【課題】簡素な構造で駆動が容易な低コストの屈折率分布型液晶光学素子および表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と第２基板との間に挟持される液晶層と、第１基板上の液晶層側に設けられ、第１方向に沿って配列される複数の第１電極、複数の第２電極および複数の第３電極と、第２基板上の液晶層側に形成された第４電極とを備え、第３電極のそれぞれに対して、第３電極の両側のうちの一方の側に前記第１電極と第２電極とを有する第１電極対が配置されるとともに、他方の側に第１電極と第２電極とを有する第２電極対が配置され、第１電極対において、第２基板からみて第１方向に沿った断面における第２電極の中心は第１電極の中心よりも第３電極側に位置するように配置され、第２電極対において、第２基板からみて第１方向に沿った断面における第２電極の中心は第１電極の中心よりも第３電極側に位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】タイリングを行う単位表示パネルの数に制限がなくなり、より大型の表示装置を簡単に製造することが可能なトランジスタアレイを提供する。
【解決手段】本発明は、矩形状の主面を有する基材１０と、前記基材１０の前記主面に対する積層方向に配設されるデータライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００と、前記データライン引き回し電極１００と電気接続されるデータライン導通部と、前記スキャンライン引き回し電極２００と電気接続されるスキャンライン導通部と、前記データライン導通部と前記スキャンライン導通部からの信号で駆動されるトランジスタを含む回路により所定電圧が保持される画素電極３３０を複数含む表示エリア３００と、を有するトランジスタアレイ１であって、前記積層方向からみて、少なくとも前記データライン引き回し電極１００又は前記スキャンライン引き回し電極２００のいずれか一方が、前記表示エリア３００と重畳することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、相互に離間して配置された複数の線形状を有する第１の透明導電膜ＰＸと、前記第１の透明導電膜と絶縁膜を介して重畳し、平板形状を有する第２の透明導電膜ＣＴを有し、
ドレイン信号線ＤＬと液晶ＬＣとの間に配置され、且つ前記第１の透明導電膜ＰＸと電気的に分離され第３の透明導電膜ＩＴＯ１を有し、
前記第１の透明導電膜ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され画素電位を供給され、前記第２の透明導電膜ＣＴは基準となる対向電位を供給されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】オーバーコート層と、透明導電膜との段差に起因する液晶表示不良を抑制した液晶表示装置用カラーフィルタ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に、ブラックマトリクス、着色画素、これらを被覆するオーバーコート層、およびオーバーコート層上にパターン形成された透明導電膜、とを有する液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法であって、以下の工程を順次行うことを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法。（１）透明基板上に開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程（２）ブラックマトリクスの開口部に赤、緑、青の各画素を形成する工程（３）透明基板上のブラックマトリクスの開口部に赤、緑、青の各画素が形成された基板上にオーバーコート層を形成する工程 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもＣｕ及びＡｌの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】（ａ）１級アルカノールアミン１〜２０重量％；（ｂ）アルコール１０〜６０重量％；（ｃ）水０．１〜５０重量％；（ｄ）極性有機溶剤５〜５０重量％；及び（ｅ）腐食防止剤０．０１〜３重量％；を含むＬＣＤ製造用フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性を確保しつつ、優れた特性と信頼性の高いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板９上にソース領域１７、チャンネル領域１８、ドレイン領域１９を有する活性層１１と、ゲート電極層１６と、活性層１１とゲート電極層１６との間に形成されるゲート絶縁層１５とを有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層１５を、活性層１１側に形成される第１の酸化珪素膜１２と、ゲート電極層１６側に形成される第２の酸化珪素膜１４と、第１の酸化珪素膜１２と第２酸化珪素膜１４の間に形成される窒化珪素膜１３とで形成した。 （もっと読む）

【課題】各画素と駆動制御回路間の配線は配線取出しを不要にして、作業性及び歩留まりを改善する表示装置を得る。
【解決手段】駆動制御回路１０は、隣り合う複数の画素８の間に配置され、前面基板７と裏面基板６が、画素８，駆動制御回路１０，駆動制御回路１０と各画素８を接続する配線１１，及び駆動制御回路１０の電極端子１２を挟んで貼り合わされて構成され、裏面基板６には電極端子１２に対応する位置に電極端子１２が露出するように開口５が設けられ、開口５で露出した電極端子１２から配線が取出され映像信号出力回路４に接続される。 （もっと読む）

【課題】文字をくっきり表示でき、画像を滑らかに表示できる液晶表示装置を提供するこ
とを目的する。
【解決手段】面積階調方式を用いており、どの表示領域を用いて１画素を構成するかにつ
いて、モードによって切り替える。文字を表示したい場合には、ストライプ配置になるよ
うに選んで、１画素を構成する。これにより、くっきりとした表示が出来る。画像を表示
したい場合は、入りくんだ状態になるように選んで、１画素を構成する。これにより、滑
らかな表示をすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることが可能なＦＦＳ方式の液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルは、スイッチング素子２０と、透明画素電極１４と、透明画素電極１４の上層に絶縁膜を介して所定領域が重畳配置され、透明画素電極１４とともに液晶５０を駆動する透明コモン電極１５とを具備する。非透過性の導電パターン（ソース配線１２等）の近傍において、黒表示の際に液晶５０の配向不良により正面視において光漏れが生じる導電パターンの少なくとも一部に、平面視上、これを覆い、かつ、突出する庇４３を有する遮光層４２が配設されている。庇４３を有する遮光層４２と重畳するように配置された導電パターンに対し、当該導電パターンと前記液晶側で重畳するように配置され、かつ、庇４３を有する遮光層４２よりも、平面視において突出するように透明コモン電極１５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）

【課題】従来では、ＬＤＤ構造を備えたＴＦＴやＧＯＬＤ構造を備えたＴＦＴを形成しようとすると、その製造工程が複雑なものとなり工程数が増加してしまう問題があった。
【解決手段】第２のドーピング工程によって低濃度不純物領域２４、２５を形成した後、第４のエッチング工程を行うことによって、第３の電極１８ｃに重なる低濃度不純物領域の幅と、第３の電極に重ならない低濃度不純物領域の幅とを自由に調節できる。こうして、第３の電極１８ｃと重なっている領域は、電界集中の緩和が達成されてホットキャリアによる防止ができるとともに、第３の電極１８ｃと重なっていない領域は、オフ電流値を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】高電圧に対する高い耐久性と信頼性を有する酸化物半導体薄膜トランジスタを提供することが可能な、新規かつ改良された酸化物半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、基板の上部に形成されて第１面積を有するゲート電極、ゲート電極をカバーするためにゲート電極の上部に形成されるゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜の上部に形成されて第１面積より狭い第２面積を有する活性層、活性層のソース領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるソース電極、活性層のドレーン領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるドレーン電極及び活性層、ソース電極及びドレーン電極をカバーする保護膜を含む。従って、酸化物半導体薄膜トランジスタは高電圧に対する高耐久性及び信頼性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で配線間の静電破壊を防ぐこと。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）