国特許出願第2002-0018354号は、ソース及びドレイン電極用Ｍｏまたは、Ｍｏ−Ｗ(モリブデンとタングステンの合金)をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸、酸化調整剤及び水を含むエッチング組成物に関して開示している。
【００１１】
ところが、前記従来のエッチング液は、１つの金属膜だけをエッチングするための用途に適用されているために、装備と工程の効率性が低下される。従って、同時にいろいろの金属膜をエッチングするための組成物に関して研究されている。
【００１２】
前記のような研究によって、大韓民国特許出願第2000-0002886号及び大韓民国特許出願第2001-0072758号は、Ｍｏ/Ａｌまたは、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ−Ｗ/Ａｌ−Ｎｄの二重膜をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸及び酸化調整剤を含むエッチング液に関して開示しており、大韓民国特許出願第2000-0013867号は、Ｍｏ/Ａｌ(Ａｌ−Ｎｄ)/Ｍｏ膜をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸及び酸化調整剤を含むエッチング液に関して開示している。
【００１３】
また、大韓民国特許出願第2002-0017093号は、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ−Ｗ/Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ/Ｍｏ、Ｍｏ−Ｗ/Ａｌ−Ｎｄ/Ｍｏ−Ｗ、Ｍｏ単一膜及びＭｏ−Ｗ単一膜に、全部適用できるエッチング液として、燐酸、硝酸、酢酸、モリブデンエッチング抑制剤(アンモニウム塩)及び水を含むエッチング液に関して開示している。
【００１４】
ところが、前記のような従来技術は、薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成する画素電極とゲート及びソース/ドレイン電極用金属膜を多重層構造にする場合には、好ましいプロファイルが得難く、好ましいプロファイルを得るためには、湿式エッチングと乾式エッチングを同時に繰り返して適用することが要求された。しかし、このような湿式エッチング及び乾式エッチングを同時に使用することは、工程の面倒による生産性の低下及び費用の増加のため、不利という問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
前記のような従来技術の問題を解決するために、本発明は、同一組成物を使用して、湿式工程だけで薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象のない、優れたテーパーを得ると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜と画素電極の非晶質ＩＴＯでも、優れたプロファイルが形成できるエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
本発明の他の目的は、同一エッチング組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜とソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜及び画素電極の非晶質ＩＴＯに適用して、優れたエッチング効果が現れることによって、装備の効率性の増大及び原価節減の可能なエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１７】
本発明のまた他の目的は、湿式エッチング後、追加の乾式エッチングを実施しなくても、湿式エッチングだけでゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜とソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用して、優れたエッチング効果が現れることによって、工程が単純化できて、原価節減及び生産性の向上に効果的なエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明のまた他の目的は、エッチング組成物の表面張力を低めて、エッチング組成物がよく広がるようにすることによって、大型基板で、エッチング均一性を向上させるエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を達成するために、本発明は、
ａ)燐酸５５ないし８０重量％；
ｂ)硝酸３ないし１５重量％；
ｃ)酢酸５ないし２０重量％；
ｄ)燐酸塩０.５ないし１０重量％；
ｅ)塩素系化合物０.１ないし５重量％；
ｆ)アゾール系化合物０.０１ないし４重量％；及び
ｇ)残量の水
を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
また、本発明は、前記エッチング組成物でエッチングする段階を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００２０】
以下、本発明を詳しく説明する。
【００２１】
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸５５ないし８０重量％、硝酸３ないし１５重量％、酢酸５ないし２０重量％、燐酸塩０.５ないし１０重量％、塩素系化合物０.１ないし５重量％、アゾール系化合物０.０１ないし４重量％及び残量の水を含むことを特徴とする。
【００２２】
本発明に使用される燐酸、硝酸、酢酸及び水は、半導体工程用に使用可能な純度のものを使用することが好ましくて、市販されるものを使用したり、工業用等級を当業界に、通常的に公示された方法によって精製して使用することもできる。
【００２３】
本発明に使用される前記ａ)の燐酸は、アルミニウムオキサイドＡｌ２Ｏ３を分解する作用をする。
【００２４】
前記燐酸は、エッチング組成物に、望ましくは、５５ないし８０重量％を含んで、さらに望ましくは、６６ないし７５重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、硝酸とアルミニウムが反応して形成されたアルミニウムオキサイドが適切に分解されエッチング速度が速くなって、生産性が向上される効果がある。
