酸化物半導体膜および半導体装置
【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜を用いる半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等に形成されるトランジスタはアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどによって構成されている。アモルファスシリコンを用いたトランジスタは、ガラス基板の大面積化に容易に対応することができる。しかし、アモルファスシリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が低いという欠点を有している。また、多結晶シリコンを用いたトランジスタは電界効果移動度が高いが、ガラス基板の大面積化には適していないという欠点を有している。
【０００４】
このような欠点を有するシリコンを用いたトランジスタに対して、酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば酸化物半導体として、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎなどを含む非晶質酸化物を用いてトランジスタを作製する技術が特許文献１で開示されている。また、同様のトランジスタを作製して表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献２で開示されている。
【０００５】
また、このようなトランジスタに用いる酸化物半導体について、「酸化物半導体は不純物に対して鈍感であり、膜中にはかなりの金属不純物が含まれていても問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソーダ石灰ガラスも使える」といったことも述べられている（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２９号公報
【特許文献２】特開２００６−１６５５２８号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】神谷、野村、細野、「アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状」、固体物理、２００９年９月号、Ｖｏｌ．４４、ｐ．６２１−６３３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、酸化物半導体膜および当該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜に酸素欠陥に代表されるような欠陥が生じたり、キャリアの供給源となる水素の混入などが生じると、酸化物半導体膜の電気伝導度が変化する恐れがある。このような現象は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動の要因となり、半導体装置の信頼性を低下させることになる。
【０００９】
このような酸化物半導体膜は、可視光や紫外光に照射されることにより、特に電気伝導度が変化するおそれがある。このような現象も、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動の要因となり、半導体装置の信頼性を低下させることになる。
【００１０】
このような問題に鑑み、より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
開示する発明の一態様は、結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜である。つまり、当該酸化物半導体膜に含まれる結晶性を有する領域は、ｃ軸配向している。なお、当該酸化物半導体膜は非単結晶である。また、当該酸化物半導体膜全体が非晶質状態（アモルファス状態）となることはない。
【００１２】
開示する発明の一態様は、結晶性を有する領域を含み、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなり、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅と、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上である酸化物半導体膜である。
【００１３】
上記において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４ｎｍ−１以上０．７ｎｍ−１以下であり、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上１．４ｎｍ−１以下であることが好ましい。また、ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のピークのスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さいことが好ましい。また、上記酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を複数含み、結晶のａ軸あるいはｂ軸の方向は、互いに異なっていてもよい。また、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは非自然数）で表される構造を有することが好ましい。
【００１４】
また、開示する発明の他の一態様は、第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置である。
【００１５】
また、開示する発明の他の一態様は、ゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、を有し、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置である。
【００１６】
上記において、第１の絶縁膜と酸化物半導体膜の間に第１の金属酸化物膜を有し、第１の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなることが好ましい。また、第１の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満であることが好ましい。また、酸化物半導体膜と第２の絶縁膜の間に第２の金属酸化物膜を有し、第２の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなることが好ましい。また、第２の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満であることが好ましい。
【００１７】
なお、本明細書等において、Ａ面がＢ面に概略平行とはＡ面の法線とＢ面の法線がなす角度が０°以上２０°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において、Ｃ線がＢ面に概略垂直とはＣ線とＢ面の法線がなす角度が０°以上２０°以下の状態を指すものとする。
【発明の効果】
【００１８】
結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一態様に係る断面ＴＥＭ像。
【図２】本発明の一態様に係る結晶構造の平面図および断面図。
【図３】電子状態密度計算の結果を示す図。
【図４】酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体のバンドダイアグラム。
【図５】酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体における再結合モデル。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図７】スパッタリング装置を説明する模式図である。
【図８】種結晶の結晶構造を説明する模式図である。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図。
【図１２】本発明の一態様に係る半導体装置のバンド構造を説明する図。
【図１３】本発明の一実施例に係る断面ＴＥＭ像。
【図１４】本発明の一実施例に係る平面ＴＥＭ像。
【図１５】本発明の一実施例に係る電子線回折パターン。
【図１６】本発明の一実施例に係る平面ＴＥＭ像および電子線回折パターン。
【図１７】本発明の一実施例に係る電子線回折強度のグラフ。
【図１８】本発明の一実施例に係る電子線回折強度の第１ピークの半値全幅のグラフ。
【図１９】本発明の一実施例に係る電子線回折強度の第２ピークの半値全幅のグラフ。
【図２０】本発明の一実施例に係るＸＲＤスペクトル。
【図２１】本発明の一実施例に係るＸＲＤスペクトル。
【図２２】本発明の一実施例に係るＥＳＲ測定の結果のグラフ。
【図２３】本発明の一実施例に係る量子化学計算に用いた酸素欠陥のモデル。
【図２４】本発明の一実施例に係る低温ＰＬ測定の結果のグラフ。
【図２５】本発明の一実施例に係る光負バイアス劣化測定の結果のグラフ。
【図２６】本発明の一実施例に係る光応答欠陥評価法における光電流のグラフ。
【図２７】本発明の一実施例に係るＴＤＳ分析の結果。
【図２８】本発明の一実施例に係るＳＩＭＳ分析の結果。
【図２９】本発明の一態様を示すブロック図及び等価回路図。
【図３０】本発明の一態様を示す電子機器の外観図。
【図３１】本発明の一態様に係る断面ＴＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施の形態及び実施例について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２２】
また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明に係る一態様として、酸化物半導体膜について、図１乃至図５を用いて説明する。
【００２４】
本実施の形態に係る酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を含む。当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる。つまり、当該酸化物半導体膜に含まれる結晶性を有する領域は、ｃ軸配向している。当該結晶性を有する領域の断面を観察すると、層状に配列した原子が基板から表面に向かって積層した構造であり、結晶のｃ軸が表面に概略垂直となっている。また、このようにｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含むので、当該酸化物半導体膜を、Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ； ＣＡＡＣ−ＯＳ膜ともよぶ。
【００２５】
ここで、実際に作製した、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像を図１に示す。図１中の矢印が示すように、層状に原子が配向した、すなわちｃ軸が配向した結晶性を有する領域２１が、酸化物半導体膜中に確かに観察される。
【００２６】
また、同様に結晶性を有する領域２２が酸化物半導体膜中に観察され、結晶性を有する領域２１および結晶性を有する領域２２は、非晶質構造を有する領域に３次元的に囲まれている。このように当該酸化物半導体膜中には複数の結晶性を有する領域が存在するが、図１中に結晶粒界は観察されておらず、酸化物半導体膜全体においても結晶粒界は観察されなかった。
【００２７】
また、図１において、結晶性を有する領域２１と結晶性を有する領域２２は非晶質構造の領域を介して隔離されているが、結晶性を有する領域２１および結晶性を有する領域２２の層状に配向した原子が同じくらいの間隔で積層しているように見え、非晶質構造の領域を越えて連続的に層を形成しているように見える。
【００２８】
また、図１では結晶性を有する領域２１および結晶性を有する領域２２の大きさは、３ｎｍ乃至７ｎｍ程度であるが、本実施の形態に示す酸化物半導体膜中に形成される結晶性を有する領域の大きさは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度とすることができる。例えば、図３１に示すように、酸化物半導体膜の結晶性を有する領域を数十ｎｍ以上とすることもできる。
【００２９】
また、当該結晶性を有する領域を膜表面に垂直な方向から観察すると、六角形の格子状に原子が配列される構造となることが好ましい。このような構造を取ることで、当該結晶性を有する領域は、三回対称性を有する六方晶構造を容易に取ることができる。なお、本明細書においては、六方晶の結晶構造は六晶系（Ｃｒｙｓｔａｌ ｆａｍｉｌｙ）におけるものを指し、七晶系（Ｃｒｙｓｔａｌ ｓｙｓｔｅｍ）の三方晶と六方晶を含む。
【００３０】
また、本実施の形態に係る酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を複数含んでいても良く、個々の結晶性を有する領域において、結晶のａ軸あるいはｂ軸の方向は互いに異なっていてもよい。すなわち、本実施の形態に係る酸化物半導体膜は、個々の結晶性を有する領域において、ｃ軸に対して結晶化しているが、ａ−ｂ面に対しては必ずしも配列していない。ただし、ａ軸あるいはｂ軸の方向が異なる領域どうしが接しないようにすることで、互いの領域が接する界面に結晶粒界を形成しないようにすることが好ましい。よって、結晶性を有する領域を三次元的に囲むように非晶質構造の領域を有する酸化物半導体膜とすることが好ましい。つまり、当該結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は非単結晶であり、且つ膜全体が非晶質状態とはならない。
【００３１】
当該酸化物半導体膜には、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などが用いられる。
【００３２】
中でも、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上とエネルギーギャップの広いものが多く、それらを用いてトランジスタを作製した場合、オフ状態での抵抗が十分に高くオフ電流を十分に小さくすることが可能である。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物中の結晶性を有する領域は、主に六方晶のウルツ鉱型ではない結晶構造を取ることが多く、例えば、ＹｂＦｅ２Ｏ４型構造、Ｙｂ２Ｆｅ３Ｏ７型構造及びその変形型構造などをとりうる（Ｍ． Ｎａｋａｍｕｒａ， Ｎ． Ｋｉｍｉｚｕｋａ， ａｎｄ Ｔ． Ｍｏｈｒｉ、「Ｔｈｅ Ｐｈａｓｅ Ｒｅｌａｔｉｏｎｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２ＺｎＯ４−ＺｎＯ Ｓｙｓｔｅｍ ａｔ １３５０℃」、Ｊ． Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍ．、１９９１、Ｖｏｌ．９３， ｐ．２９８−３１５）。なお、ＹｂＦｅ２Ｏ４型構造は、Ｙｂを含む層をＡ層としＦｅを含む層をＢ層とすると、ＡＢＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢＢ｜の繰り返し構造を有し、その変形構造としては、例えば、ＡＢＢＢ｜ＡＢＢＢ｜の繰り返し構造を挙げることができる。また、Ｙｂ２Ｆｅ３Ｏ７型構造は、ＡＢＢ｜ＡＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢ｜の繰り返し構造を有し、その変形構造としては、例えば、ＡＢＢＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢＢＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢＢＢ｜ＡＢＢ｜の繰り返し構造を挙げることができる。また、当該金属酸化物中のＺｎＯの量が多い場合には、ウルツ鉱型結晶構造をとることもある。
【００３３】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物の代表例としては、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記されるものがある。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物として、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物を挙げることができる。ここで、ｍは非自然数とするとより好ましい。なお、上述の組成は結晶構造から導き出されるものであり、あくまでも一例に過ぎないことを付記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝３：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：６［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物を用いてもよい。
