【課題】溝部と画素電極とにおける段差が小さい反射型液晶表示用半導体装置を提供する。
【解決手段】液晶素子が搭載される半導体装置の製造方法において、半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第１の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第１の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、前記溝及び前記第１の酸化シリコン膜上に第２の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第２の酸化シリコン膜及び前記第１の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、前記エッチバックされた面に第３の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第３の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下の範囲において、−２５℃以上１５０℃以下の動作温度範囲で、チャネル幅が１μｍあたりのオフ電流の値を１×１０^−１２Ａ以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ディスクリネーションを抑えると共に、安定した液晶の配向を可能とする液晶表示装置を提供する。
【解決手段】垂直配向型の液晶表示装置は、互いに対向する第１及び第２の基板と、第２の基板上に互いに直交する方向に配置された第１及び第２のバスラインと、第１及び第２の基板間に設けられた液晶と、液晶の配向を規制する突起状の構造物とを備える。突起状の構造物は、第１及び第２の基板上のうち少なくとも一方に対して傾斜する斜面を持ち、第１及び第２の基板上のうち少なくとも一方に該第１のバスラインと平行に設けられる。第１及び第２の基板のうち少なくとも一方は、突起状の構造物による液晶の配向規制方位と同じ配向規制方位に配向するよう処理を施されている。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１２上に配線（３４，５３）を形成する配線形成工程と、配線の上層に第１絶縁層６１を形成する第１絶縁層形成工程と、第１絶縁層６１に開口と開口の周縁に傾斜部とを有する凹部を形成する凹部形成工程と、第１絶縁層６１上に反射機能を有する導電膜を形成する導電膜形成工程と、導電膜における傾斜部と平面的に重なる領域を除去し画素電極２７を形成する画素電極形成工程と、画素電極２７及び第１絶縁層６１上に第２絶縁層６２を形成する第２絶縁層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極およびドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過してハロゲン元素を導入（添加）し、加熱処理を行う。このハロゲン元素導入および加熱工程によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板上に着色層を有するＣＯＡ型液晶表示装置において、着色層上に形成するＩＴＯ画素電極のエッチングに際して、発生し易いＩＴＯのエッチング残渣を抑制する。
【解決手段】着色層２４を有する表示領域２５の周縁領域に着色層２４の延長上に遮光層２７を形成し、着色層２４及び遮光層２７を覆う保護膜２８を形成する。このとき、遮光層２７の周縁端部を覆う保護膜２８の断面形状は、遮光層の端部から延在し、さらに周縁部に向かうテーパ形状とする。これにより、保護膜２８上に形成する画素電極３０は保護膜２８の急峻性に起因するレジストのエッチング残渣及びＩＴＯのエッチング残渣の発生を抑制することとなる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用
いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いて
ＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体
基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との
密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法において、光反射性を有する導電性材
料から形成された導電層を高品位にパターニングする。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）
を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（
６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジスト
をマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。ここで、
保護膜は、レジストをパターニングする際に用いられる溶液に対する耐性を有する材料か
ら形成される。 （もっと読む）

【課題】金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパー等の表示装置に適用した場合に、その消費電力を小さくでき、歩留まりを向上させることができるアクティブマトリクス型駆動基板及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜２を表面に有する導電基材１上に設けられた薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０と、薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０を第２絶縁膜１６，１７を介して覆う画素電極３０を有し、保持容量２０が第１電極２１と誘電体膜２２と薄膜トランジスタ１０のソース・ドレイン電極１４，１５に接続する第２電極２３との積層体であるアクティブマトリクス型駆動基板５０であって、導電基材１と第１電極２１とが第１絶縁膜２の開口部４で接続されているように構成する。第２絶縁膜（１６，１７）が少なくとも層間絶縁膜１７を有し、導電基材１が金属基材であり、第１絶縁膜２が金属基材１の表面粗さを低減する平坦化膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。水素原子を含む安定な物質は酸化物半導体層の金属原子に水素原子を与えることなく排気されるため、水素原子等が酸化物半導体層に取り込まれる現象を防止できる。水素原子を含む不純物と強く結合する物質としては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】波状ノイズの発生を抑制することの出来る、高画質を具現する横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】透明膜を露光する際に、下地となる電極配線や露光ステージの溝等の存在により露光の光が局所的に強度が変動する反射光となってレジストを露光するため、高精細なパターニングができない。
【解決手段】透明膜上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜上にレジスト層を塗布し、露光を行なってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記遮光膜を除去する工程と、前記レジストパターンをマスクとして遮光膜を除去した後、透明膜を除去する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターン除去後に、透明膜上の遮光膜を除去する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスウィンドウが広く、特性安定性が高い電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極と；電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と；前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と；前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と；を備える電界効果型トランジスタであって、前記酸化物半導体が、３価、４価、５価および６価の少なくとも１つのカチオンを導入することによりｎ型ドーピングされた結晶組成化合物であることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）