【００２５】
本発明に使用される前記ｂ)の硝酸は、アルミニウムと反応してアルミニウムオキサイドを形成させる。
【００２６】
前記硝酸は、エッチング組成物に、望ましくは、３ないし１５重量％を含んで、さらに望ましくは、５ないし１０重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、上部膜であるＭｏ膜及び下部膜であるＡｌ−Ｎｄ膜で構成されたゲート金属膜と異なる層等間の選択比が効果的に調節できるという効果があって、特に、前記硝酸が３重量％未満である場合には、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、アンダーカット現象が発生される問題がある。
【００２７】
本発明に使用される前記ｃ)の酢酸は、反応速度を調節する緩衝剤の作用をする。
【００２８】
前記酢酸は、エッチング組成物に、望ましくは、５ないし２０重量％を含んで、さらに望ましくは、８ないし１５重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、反応速度を適切に調節して、エッチング速度を向上させ、このことによって、生産性を向上させる効果がある。
【００２９】
本発明に使用される前記ｄ)の燐酸塩は、モリブデンのエッチング速度を調節して、硝酸から酸化されたアルミニウムオキサイドを分解させる。
【００３０】
前記燐酸塩は、ＰＯ４３-に解離される化合物を使用することが好ましくて、具体的に、ＮａＨ２ＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４、Ｎａ３ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、(ＮＨ４)２ＨＰＯ４、(ＮＨ４)３ＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｋ３ＰＯ４、ＣＡ(Ｈ２ＰＯ４)２、Ｃａ２ＨＰＯ４または、Ｃａ３ＰＯ４等を使用して、望ましくは、(ＮＨ４)Ｈ２ＰＯ４または、ＫＨ２ＰＯ４を使用する。
【００３１】
前記燐酸塩は、エッチング組成物に、望ましくは、０.５ないし１０重量％を含んで、さらに望ましくは、１ないし５重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象が発生しないだけではなく、同時にＭｏ単一膜でも、優れたプロファイルを形成する効果がある。
【００３２】
本発明に使用される前記ｅ)の塩素系化合物は、非晶質ＩＴＯのエッチング速度を調節して、Ｍｏ単一膜とＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜のエッチング速度を調節する作用をする。
【００３３】
前記塩素系化合物は、ＨＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＫＣｌまたは、ＦｅＣｌ３等を使用して、望ましくは、ＮＨ４Ｃｌまたは、ＫＣｌを使用する。
【００３４】
前記塩素系化合物は、エッチング組成物に、望ましくは、０.１ないし５重量％を含んで、さらに望ましくは、０.５ないし２重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜の下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象が発生しないだけではなく、同時に非晶質ＩＴＯとＭｏ単一膜でも、優れたプロファイルを形成して、エッチング速度を調節する効果がある。
【００３５】
本発明に使用される前記ｆ)のアゾール系化合物は、Ｍｏ単一膜とＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜のエッチング速度を調節して、傾斜角が６０°以下の好ましいプロファイルを有して、クリティカルディメンション(ＣＤ：critical dimension)の変化を小さくして、工程上のマージンを高める作用をする。
【００３６】
前記アゾール系化合物は、ベンゾトリアゾール、アミノ安息香酸、アミノベンズアミド、２-アミノ-５-ニトロ安息香酸、ベンゾアジミド、メチルベンゾトリアゾール、アミノテトラゾール、メチルアミノベンゾエート、ベンゾトリアゾールカルボン酸、ＣｏｂｒａＴｅｃ９８、ＣｏｂｒａＴｅｃ９９または、ＣｏｂｒａＴｅｃ９２８等が使用できて、望ましくは、アミノテトラゾールを使用する。
【００３７】
前記アゾール系化合物は、エッチング組成物に、望ましくは、０.０１ないし４重量％を含んで、さらに望ましくは、０.０５ないし１重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、Ｍｏ単一膜とＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜のエッチング速度を調節すると同時に、モリブデンのエッチング速度を調節して、階段型テーパープロファイルを有する現象を防いで、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、優れたプロファイルを形成する。
【００３８】
本発明に使用される前記ｇ)の水は、エッチング組成物に残量として含まれ、硝酸とアルミニウムが反応して生成されたアルミニウムオキサイドを分解して、エッチング組成物を希釈する作用をする。
【００３９】
前記水は、望ましくは、残量のイオン交換樹脂を通じてろ過した純水を使用して、さらに望ましくは、特に、比抵抗が１８メガーオーム(ＭΩ・cm)以上の超純水を使用する。
【００４０】
また、本発明は、前記のような成分で構成されるエッチング組成物でエッチングする段階を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法で、前記のようなエッチング組成物を利用したエッチング工程前後には、薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に適用される通常的な工程が適用される。
【００４１】