【００３４】
以上のような構造を持つ、酸化物半導体膜に含まれる結晶性を有する領域の構造の一例として、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶構造を図２に示す。図２に示すＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶構造は、ａ軸とｂ軸に平行な平面図と、ｃ軸に平行な断面図を用いて示されており、ｃ軸はａ軸とｂ軸に対して垂直であり、ａ軸とｂ軸の間の角度は１２０°となる。図２に示すＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７は、平面図にＩｎ原子が取りうるサイト１１を示し、断面図にＩｎ原子１２、Ｇａ原子１３、ＧａまたはＺｎ原子１４、Ｏ原子１５を示す。
【００３５】
図２の断面図に示すように、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７は、Ｉｎ酸化物層の間にある１層のＧａ酸化物層と、Ｉｎ酸化物層の間にある２層の酸化物層でＧａ酸化物層とＺｎ酸化物層をそれぞれ１層ずつ含むものが、ｃ軸方向に交互に積層する構造となっている。また、図２の平面図に示すように、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７は三回対称性を有する六方晶構造をとる。
【００３６】
本実施の形態に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、一定以上の結晶性を示すものであることが好ましい。また、当該結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、単結晶とは異なる。このように、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。特に結晶中の金属原子と結合している酸素は、非晶質中の金属原子と結合している酸素と比較して、結合力が高くなり、水素などの不純物との反応性が低くなるので、欠陥の生成が低減される。
【００３７】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物からなる、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅と、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上となるような結晶性を示す。また好ましくは、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４ｎｍ−１以上０．７ｎｍ−１以下であり、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上１．４ｎｍ−１以下となるような結晶性を示す。
【００３８】
上述のように、本実施の形態に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、酸素欠陥に代表される膜中の欠陥が低減されていることが好ましい。酸素欠陥に代表されるような欠陥は、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。
【００３９】
なお、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜のＥＳＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定を行うことにより、当該膜中の孤立電子の量を測定することができ、それにより酸素欠陥の量を推定することができる。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物からなる結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のピークのスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さく、好ましくは５×１０１７（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）以下、より好ましくは５×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）、さらに好ましくは１×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）とする。
【００４０】
上述のように、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素や、水、水酸基または水素化物等の水素を含む不純物は低減されていることが好ましく、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素の濃度は１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好ましい。ダングリングボンドなどに結合する水素や、水、水酸基または水素化物等の水素を含む不純物は、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。また、酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水となると共に、酸素が脱離した格子（あるいは酸素が脱離した部分）には欠陥が形成されてしまう。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。
【００４１】
また、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中のアルカリ金属等の不純物は低減されていることが好ましい。例えば、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜において、リチウムの濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、ナトリウムの濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、カリウムの濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。
【００４２】
アルカリ金属、及びアルカリ土類金属は結晶性を有する領域を含む酸化物半導体にとっては悪性の不純物であり、少ないほうがよい。特に、当該酸化物半導体膜をトランジスタに用いる場合、アルカリ金属のうちナトリウムは結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜に接する絶縁膜に拡散し、キャリアを供給しうる。また、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜内において、金属と酸素の結合を分断し、あるいは結合中に割り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化（例えば、ノーマリオン化（しきい値の負へのシフト）、移動度の低下等）をもたらす。加えて、特性のばらつきの原因ともなる。
【００４３】
このような問題は、特に結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著となる。したがって、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素の濃度が５×１０１９ｃｍ−３以下、特に５×１０１８ｃｍ−３以下である場合には、アルカリ金属の濃度を上記の値にすることが強く求められる。よって、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の不純物を極めて低減し、アルカリ金属の濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、水素の濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好ましい。
【００４４】
以上のように、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００４５】
次に、酸化物半導体膜中の酸素欠陥がどのようにして当該酸化物半導体膜の電気伝導度に影響を与えるか、密度汎関数理論に基づいた第一原理計算を用いて考察した結果について説明する。なお、以下の第一原理計算には、ａｃｃｅｌｒｙｓ社製の第一原理計算ソフト「ＣＡＳＴＥＰ」を用いた。また、汎関数はＧＧＡ−ＰＢＥを、擬ポテンシャルはウルトラソフト型を用いた。
【００４６】
本計算では、酸化物半導体膜のモデルとして、アモルファス状のＩｎＧａＺｎＯ４において酸素原子を一つ脱離させて当該部位に空孔（酸素欠陥）を残存させたモデルを作成して計算を行った。当該モデルの原子数は、Ｉｎを１２個、Ｇａを１２個、Ｚｎを１２個、Ｏを４７個とした。このような構造のＩｎＧａＺｎＯ４に対して原子配置に関する構造最適化を行い、電子状態密度を算出した。このとき、カットオフエネルギーは３００ｅＶとした。
【００４７】
電子状態密度計算の結果を図３に示す。図３は、縦軸に状態密度（ＤＯＳ：Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅ）［ｓｔａｔｅｓ／ｅＶ］をとり、横軸にエネルギー［ｅＶ］をとっており、横軸に示すエネルギーの原点は、フェルミエネルギーを示している。図３に示すように、ＩｎＧａＺｎＯ４の価電子帯上端は−０．７４ｅＶ、伝導帯下端は０．５６ｅＶとなっている。バンドギャップの値はＩｎＧａＺｎＯ４の実験値３．１５ｅＶと比較すると非常に小さいが、密度汎関数理論に基づいた第一原理計算ではバンドギャップが実験値よりも小さくなる事は良く知られており、今回の計算が不適切である事を示しているわけではない。
【００４８】
図３から、酸素欠陥を有するアモルファス状のＩｎＧａＺｎＯ４は、バンドギャップ内に深い準位を有することが分かる。つまり、酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体のバンド構造では、酸素欠陥に起因するトラップ準位が当該バンドギャップ内の深い準位として表されることが推測される。
【００４９】
以上の考察に基づく、酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体のバンドダイアグラムを図４に示す。図４は、縦軸にエネルギー、横軸にＤＯＳをとり、価電子帯（ＶＢ：Ｖａｌｅｎｃｅ Ｂａｎｄ）の上端のエネルギー準位Ｅｖから伝導帯（ＣＢ：Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｂａｎｄ）の下端のエネルギー準位Ｅｃまでのエネルギーギャップは、実験値に基づき３．１５ｅＶとした。
【００５０】
図４に示すバンドダイアグラム中には、当該酸化物半導体のアモルファス性に起因するテールステートを伝導帯下端近傍に表している。さらに、伝導帯下端より約０．１ｅＶの浅いエネルギー準位に、当該アモルファス状の酸化物半導体内のダングリングボンドなどに結合する水素に起因する水素ドナー準位を想定している。そして、伝導帯下端より約１．８ｅＶの深いエネルギー準位に、上述した当該アモルファス状の酸化物半導体内の酸素欠陥に起因するトラップ準位を表している。なお、酸素欠陥に起因するトラップ準位のエネルギー準位の値については、後述する実施例において詳細を説明する。
【００５１】
さらに以上の考察に基づく、バンドギャップ中にこのようなエネルギー準位、特に酸素欠陥に起因する深いトラップ準位を有するアモルファス状の酸化物半導体の場合における、バンド構造の電子と正孔の再結合モデルを図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す。
【００５２】
図５（Ａ）に示す再結合モデルは、価電子帯に十分な数の正孔が存在し、且つ伝導帯に十分な数の電子が存在する場合の再結合モデルである。当該アモルファス状の酸化物半導体膜を光照射環境下に曝して、十分な数の電子正孔対が生成されることにより、当該酸化物半導体のバンド構造は図５（Ａ）に示すような再結合モデルで表される。当該再結合モデルにおいて、正孔は価電子帯の上端だけでなく、酸素欠陥に起因する深いトラップ準位にも生成される。
【００５３】
図５（Ａ）に示す再結合モデルでは、２種類の再結合過程が並列に起こることを想定している。一つの再結合過程は、伝導帯の電子が価電子帯の正孔と直接再結合するバンド間再結合と呼ばれる再結合過程である。そしてもう一つの再結合過程は、伝導帯の電子が酸素欠陥に起因するトラップ準位の正孔と再結合する再結合過程である。ここで、バンド間再結合は酸素欠陥に起因するトラップ準位における再結合より頻度が高いので、価電子帯の正孔の数が十分に少なくなることで、先にバンド間再結合が終了する。これにより図５（Ａ）に示す再結合モデルは、伝導帯下端の電子が酸素欠陥に起因するトラップ準位の正孔と再結合する再結合過程だけとなって図５（Ｂ）に示す再結合モデルに移行する。
【００５４】
なお、価電子帯に十分な数の正孔が存在し、且つ伝導帯に十分な数の電子が存在するようにするには、当該酸化物半導体に十分な光照射を行えばよく、その後光照射を止めることにより、図５（Ａ）に示す再結合モデルのように、電子と正孔の再結合が行われる。この時の当該酸化物半導体中を流れる電流（光電流とも呼ばれる。）が減衰するのに要する時間（緩和時間）は、図５（Ｂ）に示す再結合モデルにおける光電流の緩和時間と比較すると短くなる。なお、これらの詳細については、後述する実施例を参照されたい。
【００５５】
次に、図５（Ｂ）に示す再結合モデルは、図５（Ａ）に示す再結合モデルが進行し、価電子帯の正孔の数が十分に低減された後の再結合モデルである。図５（Ｂ）に示す再結合モデルでは、再結合過程がほとんど酸素欠陥に起因するトラップ準位における再結合だけになってしまうので、図５（Ａ）に示す再結合モデルと比較して伝導帯の電子の数は緩やかに減少する。もちろん当該再結合過程の間、伝導帯に存在する電子は酸化物半導体膜中の電気伝導に寄与する。これにより、バンド間再結合が主な再結合過程である、図５（Ａ）に示す再結合モデルと比較して、図５（Ｂ）に示す再結合モデルは光電流の緩和時間が長くなる。なお、これらの詳細については、後述する実施例を参照されたい。
【００５６】
このように、酸素欠陥に起因する深いトラップ準位を有するアモルファス状の酸化物半導体は、バンド構造における電子正孔対の再結合モデルを２種類有し、光電流の緩和時間も２種類に分けることができる。ここで、特に図５（Ｂ）に示す再結合モデルにおける光電流の緩和の遅延は、当該酸化物半導体膜をトランジスタなどに用いて光照射下でゲート電極に負バイアスをかける際に、当該酸化物半導体膜やその界面に固定電荷を形成する原因となりうる。このようにして、酸化物半導体膜中の酸素欠陥は当該酸化物半導体膜の電気伝導度に悪影響を与えることが考察される。
【００５７】
しかし、本発明の一態様に係る、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥が低減されている。よって、本発明の一態様に係る、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００５８】
以上、本実施の形態に示す構成などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【００５９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を用いたトランジスタおよび当該トランジスタの作製方法について図６乃至図１０を用いて説明する。図６は、半導体装置の構成の一形態である、トップゲート構造のトランジスタ１２０の作製工程を示す断面図である。
【００６０】
まず、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を成膜する前に、図６（Ａ）に示すように、基板５１上に下地絶縁膜５３を形成することが好ましい。
【００６１】
