Fターム[2H092MA17]の内容
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液晶表示装置
【課題】垂直配向型の液晶表示装置において柱状スペーサーに起因する光抜けを抑制して表示品位を向上させる。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板、各基板に設けられた垂直配向膜、一対の基板間に配置された複数の柱状スペーサー、一対の基板間に設けられた液晶層、一対の偏光板を含む。垂直配向膜には一軸配向処理が施され、液晶層の層厚方向の略中央における液晶分子の配向方向43は第1方向41に略平行である。各偏光板の吸収軸48と49は互いに略直交し、かつ各々が第1方向及びこれに略直交する第2方向のいずれに対しても略45°の角度で配置される。各柱状スペーサーは、断面が台形状であって上底面、下底面及び当該上底面と下底面の間の2つの斜面を有し、当該2つの斜面の各々を画定する外縁部の平面視における延在方向が第1方向41又は第2方向に対して45°±10°の角度で配置される。
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液晶表示装置
【課題】 表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
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トランジスタ、表示装置および電子機器
【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。
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液晶表示装置の製造方法
【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第2基板22の主面21a上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第1絶縁膜226を形成する工程と、第1絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第2基板22の反対主面22b側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。
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液晶表示装置
【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第1の配線と、信号線として機能することができる第2の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第1の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。
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薄膜トランジスタ
【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板1と、ゲート電極配線2と、ゲート絶縁膜3と、チャネルとなる第1の半導体層4と、第1及び第2のコンタクト層5a、5bとなる第2の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線7a、7bとを有し、ソース又はドレイン電極配線7a、7bに対して露出する第2の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層6a、6bが形成されている。
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半導体装置の作製方法
【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】GRTA装置を用いて、第1の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第1の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第2の酸化物半導体膜とし、GRTA装置を用いて、酸素が添加された第2の酸化物半導体膜に熱を加える。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該GRTA装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。
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液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。
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半導体装置
【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面
に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
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配線構造及びそれを備える薄膜トランジスタアレイ基板並びに表示装置
【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。
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液晶表示装置
【課題】 液晶表示装置では、表示品位の低下を抑制することができる。
【解決手段】 本発明に係る液晶表示装置は、第1基板21と、第1基板21に対向配置された第2基板22と、第1基板21と第2基板22との間に配置された液晶層23と、第2基板22上に設けられた第1表示用電極225と、第1表示用電極225を覆うように第2基板22上に設けられた絶縁膜226と、絶縁膜226を介して第1表示用電極225上に配置され、第1表示用電極225との間で電界を形成して画素Pを構成するための第2表示用電極227とを備えており、第2表示用電極227は、第1直線部227aと、第1直線部227bに対して傾斜している第2直線部227bと、第1直線部227aと第2直線部227bとを接続している屈曲部227cとを有しており、屈曲部227cの形成領域における絶縁膜226の厚みは、第1直線部227aおよび第2直線部227bの形成領域における絶縁膜226の厚みに比べて小さいことを特徴とする。
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垂直配向型液晶表示素子
【課題】簡単な構成で、配向欠陥を低減することができる垂直配向型液晶表示素子を提供する。
【解決手段】液晶表示素子は、第1電極6と第2電極7とが重なる領域で画素8を形成するドットマトリクス表示の垂直配向型液晶表示素子である。第1電極6の画素8の形成領域には、液晶ダイレクタ方向Nと直交する方向に延在する第1スリット6Sが形成され、第2電極7の画素8の形成領域には、液晶ダイレクタ方向Nと直交する方向に延在し、第1スリット6Sよりも液晶ダイレクタ方向N側に位置する第2スリット7Sが形成され、第1スリット6Sと第2スリット7Sは、画素8の中心(中心点O)を挟んで互いに位置する。
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半導体装置及びその作製方法
【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。
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半導体装置、モジュール、及び電子機器
【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。
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表示装置
【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。
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半導体装置の作製方法
【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。
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表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第2電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第1電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第2電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。
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液晶表示装置
【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置1において、半導体層ASIと半導体層ASIの液晶材側の面に形成された金属層Mとの積層部分であり、かつ画素電極MITの液晶材側の面に重なる部分である重なり部50を含むソース電極SD2を有し、第2の絶縁層PAS2は、ソース電極SD2の液晶材側の面から重なり部の50端部、及び画素電極MITの一部を開口するように形成されており、ソース電極SD2の液晶材側の面から重なり部50の端部上、及び画素電極MIT上に、ソース電極SD2の液晶材側の面から重なり部50の端部、及び画素電極MITを導通させる導体膜70が形成されている。
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液晶表示装置およびその製造方法
【課題】映像信号線のパターニング時における映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線107、ドレイン電極107、ソース電極107は同層で同時に形成される。映像信号線107等はベース層1071、AlSi層1072、キャップ層1073の3層によって形成される。従来は、AlSi層1072において、キャップ層1073との境界にエッチングレートの早い合金が形成されて映像信号線107等のパターニング時、断線を生じていた。本発明では、映像信号線107等の形成時、AlSi層1072をスパッタリングによって形成した後、TFTを大気にさらし、AlSi層の表面にAl酸化層を形成した後、キャップ層1073をスパッタリングによって形成する。これによってAlSi層に、エッチングレートが部分的に早くなる合金が発生することを防止し、映像信号線等の断線の発生を防止する。
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酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
【課題】移動度が高く、S値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】In元素及びZn元素と、Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及びランタノイド類からなる群より選択される1以上の元素Xを、下記(1)〜(3)の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
In/(In+Zn)=0.2〜0.8 (1)
In/(In+X)=0.29〜0.99 (2)
Zn/(X+Zn)=0.29〜0.99 (3)
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