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、前記のような成分を含む本発明のエッチング組成物を使用して、湿式エッチング後、追加の乾式エッチングを実施しなくても同一組成物を使用して、湿式工程だけで、薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成する画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしに、優れたテーパーを得ることによって、後続工程時、傾斜面で断線される不良を防げると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも、逆テーパー現象を防いで、上/下層が段落される不良を防げる長所がある。また、同一エッチング組成物を使用して、画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜と、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用することによって、工程の単純化、装備の効率性の増大及び原価節減が可能であるだけではなく、エッチング組成物の表面張力を低めて、エッチング組成物がよく広がるようにすることによって、大型基板で、エッチング均一性を増加させる効果がある。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によるエッチング組成物は、湿式エッチング後、追加の乾式エッチングを実施しなくても、同一組成物を使用して、湿式エッチングだけで 薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成する画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしに、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも、優れたプロファイルが形成できる長所がある。また、同一エッチング組成物を使用して、画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用することによって、工程の単純化、装備の効率性の増大及び原価節減の効果がある。
【００４３】
以下、本発明の理解のために、望ましい実施例を提示するが、下記の実施例は、本発明を例示するだけであって、本発明の範囲が下記の実施例に限られるのではない。
【実施例】
【００４４】
実施例１
燐酸６５重量％、硝酸８重量％、酢酸１２重量％、燐酸塩２重量％、塩素系化合物１重量％、アゾール系化合物０.１重量％及び残量の水を均一に混合してエッチング組成物を製造した。
【００４５】
比較例１〜６
前記実施例１の成分と組成比のうち、変更された一部を除いては、前記実施例１と同一方法によって実施してエッチング組成物を製造した。
【００４６】
【表１】
【００４７】
前記実施例１及び比較例１ないし比較例６で製造したエッチング組成物の性能は、下記のような方法によって実施して、その結果を図１ないし図９及び 下記の表２に示している。
【００４８】
ガラス基板上に、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜を、スパッタリングによって形成させた後、フォトレジストをコーティングして、現像によってパターンを形成させた試験片に、前記実施例１及び比較例１ないし比較例６で製造したエッチング組成物をスプレーして、エッチング処理した。エッチング後、断面を走査電子顕微鏡(ＳＥＭ、Ｓ−4100、HITACHI社)で観察してエッチング組成物の性能を評価した。
【００４９】
【表２】
【００５０】
前記表２により、本発明によって製造された実施例１のエッチング組成物は、比較例１ないし比較例６と比較すると、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜とＭｏ単一膜及び非晶質ＩＴＯ単一膜で、全部が優れたエッチング効果が現れることを確認した。
【００５１】
また、エッチング断面の走査電子顕微鏡写真である図１ないし図３に示したように、本発明によって製造した実施例１のエッチング組成物を適用した 非晶質ＩＴＯ単一膜(図１)では、３０°〜６０°の優れたプロファイルを形成することを確認して、Ｍｏ単一膜(図２)に適用した場合には、アンダーカット現象がなく、４５°〜７０°(確認要望)の優れたプロファイルを形成することを確認した。さらに、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜(図３)に適用した場合にも、アンダーカット現象が発生しないことを確認した。
【００５２】
一方、燐酸塩を使用してない比較例１及び燐酸を６５重量％未満で使用した比較例２の場合にも、図４及び図５に示したように、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜でアンダーカット現象が発生しており、Ｍｏ単一膜でも、プロファイル形成が不良であることを確認した。また、硝酸を３重量％未満で使用した比較例３の場合にも、図６に示したように、ゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜でアンダーカット現象が発生して、Ｍｏ単一膜でも、エッチング速度が速くなる。従って、クリティカルディメンションＣＤの変化が大きくなって、工程管理に困難性を有する。さらに、酢酸を２０重量％を超過する量で使用した比較例４の場合、図７に示したように、ゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、アンダーカット現象が発生したことを確認した。
【００５３】
また、アゾール系化合物を使用してない比較例５及び４重量％を超過する量で使用した比較例６の場合にも、図８及び図９に示したように、ゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、アンダーカット現象が発生することを確認した。
【００５４】
前述したような結果により、本発明によるエッチング組成物は、従来のエッチング組成物を利用する場合より、優れたステップカバレッジを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施例によるエッチング組成物を非晶質ＩＴＯ単一膜に使用して形成されたプロファイルの写真である。