基板５１は、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。基板５１としてガラス基板を用いる場合、歪み点が７３０℃以上のものを用いることが好ましい。ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられる。なお、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。基板５１がマザーガラスの場合、基板の大きさは、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（４００ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍまたは１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等を用いることができる。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して大量生産を行う場合、作製工程の加熱処理は、６００℃以下、好ましくは４５０℃以下とすることが望ましい。
【００６２】
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いることができる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。さらには、シリコンウェハ等の半導体基板の表面や金属材料よりなる導電性の基板の表面に絶縁層を形成したものを用いることもできる。
【００６３】
下地絶縁膜５３は、加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を下地絶縁膜５３に用いることで、後の工程で加熱処理を行う際に酸化物半導体膜に酸素を拡散させることができる。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜としては、代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等を用いることができる。
【００６４】
下地絶縁膜５３は、５０ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。下地絶縁膜５３を厚くすることで、下地絶縁膜５３からの酸素放出量を増加させることができると共に、その増加によって下地絶縁膜５３及び後に形成される酸化物半導体膜との界面における欠陥を低減することが可能である。
【００６５】
下地絶縁膜５３は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。なお、加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜は、スパッタリング法を用いることで容易に形成することができる。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜をスパッタリング法により形成する場合は、成膜ガス中の酸素量が高いことが好ましく、酸素、または酸素及び希ガスの混合ガス等を用いることができる。代表的には、成膜ガス中の酸素濃度を６％以上１００％以下にすることが好ましい。
【００６６】
また、下地絶縁膜５３は、必ずしも加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を用いて形成する必要はなく、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウムなどを用いて窒化物絶縁膜を形成してもよい。また、下地絶縁膜５３は、上記の酸化物絶縁膜と窒化物絶縁膜の積層構造としてもよく、その場合には窒化物絶縁膜上に酸化物絶縁膜を設けることが好ましい。下地絶縁膜５３として窒化物絶縁膜を用いることにより、アルカリ金属などの不純物を含むガラス基板を用いる場合、アルカリ金属などの酸化物半導体膜への侵入を防止できる。リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属は、酸化物半導体に対して悪性の不純物であるために酸化物半導体膜中の含有量を少なくすることが好ましい。窒化物絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法等で形成することができる。
【００６７】
次に、図６（Ｂ）に示すように、スパッタリング装置を用いたスパッタリング法により、下地絶縁膜５３上に厚さ３０ｎｍ以上５０μｍ以下の結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜５５を成膜する。
【００６８】
ここで、スパッタリング装置の処理室について、図７（Ａ）を用いて説明する。処理室３１には、排気手段３３及びガス供給手段３５が接続される。また、処理室３１内には、基板支持体４０及びターゲット４１が設けられる。ターゲット４１は、電源装置３７に接続される。
【００６９】
処理室３１は、ＧＮＤに接続されている。また、処理室３１のリークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とすることで、スパッタリング法により成膜する膜への不純物の混入を低減することができる。
【００７０】
リークレートを低くするには、外部リークのみならず内部リークを低減する必要がある。外部リークとは、微小な穴やシール不良などによって真空系の外から気体が流入することである。内部リークとは、真空系内のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の部材からの放出ガスに起因する。リークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とするためには、外部リーク及び内部リークの両面から対策をとる必要がある。
【００７１】
外部リークを減らすには、処理室の開閉部分はメタルガスケットでシールするとよい。メタルガスケットは、フッ化鉄、酸化アルミニウム、または酸化クロムによって被覆された金属材料を用いると好ましい。メタルガスケットはＯリングと比べ密着性が高く、外部リークを低減できる。また、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態によって被覆された金属材料を用いることで、メタルガスケットから生じる水素を含む放出ガスが抑制され、内部リークも低減することができる。
【００７２】
処理室３１の内壁を構成する部材として、水素を含む放出ガスの少ないアルミニウム、クロム、チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の材料を鉄、クロム及びニッケルなどを含む合金材料に被覆して用いてもよい。鉄、クロム及びニッケルなどを含む合金材料は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで、表面積を小さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガスを低減できる。あるいは、前述のスパッタリング装置の部材をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で被覆してもよい。
【００７３】
処理室３１の内部に設ける部材は、極力金属材料のみで構成することが好ましく、例えば石英などで構成される覗き窓などを設置する場合も、放出ガスを抑制するために表面をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で薄く被覆するとよい。
【００７４】
さらに、スパッタガスを処理室３１に導入する直前に、スパッタガスの精製機を設けることが好ましい。このとき、精製機から処理室までの配管の長さを５ｍ以下、好ましくは１ｍ以下とする。配管の長さを５ｍ以下または１ｍ以下とすることで、配管からの放出ガスの影響を長さに応じて低減できる。
【００７５】
シリンダーから処理室３１まで、スパッタガスを流すための配管にはフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で内部が被覆された金属配管を用いることが好ましい。前述の配管は、例えばＳＵＳ３１６Ｌ−ＥＰ配管と比べ、水素を含むガスの放出量が少なく、成膜ガスへの不純物の混入を低減できる。また、配管の継手には、高性能超小型メタルガスケット継手（ＵＰＧ継手）を用いるとよい。また、配管の材料を全て金属材料で構成することで、樹脂等を用いた場合と比べ、生じる放出ガス及び外部リークの影響を低減できるため好ましい。
【００７６】
処理室３１の排気は、ドライポンプなどの粗引きポンプと、スパッタイオンポンプ、ターボ分子ポンプ及びクライオポンプなどの高真空ポンプとを適宜組み合わせて行うとよい。ターボ分子ポンプは大きいサイズの分子の排気が優れる一方、水素や水の排気能力が低い。そこで、水の排気能力の高いクライオポンプ及び水素の排気能力の高いスパッタイオンポンプを組み合わせることが有効となる。
【００７７】
処理室３１の内側に存在する吸着物は、内壁に吸着しているために処理室の圧力に影響しないが、処理室を排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に相関はないが、排気能力の高いポンプを用いて、処理室に存在する吸着物をできる限り脱離し、予め排気しておくことが重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、処理室をベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を１０倍程度大きくすることができる。ベーキングは１００℃以上４５０℃以下で行えばよい。このとき、不活性ガスを導入しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しにくい水などの脱離速度をさらに大きくすることができる。
【００７８】
排気手段３３は、処理室３１内の不純物を排気すると共に、処理室３１内の圧力を制御することができる。排気手段３３は、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。上記吸着型の真空ポンプを用いることで、酸化物半導体膜に含まれる水素の量を低減することができる。
【００７９】
なお、酸化物半導体膜に含まれる水素は、水素原子の他、水素分子、水、水酸基、または水素化物として含まれる場合もある。
【００８０】
ガス供給手段３５は、ターゲットをスパッタリングするためのガスを処理室３１内に供給する手段である。ガス供給手段３５は、ガスが充填されたシリンダ、圧力調整弁、ストップバルブ、マスフローコントローラ等で構成されている。なお、ガス供給手段３５に精製機を設けることで、処理室３１内に導入するガスに含まれる不純物を低下することができる。ターゲットをスパッタリングするガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガスを用いる。または、上記希ガスの一と、酸素との混合ガスを用いることができる。
【００８１】
電源装置３７は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜用いることができる。なお、図示しないがターゲットを支持するターゲット支持体の内部または外側にマグネットを設けると、ターゲット周辺に高密度のプラズマを閉じこめることができ、成膜速度の向上及び基板へのプラズマダメージを低減できる。当該方法は、マグネトロンスパッタリング法とよばれる。更には、マグネトロンスパッタリング法において、マグネットを回転可能にすると、磁界の偏りを低減できるため、ターゲットの使用効率が高まり、かつ基板の面内における膜質のばらつきを低減できる。
【００８２】
基板支持体４０は、ＧＮＤに接続されている。基板支持体４０にはヒータが設けられている。ヒータとしては、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いることができる。
【００８３】
ターゲット４１としては、亜鉛を含む金属酸化物ターゲットを用いることが好ましい。ターゲット４１の代表例としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などのターゲットを用いることができる。
【００８４】
ターゲット４１の一例として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む金属酸化物ターゲットを、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比とする。また、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【００８５】
なお、ターゲット４１と基板５１との間隔（Ｔ−Ｓ間距離）は、原子量の小さい原子が優先的に基板５１上の下地絶縁膜５３に到着することが可能な間隔とすることが好ましい。
【００８６】
図７（Ａ）に示すように、基板支持体４０上に下地絶縁膜５３が形成された基板５１を、スパッタリング装置の処理室３１内に設置する。次に、ガス供給手段３５から処理室３１にターゲット４１をスパッタリングするガスを導入する。ターゲット４１の純度は、９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上のものを用いる。次に、ターゲット４１に接続される電源装置３７に電力を供給する。この結果、ガス供給手段３５から処理室３１に導入されたスパッタリングガスのイオン４３及び電子が、ターゲット４１をスパッタリングする。
【００８７】
ここで、ターゲット４１及び基板５１の間隔を、原子量の小さい原子が優先的に基板５１上の下地絶縁膜５３に到着し堆積することが可能な間隔としておくことにより、図７（Ｂ）に示すように、ターゲット４１に含まれる原子において、原子量の小さい原子４５が、原子量の大きい原子４７より優先的に基板側へ移動することができる。
【００８８】
ターゲット４１においては、亜鉛は、インジウム等よりも原子量が小さい。このため、亜鉛が優先的に下地絶縁膜５３上に堆積する。また、成膜時の雰囲気に酸素を含み、基板支持体４０には、成膜時に基板及び堆積膜を加熱するヒータが設けられるため、下地絶縁膜５３上に堆積した亜鉛が酸化され、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶５５ａ、代表的には六方晶構造の酸化亜鉛を有する種結晶が形成される。なお、ターゲット４１にアルミニウム等の亜鉛より原子量の小さい原子が含まれる場合、亜鉛と共に、アルミニウム等の亜鉛より原子量の小さい原子も優先的に下地絶縁膜５３上に堆積する。
【００８９】
種結晶５５ａは、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶のウルツ鉱構造の亜鉛を含む結晶を有する。ここで、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶構造の亜鉛を含む結晶について、図８を用いて説明する。ここでは、六方晶構造の亜鉛を含む結晶の代表例として、酸化亜鉛を用いて説明し、黒丸が亜鉛、白丸が酸素を示す。図８（Ａ）は、ａ−ｂ面における、六方晶構造の酸化亜鉛の模式図であり、図８（Ｂ）は、紙面の縦方向をｃ軸方向とした、六方晶構造の酸化亜鉛の模式図である。図８（Ａ）に示すように、ａ−ｂ面における上平面において、亜鉛及び酸素が六角形をなす結合をしている。また、図８（Ｂ）に示すように、亜鉛及び酸素がなす六角形の格子を有する結合を有する層が積層され、ｃ軸方向はａ−ｂ面に垂直である。種結晶５５ａは、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有する層をｃ軸方向に１原子層以上有する。
【００９０】
連続して、ターゲット４１をスパッタリングガスでスパッタリングすることで、種結晶５５ａ上にターゲットに含まれる原子が堆積するが、このとき種結晶５５ａを核として結晶成長するため、種結晶５５ａ上に六方晶構造の結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜５５ｂを形成することができる。なお、基板５１は、基板支持体４０に設けられるヒータによって加熱されるため、種結晶５５ａを核とし、被表面に堆積する原子が酸化されつつ結晶成長する。
【００９１】
酸化物半導体膜５５ｂは、種結晶５５ａを核とし、ターゲット４１の表面における原子量の重い原子、及び種結晶５５ａの形成の後にスパッタリングされた原子量の軽い原子が酸化されつつ結晶成長するため、種結晶５５ａと同様に、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶構造の結晶性を有する領域を含む。即ち、種結晶５５ａ及び酸化物半導体膜５５ｂで構成される酸化物半導体膜５５は、下地絶縁膜５３表面に概略平行なａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶構造の結晶性を有する領域を含む。つまり、酸化物半導体膜５５に含まれる六方晶構造の結晶性を有する領域はｃ軸配向している。なお、図６（Ｂ）では、種結晶５５ａと酸化物半導体膜５５ｂの界面を点線で示し、酸化物半導体膜の積層と説明しているが、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示している。
【００９２】
このときのヒータによる基板の加熱温度は２００℃より大きく４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下とする。２００℃より大きく４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下に基板を加熱しながら成膜をすることによって、成膜と同時に加熱処理がなされるので、良好な結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を成膜することができる。なお、スパッタリング時における被成膜面の温度は、２５０℃以上基板の熱処理上限温度以下とする。
【００９３】
なお、スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、希ガス及び酸素の混合ガスを適宜用いる。また、スパッタリングガスには、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【００９４】
なお、基板支持体４０及びターゲット４１を有する処理室の圧力を０．４Ｐａ以下とすることで、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の表面及び膜中への、アルカリ金属、水素等の不純物の混入を低減することができる。
【００９５】
また、スパッタリング装置の処理室のリークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とすることで、スパッタリング法による成膜途中における結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜への、アルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等の不純物の混入を低減することができる。また、排気系として吸着型の真空ポンプを用いることで、排気系からアルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等の不純物の逆流を低減することができる。
【００９６】
また、ターゲット４１の純度を、９９．９９％以上とすることで、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜に混入するアルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等を低減することができる。また、当該ターゲットを用いることで、酸化物半導体膜５５において、リチウムの濃度を５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、ナトリウムの濃度を５×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、カリウムの濃度を５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とすることができる。
【００９７】
上記の成膜方法では、同一のスパッタリング工程において、ターゲットに含まれる原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化絶縁膜に堆積させ、種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいインジウム等を結晶成長させつつ堆積させるため、複数の工程を経ずとも、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することができる。
【００９８】
上記の酸化物半導体膜５５の成膜方法では、スパッタリング法の成膜によって、種結晶５５ａと酸化物半導体膜５５ｂとを一括で成膜しながら結晶化したが、本実施の形態に係る酸化物半導体膜は必ずしもこのように成膜する必要はない。たとえば、種結晶と酸化物半導体膜の成膜と結晶化をそれぞれ別々に行っても良い。
【００９９】
以下に、図９を用いて、種結晶と酸化物半導体膜の成膜と結晶化をそれぞれ別々に行う方法について説明する。また、以下のように結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を成膜する方法を、本明細書中で２ｓｔｅｐ法とよぶ場合がある。なお、図１の断面ＴＥＭ像に示した、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、当該２ｓｔｅｐ法をもちいて形成したものである。
【０１００】
まず、下地絶縁膜５３上に膜厚１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の酸化物半導体膜を形成する。第１の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法による成膜時の基板温度は２００℃以上４００℃以下とすることが好ましい。その他の成膜条件については、上記の酸化物半導体膜の成膜方法と同様である。
【０１０１】
次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とする。第１の加熱処理によって、第１の酸化物半導体膜を結晶化し、種結晶５６ａを形成する（図９（Ａ）参照）。
【０１０２】
第１の加熱処理の温度にもよるが、第１の加熱処理によって、膜表面から結晶化が起こり、膜の表面から内部に向かって結晶成長し、ｃ軸配向した結晶が得られる。第１の加熱処理によって、亜鉛と酸素が膜表面に多く集まり、上平面が六角形をなす亜鉛と酸素からなるグラフェンタイプの二次元結晶が最表面に１層または複数層形成され、これが膜厚方向に成長して重なり積層となる。加熱処理の温度を上げると表面から内部、そして内部から底部と結晶成長が進行する。
【０１０３】
また、下地絶縁膜５３に加熱により酸素の一部が放出される酸化物絶縁膜をもちいることにより、第１の加熱処理によって、下地絶縁膜５３中の酸素を種結晶５６ａとの界面またはその近傍（界面からプラスマイナス５ｎｍ）に拡散させて、種結晶５６ａの酸素欠陥を低減することができる。
【０１０４】
次いで、種結晶５６ａ上に１０ｎｍよりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成する。第２の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、その成膜時における基板温度は２００℃以上４００℃以下とする。その他の成膜条件については、上記の酸化物半導体膜の成膜方法と同様である。
【０１０５】
次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とする。第２の加熱処理によって、第２の酸化物半導体膜を結晶化し、酸化物半導体膜５６ｂを形成する（図９（Ｂ）参照）。第２の加熱処理は、窒素雰囲気下、酸素雰囲気下、或いは窒素と酸素の混合雰囲気下で行うことにより、酸化物半導体膜５６ｂの高密度化及び欠陥数の減少を図る。第２の加熱処理によって、種結晶５６ａを核として膜厚方向、即ち底部から内部に結晶成長が進行して結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜５６ｂが形成される。このようにして、種結晶５６ａと酸化物半導体膜５６ｂとからなる酸化物半導体膜５６が形成される。図９（Ｂ）では、種結晶５６ａと酸化物半導体膜５６ｂの界面を点線で示し、酸化物半導体積層と説明しているが、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示している。
【０１０６】
また、下地絶縁膜５３の形成から第２の加熱処理までの工程を大気に触れることなく連続的に行うことが好ましい。下地絶縁膜５３の形成から第２の加熱処理までの工程は、水素及び水分をほとんど含まない雰囲気（不活性雰囲気、減圧雰囲気、乾燥空気雰囲気など）下に制御することが好ましく、例えば、水分については露点−４０℃以下、好ましくは露点−５０℃以下の乾燥窒素雰囲気とすることが好ましい。
【０１０７】
上記の成膜方法では、原子量の小さい原子を優先的に酸化絶縁膜に堆積させる成膜方法と比較して、成膜時の基板温度が低くても、良好な結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することができる。なお、上記の２ｓｔｅｐ法を用いて成膜した、酸化物半導体膜５６も、原子量の小さい原子を優先的に酸化絶縁膜に堆積させる成膜方法を用いて成膜した酸化物半導体膜５５と同程度の結晶性を有し、電気伝導度も安定している。よって、どちらの方法で成膜した酸化物半導体膜を用いても、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、以下の工程においては、酸化物半導体膜５５を用いてトランジスタ１２０の作製工程を説明するが、もちろん同様に酸化物半導体膜５６も用いることができる。
【０１０８】
以上の工程により、下地絶縁膜５３上に種結晶５５ａと酸化物半導体膜５５ｂの積層からなる酸化物半導体膜５５を成膜することができる。次に、基板５１に加熱処理を施して、酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜５５と、下地絶縁膜５３と酸化物半導体膜５５の界面近傍と、に拡散させることが好ましい。
【０１０９】
加熱処理温度は、酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を放出させ、さらには酸化物半導体膜５５に拡散させる温度が好ましく、代表的には、１５０℃以上基板５１の歪み点未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下とする。なお、加熱処理温度は、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の成膜温度より高くすることで、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部をより多く放出させることができる。
【０１１０】
加熱処理は、水素及び水分をほとんど含まない、不活性ガス雰囲気、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気などで行うことが好ましい。不活性ガス雰囲気としては、代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガス雰囲気で行うことが好ましい。また、加熱処理の加熱時間は１分以上２４時間以下とする。
【０１１１】
当該加熱処理により、酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜５５と、下地絶縁膜５３と酸化物半導体膜５５の界面近傍と、に拡散させることができる。当該工程により、酸化物半導体膜５５中に含まれる酸素欠陥を低減することができる。この結果、水素濃度及び酸素欠陥が低減された結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することができる。
【０１１２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜５５上にマスクを形成し、当該マスクを用いて酸化物半導体膜５５を選択的にエッチングして、酸化物半導体膜５９を形成する。この後、マスクは除去する。
【０１１３】
酸化物半導体膜５５をエッチングするためのマスクは、フォトリソグラフィ工程、インクジェット法、印刷法等を適宜用いて作製することができる。また、酸化物半導体膜５５のエッチングはウエットエッチングまたはドライエッチングを適宜用いることができる。
【０１１４】
次に、図６（Ｄ）に示すように、酸化物半導体膜５９に接するソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成する。
【０１１５】
ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、ジルコニウムから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた金属元素を単数または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、Ｃｕ−Ｍｇ−Ａｌ合金膜上に銅膜を積層する２層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。
【０１１６】
また、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【０１１７】
ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で導電膜を形成した後、該導電膜上にマスクを形成して導電膜をエッチングして形成する。導電膜上に形成するマスクは印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を適宜用いることができる。また、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、印刷法またはインクジェット法により直接形成することもできる。
【０１１８】
ここでは、酸化物半導体膜５９および下地絶縁膜５３上に導電膜を成膜した後、導電膜を所定の形状にエッチングしてソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成する。
【０１１９】
なお、酸化物半導体膜５５上に導電膜を形成した後、多階調フォトマスクを用いて、酸化物半導体膜５５および導電膜のエッチングを行って、酸化物半導体膜５９、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成しても良い。凹凸状のマスクを形成し、当該マスクを用いて酸化物半導体膜５５および導電膜をエッチングした後、アッシングにより凹凸状のマスクを分離し、当該分離されたマスクにより導電膜を選択的にエッチングすることで、酸化物半導体膜５９、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成することができる。当該工程により、フォトマスク数およびフォトリソグラフィ工程数を削減することができる。
【０１２０】
次に、酸化物半導体膜５９およびソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂ上にゲート絶縁膜６３を形成する。
【０１２１】
ゲート絶縁膜６３は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または酸化ガリウムを単層でまたは積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁膜６３は、酸化物半導体膜５９と接する部分が酸素を含むことが好ましく、特に好ましくは下地絶縁膜５３と同様に加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いて形成する。酸素を放出する酸化物絶縁膜として酸化シリコン膜を用いることで、後の工程で加熱処理を行う際に酸化物半導体膜５９に酸素を拡散させることができ、トランジスタ１２０の特性を良好にすることができる。
【０１２２】
また、ゲート絶縁膜６３として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでゲートリークを低減できる。さらには、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、および酸化ガリウムのいずれか一以上との積層構造とすることができる。ゲート絶縁膜６３の厚さは、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とするとよい。ゲート絶縁膜６３の厚さを５ｎｍ以上とすることで、ゲートリーク電流を低減することができる。
【０１２３】