【図２】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＭｏ単一膜に使用して形成されたプロファイルの写真である。
【図３】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図４】比較例１によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図５】比較例２によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図６】比較例３によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図７】比較例４によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図８】比較例５によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図９】比較例６によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置用のエッチング組成物に係り、より詳しくは、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質インジウムースズーオキサイドＩＴＯ及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成するゲート配線材料であるモリブデンＭｏ/アルミニウムＡｌ−ネオジムＮｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるアルミニウムＡｌ−ネオジムＮｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる薄膜トランジスタ液晶表示装置用のエッチング組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
エッチング工程は、究極的に、基板上に微細回路を形成する過程であって、現像工程によって形成されたフォトレジストパターンと同一金属パターンを形成する。
【０００３】
エッチング工程は、その方式によって、湿式エッチングと乾式エッチングに分けられるが、湿式エッチングは、金属等と反応して腐食させる酸系列の化学薬品を利用してフォトレジストパターンのない部分を溶かすものであって、乾式エッチングは、イオンを加速させ露出部位の金属を除去することによってパターンを形成するものである。
【０００４】
乾式エッチングは、湿式エッチングに比べて、異方性プロファイルを有して、エッチング制御力が優れる長所がある。ところが、装備が高価であって、大面積化が困難であり、エッチング速度が遅いために、生産性が低下される問題がある。
【０００５】
一方、湿式エッチングは、乾式エッチングに比べて、大量及び大型処理が可能であって、エッチング速度が速いために、生産性が高く、装備が低廉である長所がある。ところが、エッチング液及び純水使用量が多く、廃液量が多い問題がある。
【０００６】
一般的に、乾式エッチングをする場合、表面の一部硬化するフォトレジストを除去するために、プラズマアッシング工程が追加されることによって、装備価額、工程時間損失等の生産性低下及び製品競争力弱化の要因として作用されるために、実際の現場では、湿式エッチングを主に使用している実情である。
【０００７】
また、湿式エッチングに使用されるエッチング液より精密な微細回路が要求されることによって、エッチングしようとする金属の種類別に適用されている。
【０００８】
大韓民国特許出願第2000-0047933号及び米国特許第4,895,617号は、Ａｌ単一膜をエッチングするための燐酸、硝酸、酢酸、界面活性剤及び水を含むエッチング液に関して開示している。
【０００９】
また、大韓民国特許出願第2000-0047933号は、Ａｌ−Ｎｄ膜をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸、水及びフッ素カボン系の界面活性剤を含むエッチング組成物に関して開示しており、大韓民国特許出願第2001-0030192号は、アルミニウム及びＩＴＯをエッチングするために、シュウ酸及び組成物のｐＨを３〜４.５に調節できる酸と塩酸、燐酸、硝酸を含むエッチング組成物に関して開示していて、大韓民国特許出願第2001-0065327号は、銀または、銀合金をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸及びポタシウムオキシスルフェート(potassiumoxy sulfate)を含む配線用エッチング液に関して開示しており、大韓民国特許出願第2002-0010284号は、インジウムージンクーオキサイドＩＺＯをエッチングするために、塩酸、酢酸、沮害剤及び水を含むエッチング組成物に関して開示している。
【００１０】
また、大韓民国特許出願第2002-0018354号は、ソース及びドレイン電極用Ｍｏまたは、Ｍｏ−Ｗ(モリブデンとタングステンの合金)をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸、酸化調整剤及び水を含むエッチング組成物に関して開示している。
【００１１】
ところが、前記従来のエッチング液は、１つの金属膜だけをエッチングするための用途に適用されているために、装備と工程の効率性が低下される。従って、同時にいろいろの金属膜をエッチングするための組成物に関して研究されている。
【００１２】
前記のような研究によって、大韓民国特許出願第2000-0002886号及び大韓民国特許出願第2001-0072758号は、Ｍｏ/Ａｌまたは、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ−Ｗ/Ａｌ−Ｎｄの二重膜をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸及び酸化調整剤を含むエッチング液に関して開示しており、大韓民国特許出願第2000-0013867号は、Ｍｏ/Ａｌ(Ａｌ−Ｎｄ)/Ｍｏ膜をエッチングするために、燐酸、硝酸、酢酸及び酸化調整剤を含むエッチング液に関して開示している。
【００１３】
また、大韓民国特許出願第2002-0017093号は、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ−Ｗ/Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ/Ｍｏ、Ｍｏ−Ｗ/Ａｌ−Ｎｄ/Ｍｏ−Ｗ、Ｍｏ単一膜及びＭｏ−Ｗ単一膜に、全部適用できるエッチング液として、燐酸、硝酸、酢酸、モリブデンエッチング抑制剤(アンモニウム塩)及び水を含むエッチング液に関して開示している。
【００１４】
ところが、前記のような従来技術は、薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成する画素電極とゲート及びソース/ドレイン電極用金属膜を多重層構造にする場合には、好ましいプロファイルが得難く、好ましいプロファイルを得るためには、湿式エッチングと乾式エッチングを同時に繰り返して適用することが要求された。しかし、このような湿式エッチング及び乾式エッチングを同時に使用することは、工程の面倒による生産性の低下及び費用の増加のため、不利という問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
前記のような従来技術の問題を解決するために、本発明は、同一組成物を使用して、湿式工程だけで薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象のない、優れたテーパーを得ると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜と画素電極の非晶質ＩＴＯでも、優れたプロファイルが形成できるエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
本発明の他の目的は、同一エッチング組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜とソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜及び画素電極の非晶質ＩＴＯに適用して、優れたエッチング効果が現れることによって、装備の効率性の増大及び原価節減の可能なエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１７】
本発明のまた他の目的は、湿式エッチング後、追加の乾式エッチングを実施しなくても、湿式エッチングだけでゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜とソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用して、優れたエッチング効果が現れることによって、工程が単純化できて、原価節減及び生産性の向上に効果的なエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明のまた他の目的は、エッチング組成物の表面張力を低めて、エッチング組成物がよく広がるようにすることによって、大型基板で、エッチング均一性を向上させるエッチング組成物及びこれを利用した薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を達成するために、本発明は、
ａ)燐酸５５ないし８０重量％；
ｂ)硝酸３ないし１５重量％；
ｃ)酢酸５ないし２０重量％；
ｄ)燐酸塩０.５ないし１０重量％；
ｅ)塩素系化合物０.１ないし５重量％；
ｆ)アゾール系化合物０.０１ないし４重量％；及び
ｇ)残量の水
を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
また、本発明は、前記エッチング組成物でエッチングする段階を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００２０】
以下、本発明を詳しく説明する。
【００２１】
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸５５ないし８０重量％、硝酸３ないし１５重量％、酢酸５ないし２０重量％、燐酸塩０.５ないし１０重量％、塩素系化合物０.１ないし５重量％、アゾール系化合物０.０１ないし４重量％及び残量の水を含むことを特徴とする。
【００２２】
本発明に使用される燐酸、硝酸、酢酸及び水は、半導体工程用に使用可能な純度のものを使用することが好ましくて、市販されるものを使用したり、工業用等級を当業界に、通常的に公示された方法によって精製して使用することもできる。
【００２３】
本発明に使用される前記ａ)の燐酸は、アルミニウムオキサイドＡｌ２Ｏ３を分解する作用をする。
【００２４】
前記燐酸は、エッチング組成物に、望ましくは、５５ないし８０重量％を含んで、さらに望ましくは、６６ないし７５重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、硝酸とアルミニウムが反応して形成されたアルミニウムオキサイドが適切に分解されエッチング速度が速くなって、生産性が向上される効果がある。
【００２５】
本発明に使用される前記ｂ)の硝酸は、アルミニウムと反応してアルミニウムオキサイドを形成させる。
【００２６】
前記硝酸は、エッチング組成物に、望ましくは、３ないし１５重量％を含んで、さらに望ましくは、５ないし１０重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、上部膜であるＭｏ膜及び下部膜であるＡｌ−Ｎｄ膜で構成されたゲート金属膜と異なる層等間の選択比が効果的に調節できるという効果があって、特に、前記硝酸が３重量％未満である場合には、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、アンダーカット現象が発生される問題がある。
【００２７】
本発明に使用される前記ｃ)の酢酸は、反応速度を調節する緩衝剤の作用をする。
【００２８】
前記酢酸は、エッチング組成物に、望ましくは、５ないし２０重量％を含んで、さらに望ましくは、８ないし１５重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、反応速度を適切に調節して、エッチング速度を向上させ、このことによって、生産性を向上させる効果がある。
【００２９】
本発明に使用される前記ｄ)の燐酸塩は、モリブデンのエッチング速度を調節して、硝酸から酸化されたアルミニウムオキサイドを分解させる。