なお、ゲート絶縁膜６３を形成する前に、酸化物半導体膜５９の表面を、酸素、オゾン、一酸化二窒素等の酸化性ガスのプラズマに曝し、酸化物半導体膜５９の表面を酸化し、酸素欠損を低減してもよい。
【０１２４】
次に、ゲート絶縁膜６３上であって、酸化物半導体膜５９と重畳する領域にゲート電極６５を形成する。
【０１２５】
ゲート電極６５は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、ジルコニウムから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた金属元素を単数または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極６５は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。
【０１２６】
また、ゲート電極６５は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物をターゲットとし、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより得られる化合物導電体を用いても良い。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【０１２７】
さらに、ゲート電極６５上に保護膜として絶縁膜６９を形成してもよい（図６（Ｅ）参照。）。また、ゲート絶縁膜６３および絶縁膜６９にコンタクトホールを形成した後、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂに接続する配線を形成してもよい。
【０１２８】
絶縁膜６９は、ゲート絶縁膜６３と同様の絶縁膜を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜６９としてスパッタリング法で得られる窒化シリコン膜を形成すると、外部からの水分やアルカリ金属の侵入を防止することが可能であり、酸化物半導体膜５９の不純物の含有量を低減することができる。
【０１２９】
なお、ゲート絶縁膜６３の形成の後、または絶縁膜６９の形成の後、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理によって、酸化物半導体膜５９から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３、ゲート絶縁膜６３または絶縁膜６９に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜５９と、下地絶縁膜５３と酸化物半導体膜５９の界面近傍と、ゲート絶縁膜６３と酸化物半導体膜５９の界面近傍と、に拡散させることができる。当該工程により、酸化物半導体膜５９中に含まれる酸素欠陥を低減することができると共に、酸化物半導体膜５９と下地絶縁膜５３、または酸化物半導体膜５９とゲート絶縁膜６３の界面における欠陥を低減することができる。この結果、水素濃度及び酸素欠陥が低減された酸化物半導体膜５９を形成することができる。このように高純度化され、ｉ型（真性半導体）またはｉ型に限りなく近い酸化物半導体膜を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実現することができる。
【０１３０】
以上の工程により、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタ１２０を作製することができる。図６（Ｅ）に示すように、トランジスタ１２０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、酸化物半導体膜５９上に設けられたゲート絶縁膜６３と、酸化物半導体膜５９と重畳してゲート絶縁膜６３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられた絶縁膜６９とを有する。
【０１３１】
トランジスタ１２０に用いられている結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０１３２】
また、本発明に係る半導体装置は、図６に示すトランジスタ１２０に限られるものではない。例えば、図１０（Ａ）に示すトランジスタ１３０のような構造としても良い。トランジスタ１３０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの上面および側面と接するように設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９上に設けられたゲート絶縁膜６３と、酸化物半導体膜５９と重畳してゲート絶縁膜６３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられた絶縁膜６９とを有する。つまり、トランジスタ１３０は、酸化物半導体膜５９がソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの上面および側面と接するように設けられている点において、トランジスタ１２０と異なる。
【０１３３】
また、図１０（Ｂ）に示すトランジスタ１４０のような構造としても良い。トランジスタ１４０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられたゲート絶縁膜６３と、ゲート絶縁膜６３上に設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、酸化物半導体膜５９上に設けられた絶縁膜６９とを有する。つまり、トランジスタ１４０は、ゲート電極６５とゲート絶縁膜６３が酸化物半導体膜５９の下に設けられた、ボトムゲート構造である点において、トランジスタ１２０と異なる。
【０１３４】
また、図１０（Ｃ）に示すトランジスタ１５０のような構造としても良い。トランジスタ１５０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられたゲート絶縁膜６３と、ゲート絶縁膜６３上に設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの上面および側面と接するように設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９上に設けられた絶縁膜６９とを有する。つまり、トランジスタ１５０は、ゲート電極６５とゲート絶縁膜６３が酸化物半導体膜５９の下に設けられた、ボトムゲート構造である点において、トランジスタ１３０と異なる。
【０１３５】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、先の実施の形態に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を用いたトランジスタとは異なる構造のトランジスタについて図１１および図１２を用いて説明する。
【０１３７】
図１１（Ａ）に示すトップゲート構造のトランジスタ１６０は、基板３５１上に設けられた下地絶縁膜３５３と、下地絶縁膜３５３上に設けられた金属酸化物膜３７１と、金属酸化物膜３７１上に設けられた酸化物半導体膜３５９と、酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂと、酸化物半導体膜３５９上に設けられた金属酸化物膜３７３と、金属酸化物膜３７３上に設けられたゲート絶縁膜３６３と、酸化物半導体膜３５９と重畳してゲート絶縁膜３６３上に設けられたゲート電極３６５と、ゲート電極３６５上に設けられた絶縁膜３６９とを有する。
【０１３８】
つまり、トランジスタ１６０は、下地絶縁膜３５３と酸化物半導体膜３５９との間に金属酸化物膜３７１が設けられ、酸化物半導体膜３５９とゲート絶縁膜３６３との間に金属酸化物膜３７３が設けられている点において、先の実施の形態に示すトランジスタ１２０と異なる。なお、トランジスタ１６０の他の構成については先の実施の形態に示すトランジスタ１２０と同様である。つまり、基板３５１の詳細については基板５１の記載を、下地絶縁膜３５３の詳細については下地絶縁膜５３の記載を、酸化物半導体膜３５９の詳細については酸化物半導体膜５９の記載を、ソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂの詳細についてはソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの記載を、ゲート絶縁膜３６３の詳細についてはゲート絶縁膜６３の記載を、ゲート電極３６５の詳細についてはゲート電極６５の記載を参酌することができる。
【０１３９】
金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３には、酸化物半導体膜３５９と同種の成分でなる金属酸化物を用いるのが望ましい。ここで、「酸化物半導体膜と同種の成分」とは、酸化物半導体膜の構成金属原子から選択される一または複数の原子を含むことを意味する。特に、当該酸化物半導体膜３５９の結晶性を有する領域の結晶構造と同様の結晶構造を取りうる構成原子とすることが好ましい。このように、酸化物半導体膜３５９と同種の成分でなる金属酸化物を用いて金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３を形成し、酸化物半導体膜３５９と同様に結晶性を有する領域を含むようにすることが好ましい。当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなることが好ましい。つまり、当該結晶性を有する領域は、ｃ軸配向していることが好ましい。また、当該結晶性を有する領域を膜表面に垂直な方向から観察すると、六角形の格子状に原子が配列される構造となることが好ましい。
【０１４０】
以上のような結晶性を有する領域を含む金属酸化物膜３７１を設けることによって、金属酸化物膜３７１と酸化物半導体膜３５９との界面およびその近傍に、ｃ軸の配向が連続した結晶性を有する領域が形成されうる。これにより、金属酸化物膜３７１と酸化物半導体膜３５９との界面およびその近傍において、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されうる。また、金属酸化物膜３７３と酸化物半導体膜３５９との界面およびその近傍についても同様に、ｃ軸の配向が連続した結晶性を有する領域が形成されうる。
【０１４１】
上述のように、これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、キャリアの供給源のように機能するため、酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、酸化物半導体膜３５９は、金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３との界面とその近傍においてもこれらが低減されている。故に酸化物半導体膜３５９は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜３５９、金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０１４２】
金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３としては、例えば、酸化物半導体膜３５９にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物を用いる場合には、酸化ガリウムを含む金属酸化物、特に、酸化ガリウムに酸化亜鉛を添加したＧａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物などを用いて形成すればよい。Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物は、酸化ガリウムに対する酸化亜鉛の物質量が５０％未満となるようにし、より好ましくは２５％未満となるようにする。なお、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物とＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物を接触させた場合のエネルギー障壁は、伝導帯側で約０．５ｅＶとし、価電子帯側で約０．７ｅＶとすることができる。
【０１４３】
なお、酸化物半導体膜３５９を活性層として用いる関係上、金属酸化物膜３７１や金属酸化物膜３７３のエネルギーギャップは、酸化物半導体膜３５９のエネルギーギャップより大きいことが求められる。また、金属酸化物膜３７１と酸化物半導体膜３５９の間、または、金属酸化物膜３７３と酸化物半導体膜３５９の間には、少なくとも室温（２０℃）において、酸化物半導体膜３５９からキャリアが流出しない程度のエネルギー障壁の形成が求められる。例えば、金属酸化物膜３７１や金属酸化物膜３７３の伝導帯の下端と、酸化物半導体膜３５９の伝導帯の下端とのエネルギー差、あるいは、金属酸化物膜３７１や金属酸化物膜３７３の価電子帯の上端と、酸化物半導体膜３５９の価電子帯の上端とのエネルギー差は０．５ｅＶ以上であるのが望ましく、０．７ｅＶ以上であるとより望ましい。また、１．５ｅＶ以下であると望ましい。
【０１４４】
また、金属酸化物膜３７１のエネルギーギャップは下地絶縁膜３５３のエネルギーギャップより小さく、金属酸化物膜３７３のエネルギーギャップはゲート絶縁膜３６３のエネルギーギャップより小さいことが好ましい。
【０１４５】
ここで、図１２に、トランジスタ１６０、すなわち、ゲート電極３６５側からゲート絶縁膜３６３、金属酸化物膜３７３、酸化物半導体膜３５９、金属酸化物膜３７１および下地絶縁膜３５３を接合した構造、におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図１２は、ゲート電極３６５側からゲート絶縁膜３６３、金属酸化物膜３７３、酸化物半導体膜３５９、金属酸化物膜３７１および下地絶縁膜３５３のいずれもが真性であるという理想的な状況を仮定し、ゲート絶縁膜３６３、下地絶縁膜３５３として酸化シリコン（バンドギャップＥｇ８ｅＶ〜９ｅＶ）を、金属酸化物膜としてＧａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物（バンドギャップＥｇ４．４ｅＶ）を、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物（バンドギャップＥｇ３．２ｅＶ）を用いた場合について示している。なお、酸化シリコンの真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は０．９５ｅＶであり、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物の真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は４．１ｅＶであり、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物の真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は４．６ｅＶである。
【０１４６】
図１２に示すように、酸化物半導体膜３５９のゲート電極側（チャネル側）には、酸化物半導体膜３５９と金属酸化物膜３７３との界面に約０．５ｅＶおよび約０．７ｅＶのエネルギー障壁が存在する。同様に、酸化物半導体膜３５９のバックチャネル側（ゲート電極とは反対側）にも、酸化物半導体膜３５９と金属酸化物膜３７１との界面に約０．５ｅＶおよび約０．７ｅＶのエネルギー障壁が存在する。酸化物半導体と金属酸化物との界面において、このようなエネルギー障壁が存在することにより、その界面においてキャリアの移動は妨げられるため、キャリアは酸化物半導体膜３５９から金属酸化物膜３７１または金属酸化物膜３７３に移動することなく、酸化物半導体中を移動する。つまり、酸化物半導体膜３５９を、酸化物半導体よりもバンドギャップが段階的に大きくなる材料（ここでは、金属酸化物膜と絶縁膜）で挟むように設けることにより、キャリアは酸化物半導体膜中を移動する。
【０１４７】