【００３０】
前記燐酸塩は、ＰＯ４３-に解離される化合物を使用することが好ましくて、具体的に、ＮａＨ２ＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４、Ｎａ３ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、(ＮＨ４)２ＨＰＯ４、(ＮＨ４)３ＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｋ３ＰＯ４、ＣＡ(Ｈ２ＰＯ４)２、Ｃａ２ＨＰＯ４または、Ｃａ３ＰＯ４等を使用して、望ましくは、(ＮＨ４)Ｈ２ＰＯ４または、ＫＨ２ＰＯ４を使用する。
【００３１】
前記燐酸塩は、エッチング組成物に、望ましくは、０.５ないし１０重量％を含んで、さらに望ましくは、１ないし５重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象が発生しないだけではなく、同時にＭｏ単一膜でも、優れたプロファイルを形成する効果がある。
【００３２】
本発明に使用される前記ｅ)の塩素系化合物は、非晶質ＩＴＯのエッチング速度を調節して、Ｍｏ単一膜とＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜のエッチング速度を調節する作用をする。
【００３３】
前記塩素系化合物は、ＨＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＫＣｌまたは、ＦｅＣｌ３等を使用して、望ましくは、ＮＨ４Ｃｌまたは、ＫＣｌを使用する。
【００３４】
前記塩素系化合物は、エッチング組成物に、望ましくは、０.１ないし５重量％を含んで、さらに望ましくは、０.５ないし２重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜の下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象が発生しないだけではなく、同時に非晶質ＩＴＯとＭｏ単一膜でも、優れたプロファイルを形成して、エッチング速度を調節する効果がある。
【００３５】
本発明に使用される前記ｆ)のアゾール系化合物は、Ｍｏ単一膜とＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜のエッチング速度を調節して、傾斜角が６０°以下の好ましいプロファイルを有して、クリティカルディメンション(ＣＤ：critical dimension)の変化を小さくして、工程上のマージンを高める作用をする。
【００３６】
前記アゾール系化合物は、ベンゾトリアゾール、アミノ安息香酸、アミノベンズアミド、２-アミノ-５-ニトロ安息香酸、ベンゾアジミド、メチルベンゾトリアゾール、アミノテトラゾール、メチルアミノベンゾエート、ベンゾトリアゾールカルボン酸、ＣｏｂｒａＴｅｃ９８、ＣｏｂｒａＴｅｃ９９または、ＣｏｂｒａＴｅｃ９２８等が使用できて、望ましくは、アミノテトラゾールを使用する。
【００３７】
前記アゾール系化合物は、エッチング組成物に、望ましくは、０.０１ないし４重量％を含んで、さらに望ましくは、０.０５ないし１重量％を含む。その含量が、前記範囲内の場合には、Ｍｏ単一膜とＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜のエッチング速度を調節すると同時に、モリブデンのエッチング速度を調節して、階段型テーパープロファイルを有する現象を防いで、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、優れたプロファイルを形成する。
【００３８】
本発明に使用される前記ｇ)の水は、エッチング組成物に残量として含まれ、硝酸とアルミニウムが反応して生成されたアルミニウムオキサイドを分解して、エッチング組成物を希釈する作用をする。
【００３９】
前記水は、望ましくは、残量のイオン交換樹脂を通じてろ過した純水を使用して、さらに望ましくは、特に、比抵抗が１８メガーオーム(ＭΩ・cm)以上の超純水を使用する。
【００４０】
また、本発明は、前記のような成分で構成されるエッチング組成物でエッチングする段階を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法で、前記のようなエッチング組成物を利用したエッチング工程前後には、薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に適用される通常的な工程が適用される。
【００４１】
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、前記のような成分を含む本発明のエッチング組成物を使用して、湿式エッチング後、追加の乾式エッチングを実施しなくても同一組成物を使用して、湿式工程だけで、薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成する画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしに、優れたテーパーを得ることによって、後続工程時、傾斜面で断線される不良を防げると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも、逆テーパー現象を防いで、上/下層が段落される不良を防げる長所がある。また、同一エッチング組成物を使用して、画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜と、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用することによって、工程の単純化、装備の効率性の増大及び原価節減が可能であるだけではなく、エッチング組成物の表面張力を低めて、エッチング組成物がよく広がるようにすることによって、大型基板で、エッチング均一性を増加させる効果がある。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によるエッチング組成物は、湿式エッチング後、追加の乾式エッチングを実施しなくても、同一組成物を使用して、湿式エッチングだけで 薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成する画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしに、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも、優れたプロファイルが形成できる長所がある。また、同一エッチング組成物を使用して、画素電極である非晶質ＩＴＯとゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用することによって、工程の単純化、装備の効率性の増大及び原価節減の効果がある。