金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３の作製方法に特に限定はない。例えば、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などの成膜方法を用いて金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３を作製することができる。なお、水素や水などが混入しにくいという点では、スパッタリング法などが適当である。一方で、膜の品質を高めるという点では、プラズマＣＶＤ法などが適当である。また、金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３として、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を用いる場合、亜鉛を用いることにより当該金属酸化物の導電率が向上しているので、ＤＣスパッタリング法を用いて作製することができる。
【０１４８】
また、本発明に係る半導体装置は、図１１（Ａ）に示すトランジスタ１６０に限られるものではない。例えば、図１１（Ｂ）に示すトランジスタ１７０のような構造としても良い。トランジスタ１７０は、基板３５１上に設けられた下地絶縁膜３５３と、下地絶縁膜３５３上に設けられた金属酸化物膜３７１と、金属酸化物膜３７１上に設けられた酸化物半導体膜３５９と、酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂと、酸化物半導体膜３５９上に設けられたゲート絶縁膜３６３と、酸化物半導体膜３５９と重畳してゲート絶縁膜３６３上に設けられたゲート電極３６５と、ゲート電極３６５上に設けられた絶縁膜３６９とを有する。つまり、トランジスタ１７０は、酸化物半導体膜３５９とゲート絶縁膜３６３との間に金属酸化物膜３７３が設けられていない点において、トランジスタ１６０と異なる。
【０１４９】
また、図１１（Ｃ）に示すトランジスタ１８０のような構造としても良い。トランジスタ１８０は、基板３５１上に設けられた下地絶縁膜３５３と、下地絶縁膜３５３上に設けられた酸化物半導体膜３５９と、酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂと、酸化物半導体膜３５９上に設けられた金属酸化物膜３７３と、金属酸化物膜３７３上に設けられたゲート絶縁膜３６３と、酸化物半導体膜３５９と重畳してゲート絶縁膜３６３上に設けられたゲート電極３６５と、ゲート電極３６５上に設けられた絶縁膜３６９とを有する。つまり、トランジスタ１８０は、下地絶縁膜３５３と酸化物半導体膜３５９との間に金属酸化物膜３７１が設けられていない点において、トランジスタ１６０と異なる。
【０１５０】
また、本実施の形態において、図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）で示したトランジスタは、トップゲート構造とし、かつソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂが酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するような構造としたが、本発明に係る半導体装置はこれに限られるものではない。先の実施の形態において、図１０（Ａ）乃至図１０（Ｃ）で示したトランジスタと同様に、ボトムゲート構造としてもよいし、または酸化物半導体膜３５９がソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂの上面および側面と接するように設けられる構造としてもよい。
【０１５１】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置するトランジスタを作製する例について以下に説明する。
【０１５３】
画素部に配置するトランジスタは、実施の形態２または３に従って形成する。また、当該トランジスタはｎチャネル型とすることが容易なので、駆動回路のうち、ｎチャネル型トランジスタで構成することができる駆動回路の一部を画素部のトランジスタと同一基板上に形成する。このように、画素部や駆動回路に先の実施の形態に示すトランジスタを用いることにより、信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【０１５４】
アクティブマトリクス型表示装置のブロック図の一例を図２９（Ａ）に示す。表示装置の基板５００上には、画素部５０１、第１の走査線駆動回路５０２、第２の走査線駆動回路５０３、信号線駆動回路５０４を有する。画素部５０１には、複数の信号線が信号線駆動回路５０４から延伸して配置され、複数の走査線が第１の走査線駆動回路５０２、及び走査線駆動回路５０３から延伸して配置されている。なお走査線と信号線との交差領域には、各々、表示素子を有する画素がマトリクス状に設けられている。また、表示装置の基板５００はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の接続部を介して、タイミング制御回路（コントローラ、制御ＩＣともいう）に接続されている。
【０１５５】
図２９（Ａ）では、第１の走査線駆動回路５０２、第２の走査線駆動回路５０３、信号線駆動回路５０４は、画素部５０１と同じ基板５００上に形成される。そのため、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、コストの低減を図ることができる。また、基板５００外部に駆動回路を設けた場合、配線を延伸させる必要が生じ、配線間の接続数が増える。同じ基板５００上に駆動回路を設けた場合、その配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、又は歩留まりの向上を図ることができる。
【０１５６】
また、画素部の回路構成の一例を図２９（Ｂ）に示す。ここでは、ＶＡ型液晶表示パネルの画素構造を示す。
【０１５７】
この画素構造は、一つの画素に複数の画素電極層が有り、それぞれの画素電極層にトランジスタが接続されている。各トランジスタは、異なるゲート信号で駆動されるように構成されている。すなわち、マルチドメイン設計された画素において、個々の画素電極層に印加する信号を、独立して制御する構成を有している。
【０１５８】
トランジスタ５１６のゲート配線５１２と、トランジスタ５１７のゲート配線５１３には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ線として機能するソース電極層又はドレイン電極層５１４は、トランジスタ５１６とトランジスタ５１７で共通に用いられている。トランジスタ５１６とトランジスタ５１７は先の実施の形態に示すトランジスタを適宜用いることができる。これにより、信頼性の高い液晶表示パネルを提供することができる。
【０１５９】
トランジスタ５１６と電気的に接続する第１の画素電極層と、トランジスタ５１７と電気的に接続する第２の画素電極層の形状は異なっており、スリットによって分離されている。Ｖ字型に広がる第１の画素電極層の外側を囲むように第２の画素電極層が形成されている。第１の画素電極層と第２の画素電極層に印加する電圧のタイミングを、トランジスタ５１６及びトランジスタ５１７により異ならせることで、液晶の配向を制御している。トランジスタ５１６はゲート配線５１２と接続し、トランジスタ５１７はゲート配線５１３と接続している。ゲート配線５１２とゲート配線５１３は異なるゲート信号を与えることで、トランジスタ５１６とトランジスタ５１７の動作タイミングを異ならせることができる。
【０１６０】
また、容量配線５１０と、誘電体として機能するゲート絶縁膜と、第１の画素電極層または第２の画素電極層と電気的に接続する容量電極とで保持容量を形成する。
【０１６１】
第１の画素電極層と液晶層と対向電極層が重なり合うことで、第１の液晶素子５１８が形成されている。また、第２の画素電極層と液晶層と対向電極層が重なり合うことで、第２の液晶素子５１９が形成されている。また、一画素に第１の液晶素子５１８と第２の液晶素子５１９が設けられたマルチドメイン構造である。
【０１６２】
なお、図２９（Ｂ）に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図２９（Ｂ）に示す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ、センサ、又は論理回路などを追加してもよい。
【０１６３】
また、画素部の回路構成の一例を図２９（Ｃ）に示す。ここでは、有機ＥＬ素子を用いた表示パネルの画素構造を示す。
【０１６４】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０１６５】
図２９（Ｃ）は、半導体装置の例としてデジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す図である。
【０１６６】
デジタル時間階調駆動を適用可能な画素の構成及び画素の動作について説明する。ここでは酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるｎチャネル型のトランジスタを１つの画素に２つ用いる例を示す。
【０１６７】
画素５２０は、スイッチング用トランジスタ５２１、駆動用トランジスタ５２２、発光素子５２４及び容量素子５２３を有している。スイッチング用トランジスタ５２１は、ゲート電極層が走査線５２６に接続され、第１電極（ソース電極層及びドレイン電極層の一方）が信号線５２５に接続され、第２電極（ソース電極層及びドレイン電極層の他方）が駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層に接続されている。駆動用トランジスタ５２２は、ゲート電極層が容量素子５２３を介して電源線５２７に接続され、第１電極が電源線５２７に接続され、第２電極が発光素子５２４の第１電極（画素電極）に接続されている。発光素子５２４の第２電極は共通電極５２８に相当する。共通電極５２８は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
【０１６８】
スイッチング用トランジスタ５２１および駆動用トランジスタ５２２は先の実施の形態に示すトランジスタを適宜用いることができる。これにより、信頼性の高い有機ＥＬ素子を用いた表示パネルを提供することができる。
【０１６９】
なお、発光素子５２４の第２電極（共通電極５２８）には低電源電位が設定されている。なお、低電源電位とは、電源線５２７に設定される高電源電位を基準にして低電源電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖなどが設定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子５２４に印加して、発光素子５２４に電流を流して発光素子５２４を発光させるため、高電源電位と低電源電位との電位差が発光素子５２４の順方向しきい値電圧以上となるようにそれぞれの電位を設定する。
【０１７０】
なお、容量素子５２３は駆動用トランジスタ５２２のゲート容量を代用して省略することも可能である。駆動用トランジスタ５２２のゲート容量については、チャネル形成領域とゲート電極層との間で容量が形成されていてもよい。
【０１７１】
ここで、電圧入力電圧駆動方式の場合には、駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層には、駆動用トランジスタ５２２が十分にオンするか、オフするかの二つの状態となるようなビデオ信号を入力する。つまり、駆動用トランジスタ５２２は線形領域で動作させる。駆動用トランジスタ５２２は線形領域で動作させるため、電源線５２７の電圧よりも高い電圧を駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層にかける。なお、信号線５２５には、（電源線電圧＋駆動用トランジスタ５２２のＶｔｈ）以上の電圧をかける。
【０１７２】
また、デジタル時間階調駆動に代えて、アナログ階調駆動を行う場合、信号の入力を異ならせることで、図２９（Ｃ）と同じ画素構成を用いることができる。
【０１７３】
アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層に発光素子５２４の順方向電圧＋駆動用トランジスタ５２２のＶｔｈ以上の電圧をかける。発光素子５２４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なくとも順方向しきい値電圧を含む。なお、駆動用トランジスタ５２２が飽和領域で動作するようなビデオ信号を入力することで、発光素子５２４に電流を流すことができる。駆動用トランジスタ５２２を飽和領域で動作させるため、電源線５２７の電位は、駆動用トランジスタ５２２のゲート電位よりも高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子５２４にビデオ信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
【０１７４】
なお、図２９（Ｃ）に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図２９（Ｃ）に示す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサ、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。
【０１７５】
（実施の形態５）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
【０１７６】
図３０（Ａ）は、携帯型の情報端末であり、本体１００１、筐体１００２、表示部１００３ａ、１００３ｂなどによって構成されている。表示部１００３ｂはタッチパネルとなっており、表示部１００３ｂに表示されるキーボードボタン１００４を触れることで画面操作や、文字入力を行うことができる。勿論、表示部１００３ａをタッチパネルとして構成してもよい。先の実施の形態で示したトランジスタをスイッチング素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部１００３ａ、１００３ｂに適用することにより、信頼性の高い携帯型の情報端末とすることができる。
【０１７７】
図３０（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。
【０１７８】
また、図３０（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０１７９】
図３０（Ｂ）は、携帯音楽プレイヤーであり、本体１０２１には表示部１０２３と、耳に装着するための固定部１０２２と、スピーカ、操作ボタン１０２４、外部メモリスロット１０２５等が設けられている。先の実施の形態で示したトランジスタをスイッチング素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部１０２３に適用することにより、より信頼性の高い携帯音楽プレイヤーとすることができる。
【０１８０】
さらに、図３０（Ｂ）に示す携帯音楽プレイヤーにアンテナやマイク機能や無線機能を持たせ、携帯電話と連携させれば、乗用車などを運転しながらワイヤレスによるハンズフリーでの会話も可能である。
【０１８１】
図３０（Ｃ）は、携帯電話であり、筐体１０３０及び筐体１０３１の二つの筐体で構成されている。筐体１０３１には、表示パネル１０３２、スピーカー１０３３、マイクロフォン１０３４、ポインティングデバイス１０３６、カメラ用レンズ１０３７、外部接続端子１０３８などを備えている。また、筐体１０３０には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル１０４０、外部メモリスロット１０４１などを備えている。また、アンテナは筐体１０３１内部に内蔵されている。先の実施の形態で示したトランジスタを表示パネル１０３２に適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
【０１８２】
また、表示パネル１０３２はタッチパネルを備えており、図３０（Ｃ）には映像表示されている複数の操作キー１０３５を点線で示している。なお、太陽電池セル１０４０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０１８３】
例えば、昇圧回路などの電源回路に用いられるパワートランジスタも先の実施の形態に示したトランジスタの酸化物半導体膜の膜厚を２μｍ以上５０μｍ以下とすることで形成することができる。
【０１８４】
表示パネル１０３２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル１０３２と同一面上にカメラ用レンズ１０３７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー１０３３及びマイクロフォン１０３４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体１０３０と筐体１０３１は、スライドし、図３０（Ｃ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０１８５】
外部接続端子１０３８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット１０４１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０１８６】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０１８７】
図３０（Ｄ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置１０５０は、筐体１０５１に表示部１０５３が組み込まれている。表示部１０５３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、ＣＰＵを内蔵したスタンド１０５５により筐体１０５１を支持した構成を示している。先の実施の形態で示したトランジスタを表示部１０５３に適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置１０５０とすることができる。
【０１８８】
テレビジョン装置１０５０の操作は、筐体１０５１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０１８９】
なお、テレビジョン装置１０５０は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１９０】
また、テレビジョン装置１０５０は、外部接続端子１０５４や、記憶媒体再生録画部１０５２、外部メモリスロットを備えている。外部接続端子１０５４は、ＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、パーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。記憶媒体再生録画部１０５２では、ディスク状の記録媒体を挿入し、記録媒体に記憶されているデータの読み出し、記録媒体への書き込みが可能である。また、外部メモリスロットに差し込まれた外部メモリ１０５６にデータ保存されている画像や映像などを表示部１０５３に映し出すことも可能である。
【０１９１】
また、先の実施の形態で示した半導体装置を外部メモリ１０５６やＣＰＵに適用することにより、消費電力が十分に低減された信頼性の高いテレビジョン装置１０５０とすることができる。
【実施例】
【０１９２】
本実施例においては、各種測定方法を用い、本発明に係る酸化物半導体膜または当該酸化物半導体膜を用いた半導体装置について測定を行った結果について説明する。
【０１９３】
＜１．ＴＥＭを用いたＴＥＭ像の観察と電子線回折強度の測定、およびＸＲＤ測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて観察した結果について説明する。
【０１９４】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜し、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤおよびサンプルＥを作製した。サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤおよびサンプルＥの成膜時の基板温度は、それぞれ室温、２００℃、２５０℃、３００℃および４００℃とした。つまり、サンプルＡおよびサンプルＢは実施の形態２に示す成膜方法より成膜時の基板温度を低くし、サンプルＣ乃至サンプルＥは実施の形態２に示す成膜方法に記載された範囲の基板温度とした。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷとした。なお、サンプルＡ、サンプルＢおよびサンプルＥは膜厚５０ｎｍを狙って成膜し、サンプルＣおよびサンプルＤは膜厚１００ｎｍを狙って成膜した。
【０１９５】
さらに酸化物半導体膜の成膜後、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下において、加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で行った。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤおよびサンプルＥを作製した。
【０１９６】
また、サンプルＡ乃至サンプルＥとは異なり、実施の形態２に示す２ｓｔｅｐ法を用いて酸化物半導体膜を成膜したサンプルＦを作製した。サンプルＦは、まず膜厚５ｎｍの第１の酸化物半導体膜を成膜し、第１の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜上に膜厚３０ｎｍの第２の酸化物半導体膜を成膜し、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜に第２の加熱処理を行って作製した。
【０１９７】
ここで、第１の酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷとした。また、第１の加熱処理の条件は、窒素雰囲気下、加熱温度６５０℃、加熱時間１時間とした。
【０１９８】
また、第２の酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷとした。また、第２の加熱処理の条件は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下で、加熱温度６５０℃、加熱時間１時間とした。
【０１９９】
このようにして、２ｓｔｅｐ法を用いて酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＦを作製した。
【０２００】
また、サンプルＡ乃至サンプルＦの比較対象として、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基板上にＩＧＺＯの単結晶膜を膜厚１５０ｎｍで成膜した、サンプルＧを作製した。
【０２０１】
以上のサンプルＡ乃至サンプルＧについて、ＴＥＭを用いて酸化物半導体膜が成膜された基板に対して垂直に、つまり、先の実施の形態におけるｃ軸方向に平行に電子線を照射してＴＥＭ像および電子線回折パターンの撮影を行った。図１３（Ａ）乃至図１３（Ｅ）にサンプルＡ乃至サンプルＥの断面ＴＥＭ像を、それぞれ示す。ここで、図１３に示す断面ＴＥＭ像は、紙面の上側がサンプルの表面方向となるので、紙面の縦方向がｃ軸方向となる。また、図１４（Ａ）乃至図１４（Ｅ）にサンプルＡ乃至サンプルＥの平面ＴＥＭ像を、それぞれ示す。ここで、図１４に示す平面ＴＥＭ像は、紙面の表側がサンプルの表面方向となるので、紙面の垂直な方向がｃ軸方向となる。また、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）にサンプルＡ乃至サンプルＥの電子線回折パターンを、それぞれ示す。ここで、図１５に示す電子線回折パターンは、紙面の表側がサンプルの表面方向となるので、紙面の垂直な方向がｃ軸方向となる。また、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）にサンプルＦおよびサンプルＧの平面ＴＥＭ像を、それぞれ示す。図１６（Ｃ）にサンプルＦの電子線回折パターンを示す。図１６（Ｄ）および図１６（Ｅ）にサンプルＧの電子線回折パターンを示す。ここで、図１６に示す平面ＴＥＭ像および電子線回折パターンは、紙面の表側がサンプルの表面方向となるので、紙面の垂直な方向がｃ軸方向となる。
【０２０２】
なお、本項目において、断面ＴＥＭ像、平面ＴＥＭ像および電子線回折パターンは、株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｈ−９０００ＮＡＲを用い、電子ビームのスポット径を１ｎｍとし、加速電圧を３００ｋＶとして撮影した。
【０２０３】
図１３（Ｃ）乃至図１３（Ｅ）に示す断面ＴＥＭ像では、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が観察されたが、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示す断面ＴＥＭ像おいては、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が明瞭には観察されなかった。よって、酸化物半導体膜の成膜時基板温度を２００℃より大きく、好ましくは２５０℃以上にすることで、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が酸化物半導体膜中に形成されることが分かる。また、図１３（Ｃ）乃至図１３（Ｅ）の順番にｃ軸が配向した結晶性を有する領域が明瞭に見られるので、酸化物半導体膜の成膜時基板温度が高くなるほど、酸化物半導体膜の結晶性が高くなることが推測される。
【０２０４】
図１４（Ｅ）に示す平面ＴＥＭ像では、六角形の格子状に配置された原子が観察された。また、図１４（Ｃ）および図１４（Ｄ）に示す平面ＴＥＭ像においても、六角形の格子状に配置された原子が淡く観察された。図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示す平面ＴＥＭ像においては、六角形の格子状に配置された原子が明瞭には観察されなかった。また、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示す平面ＴＥＭ像でも、六角形の格子状に配置された原子が観察された。このことから、酸化物半導体膜のｃ軸が配向した結晶性を有する領域は、図２に示すような、三回対称性を有する六方晶構造を取りやすいことが推測される。また、２ｓｔｅｐ法を用いて作製されたサンプルＦもサンプルＣ乃至サンプルＥと同様に結晶性を有する領域が酸化物半導体膜中に形成されていることが分かった。また、図１３の断面ＴＥＭ像の観察結果と同様に、酸化物半導体膜の成膜時基板温度が高くなるほど、酸化物半導体膜の結晶性が高くなることが推測される。以上の図１３および図１４の観察から、サンプルＡおよびサンプルＢはほとんど結晶性を持たないアモルファス構造の酸化物半導体膜であり、サンプルＣ乃至サンプルＦはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であることが分かる。
【０２０５】
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）に示す電子線回折パターンは、回折パターンの幅が広くぼやけている同心円状のハローパターンとなっており、内側のハローパターンより外側のハローパターンの方が電子線回折強度が弱くなっている。さらに、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）の順番に外側のハローパターンの電子線回折強度が強くなっている傾向が観測される。また、図１６（Ｃ）に示す電子線回折パターンも同心円状のハローパターンとなるが、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）と比較すると、ハローパターンの幅が細く、内側のハローパターンと外側のハローパターンの電子線回折強度がほぼ同等になっている。
【０２０６】
また、図１６（Ｄ）に示す電子線回折パターンは、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）および図１６（Ｃ）とは異なり、スポット状の電子線回折パターンが現れる。図１６（Ｄ）に示す電子線回折パターンに画像処理を行い、同心円状のパターンにしたものが図１６（Ｅ）であるが、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）および図１６（Ｃ）とは異なり、同心円のパターンの幅が狭いのでハロー状にはならない。また、内側の同心円状のパターンより外側の同心円状のパターンの方が電子線回折強度が強くなっている点においても、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）および図１６（Ｃ）に示す電子線回折パターンとは異なる。
【０２０７】
図１７にサンプルＡ乃至サンプルＧの電子線回折強度のグラフを示す。図１７に示すグラフは、縦軸に電子線回折強度（任意単位）をとり、横軸にサンプルの散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ［１／ｎｍ］）をとる。なお、散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ［１／ｎｍ］）のｄは結晶中においては結晶の面間隔に相当する。ここで散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ）は、電子線回折パターンのフィルムにおける、中心の透過波の斑点から回折波の同心円状のパターンまでの距離ｒと、ＴＥＭにおけるサンプルとフィルム間の距離であるカメラ長Ｌと、ＴＥＭで照射した電子線の波長λを用いて以下の式で表すことができる。
【０２０８】
【数１】
【０２０９】
つまり、図１７の横軸に示す散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ）は、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）、図１６（Ｃ）および図１６（Ｅ）に示す電子線回折パターンにおける、中心の透過波の斑点から回折波の同心円状のパターンまでの距離ｒに比例する量である。
【０２１０】
つまり、図１７に示すグラフにおいて、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）、図１６（Ｃ）および図１６（Ｅ）に示す電子線回折パターンにおける内側のハローパターンに対応するピークは、３．３ｎｍ−１≦１／ｄ≦４．１ｎｍ−１における第１ピークであり、外側のハローパターンに対応するピークは、５．５ｎｍ−１≦１／ｄ≦７．１ｎｍ−１における第２ピークである。
【０２１１】
図１８および図１９にサンプルＡ乃至サンプルＧの第１ピークおよび第２ピークの半値全幅のグラフを示す。図１８に示すグラフは、縦軸に第１ピークの半値全幅ＦＷＨＭ（ｎｍ−１）をとり、横軸にサンプルＡ乃至サンプルＥの成膜時基板温度（℃）をとっている。また、図１８のグラフ中の点線はそれぞれ、サンプルＦおよびサンプルＧの第１ピークの半値全幅の値を示している。図１９に示すグラフも、図１８と同様に第２ピークの半値全幅を表している。また、図１８および図１９に示す第１ピークおよび第２ピークのピーク位置（ｎｍ−１）と半値全幅（ｎｍ−１）をまとめた表を表１に示す。
【０２１２】
【表１】
【０２１３】
図１８および図１９より、第１ピーク、第２ピーク共に、酸化物半導体膜の成膜時基板温度が高くなるにつれて、ピークの半値全幅が小さくなり、ピーク位置が小さくなる傾向が示された。また、第１ピーク、第２ピーク共に、成膜時基板温度が３００℃から４００℃にかけてはピークの半値全幅が大きく変わらないことが示された。さらに、第１ピーク、第２ピーク共に、２ｓｔｅｐ法を用いて形成されたサンプルＦの半値全幅およびピーク位置は、サンプルＡ乃至サンプルＥの半値全幅およびピーク位置より小さく、単結晶であるサンプルＧの半値全幅およびピーク位置より大きかった。
【０２１４】
ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、単結晶構造であるサンプルＧとは結晶性が異なるので、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、第１ピークおよび第２ピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上であり、好ましくは第１ピークの半値全幅が０．４ｎｍ−１以上、第２ピークの半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上であると言える。
【０２１５】
さらに、図１３および図１４から、サンプルＡおよびサンプルＢ、つまり成膜時基板温度が２００℃以下の酸化物半導体膜は明瞭な結晶性が見られなかったことを考慮すると、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、第１ピークの半値全幅が０．７ｎｍ−１以下、第２ピークの半値全幅が１．４ｎｍ−１以下であることが好ましいと言える。
【０２１６】