【００４３】
以下、本発明の理解のために、望ましい実施例を提示するが、下記の実施例は、本発明を例示するだけであって、本発明の範囲が下記の実施例に限られるのではない。
【実施例】
【００４４】
実施例１
燐酸６５重量％、硝酸８重量％、酢酸１２重量％、燐酸塩２重量％、塩素系化合物１重量％、アゾール系化合物０.１重量％及び残量の水を均一に混合してエッチング組成物を製造した。
【００４５】
比較例１〜６
前記実施例１の成分と組成比のうち、変更された一部を除いては、前記実施例１と同一方法によって実施してエッチング組成物を製造した。
【００４６】
【表１】
【００４７】
前記実施例１及び比較例１ないし比較例６で製造したエッチング組成物の性能は、下記のような方法によって実施して、その結果を図１ないし図９及び 下記の表２に示している。
【００４８】
ガラス基板上に、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜を、スパッタリングによって形成させた後、フォトレジストをコーティングして、現像によってパターンを形成させた試験片に、前記実施例１及び比較例１ないし比較例６で製造したエッチング組成物をスプレーして、エッチング処理した。エッチング後、断面を走査電子顕微鏡(ＳＥＭ、Ｓ−4100、HITACHI社)で観察してエッチング組成物の性能を評価した。
【００４９】
【表２】
【００５０】
前記表２により、本発明によって製造された実施例１のエッチング組成物は、比較例１ないし比較例６と比較すると、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜とＭｏ単一膜及び非晶質ＩＴＯ単一膜で、全部が優れたエッチング効果が現れることを確認した。
【００５１】
また、エッチング断面の走査電子顕微鏡写真である図１ないし図３に示したように、本発明によって製造した実施例１のエッチング組成物を適用した 非晶質ＩＴＯ単一膜(図１)では、３０°〜６０°の優れたプロファイルを形成することを確認して、Ｍｏ単一膜(図２)に適用した場合には、アンダーカット現象がなく、４５°〜７０°(確認要望)の優れたプロファイルを形成することを確認した。さらに、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜(図３)に適用した場合にも、アンダーカット現象が発生しないことを確認した。
【００５２】
一方、燐酸塩を使用してない比較例１及び燐酸を６５重量％未満で使用した比較例２の場合にも、図４及び図５に示したように、Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜でアンダーカット現象が発生しており、Ｍｏ単一膜でも、プロファイル形成が不良であることを確認した。また、硝酸を３重量％未満で使用した比較例３の場合にも、図６に示したように、ゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜でアンダーカット現象が発生して、Ｍｏ単一膜でも、エッチング速度が速くなる。従って、クリティカルディメンションＣＤの変化が大きくなって、工程管理に困難性を有する。さらに、酢酸を２０重量％を超過する量で使用した比較例４の場合、図７に示したように、ゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、アンダーカット現象が発生したことを確認した。
【００５３】
また、アゾール系化合物を使用してない比較例５及び４重量％を超過する量で使用した比較例６の場合にも、図８及び図９に示したように、ゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜で、アンダーカット現象が発生することを確認した。
【００５４】
前述したような結果により、本発明によるエッチング組成物は、従来のエッチング組成物を利用する場合より、優れたステップカバレッジを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施例によるエッチング組成物を非晶質ＩＴＯ単一膜に使用して形成されたプロファイルの写真である。
【図２】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＭｏ単一膜に使用して形成されたプロファイルの写真である。
【図３】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図４】比較例１によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図５】比較例２によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図６】比較例３によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図７】比較例４によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図８】比較例５によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【図９】比較例６によるエッチング組成物をＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ単一膜に適用した結果の写真である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ)燐酸５５ないし８０重量％；
ｂ)硝酸３ないし１５重量％；
ｃ)酢酸５ないし２０重量％；
ｄ)燐酸塩０.５ないし１０重量％；
ｅ)塩素系化合物０.１ないし５重量％；
ｆ)アゾール系化合物０.０１ないし４重量％；及び
ｇ)残量の水
を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴＬＣＤの画素電極(ＩＴＯ単一膜)であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴＬＣＤのソース/ドレイン膜(Ｍｏ単一膜)であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴＬＣＤのゲート膜(Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜)であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項５】
前記ｄ)の燐酸塩が、ＮａＨ２ＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４、Ｎａ３ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、(ＮＨ４)２ＨＰＯ４、(ＮＨ４)３ＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｋ３ＰＯ４、ＣＡ(Ｈ２ＰＯ４)２、Ｃａ２ＨＰＯ４または、Ｃａ３ＰＯ４で構成される群から１種以上選択されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項６】
前記ｅ)の塩素系化合物が、ＨＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＫＣｌ及びＦｅＣｌ３で構成される群から１種以上選択されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項７】
前記ｆ)のアゾール系化合物が、ベンゾトリアゾール、アミノ安息香酸、アミノベンズアミド、２-アミノ-５-ニトロ安息香酸、ベンゾアジミド、メチルベンゾトリアゾール、アミノテトラゾール、メチルアミノベンゾエート、ベンゾトリアゾールカルボン酸、ＣｏｂｒａＴｅｃ９８、ＣｏｂｒａＴｅｃ９９または、ＣｏｂｒａＴｅｃ９２８で構成される群から１種以上選択されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のうちいずれか１項に規定するエッチング組成物でエッチングする段階を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項１】
ａ)燐酸５５ないし８０重量％；
ｂ)硝酸３ないし１５重量％；
ｃ)酢酸５ないし２０重量％；
ｄ)燐酸塩０.５ないし１０重量％；
ｅ)塩素系化合物０.１ないし５重量％；
ｆ)アゾール系化合物０.０１ないし４重量％；及び
ｇ)残量の水
を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴＬＣＤの画素電極(ＩＴＯ単一膜)であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴＬＣＤのソース/ドレイン膜(Ｍｏ単一膜)であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴＬＣＤのゲート膜(Ｍｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜)であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項５】
前記ｄ)の燐酸塩が、ＮａＨ２ＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４、Ｎａ３ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、(ＮＨ４)２ＨＰＯ４、(ＮＨ４)３ＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｋ３ＰＯ４、ＣＡ(Ｈ２ＰＯ４)２、Ｃａ２ＨＰＯ４または、Ｃａ３ＰＯ４で構成される群から１種以上選択されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項６】
前記ｅ)の塩素系化合物が、ＨＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＫＣｌ及びＦｅＣｌ３で構成される群から１種以上選択されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項７】
前記ｆ)のアゾール系化合物が、ベンゾトリアゾール、アミノ安息香酸、アミノベンズアミド、２-アミノ-５-ニトロ安息香酸、ベンゾアジミド、メチルベンゾトリアゾール、アミノテトラゾール、メチルアミノベンゾエート、ベンゾトリアゾールカルボン酸、ＣｏｂｒａＴｅｃ９８、ＣｏｂｒａＴｅｃ９９または、ＣｏｂｒａＴｅｃ９２８で構成される群から１種以上選択されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のうちいずれか１項に規定するエッチング組成物でエッチングする段階を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００７−１５０１０７（Ｐ２００７−１５０１０７Ａ）
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４４４６７（Ｐ２００５−３４４４６７）
【出願日】平成１７年１１月２９日（２００５．１１．２９）
【出願人】（５０１４２６０４６）エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド (732)
【出願人】（５０４００３４６６）ドンジン セミチェム カンパニー リミテッド (3)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月２９日（２００５．１１．２９）
【出願人】（５０１４２６０４６）エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド (732)
【出願人】（５０４００３４６６）ドンジン セミチェム カンパニー リミテッド (3)
【Ｆターム（参考）】
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