また、サンプルＡ、サンプルＥおよびサンプルＧについてさらにＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定を行い、上記のＴＥＭによる測定結果を補強する測定結果が得られた。
【０２１７】
図２０にサンプルＡおよびサンプルＥについて、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。図２０は、縦軸にｘ線回折強度（任意単位）をとり、横軸に回転角２θ（ｄｅｇ．）をとる。
【０２１８】
図２０より、サンプルＥでは２θ＝３０°近傍に強いピークが見られるのに対して、サンプルＡでは２θ＝３０°近傍にほとんどピークが見られないことが分かる。当該ピークはＩＧＺＯ結晶の（００９）面における回折に起因するものである。このことからも、サンプルＥはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であり、アモルファス構造であるサンプルＡとは明確に異なることが分かる。
【０２１９】
また、図２１（Ａ）にサンプルＥについてｉｎ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。同様に図２１（Ｂ）にサンプルＧについてｉｎ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）は、縦軸にｘ線回折強度（任意単位）をとり、横軸に回転角φ（ｄｅｇ．）をとる。なお、本実施例で用いたｉｎ−ｐｌａｎｅ法においては、サンプルのｃ軸方向を回転の軸としてサンプルを回転角φで回転させながらＸＲＤ測定を行った。
【０２２０】
図２１（Ｂ）に示すサンプルＧのＸＲＤスペクトルは、ちょうど回転角６０°ごとに等間隔のピークが現れており、サンプルＧが６回対称性を有する単結晶膜であることを示している。それに対して、図２１（Ａ）に示すサンプルＥのＸＲＤスペクトルは規則正しいピークを持っておらず、結晶性を有する領域のａ−ｂ面方向の配向は見られないことが分かる。すなわち、サンプルＥは、個々の結晶性を有する領域において、ｃ軸に対して結晶化しているが、ａ−ｂ面に対しては必ずしも配列していない。このことからも、サンプルＥはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であるが、単結晶構造であるサンプルＧとは明確に異なることが分かる。
【０２２１】
以上より、本発明に係る、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、アモルファス構造の酸化物半導体膜とも、単結晶構造の酸化物半導体膜とも明確に異なる結晶性を有すると言うことができる。
【０２２２】
以上に示すようなｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０２２３】
＜２．ＥＳＲ測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を電子スピン共鳴（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）法を用いて評価した結果について説明する。
【０２２４】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜したサンプルＨと、さらに、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行ったサンプルＩを作製した。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、成膜時基板温度４００℃、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚１００ｎｍとした。
【０２２５】
サンプルＩについては、さらに酸化物半導体膜の成膜後、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下において、加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で行った。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＨおよびサンプルＩを作製した。
【０２２６】
本項目においては、以上のサンプルＨおよびサンプルＩについて、ＥＳＲ測定を行う。ＥＳＲ測定はゼーマン効果を利用した物質中の孤立電子の測定方法である。サンプルに特定の振動数νのマイクロ波を照射しながら、サンプルにかかる磁場Ｈを掃引することによって、特定の磁場Ｈにおいてサンプル中の孤立電子がマイクロ波を吸収して、磁場に平行なスピンのエネルギー準位から磁場に反平行なスピンのエネルギー準位に遷移する。このときサンプル中の孤立電子に吸収されるマイクロ波の振動数νとサンプルにかかる磁場Ｈの関係は以下の式で表すことができる。
【０２２７】
【数２】
【０２２８】
ここで、ｈはプランク定数、μＢはボーア磁子である。そしてｇはｇ値と呼ばれる係数であり、物質中の孤立電子にかかる局所磁場に応じて変化する、つまり、上式からｇ値を求めることにより、ダングリングボンドなどの孤立電子の環境を知ることができる。
【０２２９】
本実施例において、ＥＳＲ測定はブルカー社製Ｅ５００を用いて行い、測定条件は、測定温度を室温とし、マイクロ波周波数９．５ＧＨｚ、マイクロ波電力０．２ｍＷとした。
【０２３０】
以上のサンプルＨおよびサンプルＩについて、ＥＳＲ測定を行った結果を図２２のグラフに示す。図２２に示すグラフは、縦軸にマイクロ波の吸収強度の一次微分をとり、横軸にｇ値をとる。
【０２３１】
図２２のグラフに示すように、サンプルＩではマイクロ波の吸収に対応するシグナルは観測されなかったが、サンプルＨではｇ＝１．９３近傍においてマイクロ波の吸収に対応するシグナルが観測された。ｇ＝１．９３近傍のシグナルの積分値を計算することにより、当該マイクロ波の吸収に対応する孤立電子のスピン密度１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）が求められる。なお、サンプルＩにおいては、マイクロ波の吸収が検出下限以下ということになるので、サンプルＩの孤立電子のスピン密度は１×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）以下となる。
【０２３２】
ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体膜中においてｇ＝１．９３の近傍のシグナルがどのようなダングリングボンドに帰属するかを調べるために量子化学計算を行った。具体的な計算手法としては、金属原子が酸素欠陥に対応するダングリングボンドを有するようなクラスターモデルを作って構造最適化を行い、構造最適化されたモデルについてｇ値の計算を行った。
【０２３３】
モデルの構造最適化および構造最適化されたモデルのｇ値の計算にはＡＤＦ（Ａｍｓｔｅｒｄａｍ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｆｔｗａｒｅ）を用いた。また、モデルの構造最適化および構造最適化されたモデルのｇ値の計算共に、汎関数にはＧＧＡ：ＢＰを、基底関数にはＴＺ２Ｐを用いた。また、Ｃｏｒｅ Ｔｙｐｅとして、モデルの構造最適化にはＬａｒｇｅを、ｇ値の計算にはＮｏｎｅを用いている。
【０２３４】
上述の量子化学計算によって求めた、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体膜中におけるダングリングボンドのモデルを図２３に示す。図２３は、インジウム−酸素結合の酸素欠陥によるダングリングボンド（ｇ＝１．９８４）と、ガリウム−酸素結合の酸素欠陥によるダングリングボンド（ｇ＝１．９９５）と、亜鉛−酸素結合の酸素欠陥によるダングリングボンド（ｇ＝１．９９６）とを示している。これらのダングリングボンドのｇ値は、サンプルＨのマイクロ波の吸収に対応するシグナルのｇ＝１．９３に比較的近い値となっている。つまり、サンプルＨにおいて、インジウム、ガリウムまたは亜鉛のいずれか一または複数と酸素との結合に酸素欠陥が発生した可能性が示唆されている。
【０２３５】
しかし、サンプルＩにおいてはｇ＝１．９３近傍にマイクロ波の吸収に対応するシグナルが現れていない。これは、酸化物半導体膜の成膜後に乾燥雰囲気下で加熱処理を行うことにより、酸素欠陥に酸素が補充されたということを示唆している。上述の実施の形態において述べたように、酸化物半導体膜中の酸素欠陥は電気伝導度を変化させるキャリアとして機能しうるので、当該酸素欠陥を低減することにより、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【０２３６】
よって、本発明の一態様に係る、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、成膜後に加熱処理を行い、酸素欠陥に酸素を補充することが好ましく、ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さいことが好ましく、さらに、スピン密度が１×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）以下となることがより好ましい。
【０２３７】
＜３．低温ＰＬ測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を低温フォトルミネッセンス（ＰＬ：ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定を用いて評価した結果について説明する。
【０２３８】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に、成膜時の基板温度２００℃で酸化物半導体膜を成膜したサンプルＪと、成膜時の基板温度４００℃で酸化物半導体膜を成膜したサンプルＫを作製した。つまり、サンプルＪはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含まない酸化物半導体膜であり、サンプルＫはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜である。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚１００ｎｍとした。
【０２３９】
さらに酸化物半導体膜の成膜後、サンプルＪおよびサンプルＫともに、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下において、加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で行った。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＪおよびサンプルＫを作製した。
【０２４０】
本項目においては、以上のサンプルＪおよびサンプルＫについて、低温ＰＬ測定を行う。低温ＰＬ測定では、極低温雰囲気下で励起光をサンプルに照射してエネルギーを与えて、サンプル中に電子と正孔を生じさせながら、励起光の照射を止めて、励起光照射により生じた電子と正孔が再結合することによる発光をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などを用いて検出する。
【０２４１】
本実施例において、低温ＰＬ測定はヘリウムガス雰囲気において測定温度を１０Ｋとして行った。励起光は、Ｈｅ−Ｃｄガスレーザ発振器を用いて、波長３２５ｎｍの光を照射した。また、発光の検出にはＣＣＤを用いた。
【０２４２】
サンプルＪおよびサンプルＫについて、低温ＰＬ測定で検出した発光スペクトルを図２４のグラフに示す。図２４に示すグラフは、縦軸にＰＬ発光検出カウント（ｃｏｕｎｔｓ）をとり、横軸に検出した発光のエネルギー（ｅＶ）をとる。
【０２４３】
図２４のグラフより、サンプルＪ、サンプルＫともに発光エネルギー１．８ｅＶ近傍にピークを持つが、サンプルＪよりサンプルＫの方がＰＬ発光検出カウント数が１００程度少ないことが分かる。なお、サンプルＪおよびサンプルＫの発光エネルギー３．２ｅＶ近傍のピークは、低温ＰＬ測定装置の石英窓に由来するものである。
【０２４４】
ここで、図２４のグラフに示す１．８ｅＶ近傍のピークは、当該酸化物半導体膜のバンド構造において伝導帯下端から１．８ｅＶ程度の深さにエネルギー準位が存在していることを示唆している。このバンドギャップ中の深いエネルギー準位は、図３の電子状態密度計算の結果に示す、酸素欠陥に起因するトラップ準位と符合している。よって、図２４のグラフに示す１．８ｅＶ近傍の発光ピークは、図４に示すバンドダイアグラム中の酸素欠陥に起因するトラップ準位のエネルギー準位を表していると考えることができる。つまり、サンプルＫにおいて１．８ｅＶ近傍の発光検出カウント数がサンプルＪより少ないということは、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の方が、酸素欠陥に起因するトラップ準位の数が低減されている、つまり、酸素欠陥の数が低減されていることが考えられる。
【０２４５】
＜４．光負バイアス劣化測定＞
本実施例では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を用いたトランジスタを作製し、当該トランジスタに光を照射しながらゲートに負電圧を印加してストレスを与え、ストレスを与えた時間に応じて変化するトランジスタのしきい値電圧を評価した結果について説明する。なお、このようなストレスによりトランジスタのしきい値電圧などが変化することを光負バイアス劣化という。
【０２４６】
本項目では、先の実施の形態に示す、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成された酸化物半導体膜を設けたトランジスタ（サンプルＬ）と、比較例としてサンプルＬと同様の材料からなるが、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されていない酸化物半導体膜を設けたトランジスタ（サンプルＭ）と、を作製した。そしてサンプルＬおよびサンプルＭに光を照射しながらゲートに負電圧を印加してストレスを与え、ストレスを与えた時間に応じて変化するサンプルＬおよびサンプルＭのしきい値電圧Ｖｔｈを評価した。以下にサンプルＬおよびサンプルＭの作製方法について説明する。
【０２４７】
まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、下地膜として膜厚１００ｎｍの窒化シリコン膜、および膜厚１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を連続してガラス基板上に成膜し、続いて酸化窒化シリコン膜上に、スパッタリング法を用いて膜厚１００ｎｍのタングステン膜を成膜した。ここで、タングステン膜を選択的にエッチングすることにより、テーパー形状を有するゲート電極を形成した。それから、ゲート電極上に、プラズマＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜として膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２４８】
次に、ゲート絶縁膜上にスパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜した。ここで、サンプルＬの酸化物半導体膜は、種結晶として機能する膜厚５ｎｍの酸化物半導体膜上に膜厚３０ｎｍの酸化物半導体膜を積層して、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されるように加熱処理を行って形成される。サンプルＭの酸化物半導体膜は、膜厚２５ｎｍの酸化物半導体膜に加熱処理を行って形成される。
【０２４９】
まず、サンプルＬの酸化物半導体膜の作製方法について説明する。種結晶として機能する酸化物半導体膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜ターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜時の基板温度２００℃、成膜ガス流量の割合を酸素ガス５０％、アルゴンガス５０％とし、圧力０．６Ｐａ、基板−ターゲット間距離１００ｍｍ、直流（ＤＣ）電源５ｋＷ、膜厚５ｎｍとした。成膜後、窒素雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行い、種結晶として機能する酸化物半導体膜の結晶化を行った。それから、種結晶として機能する酸化物半導体膜上に、スパッタリング法を用いて膜厚３０ｎｍの酸化物半導体膜を、種結晶として機能する酸化物半導体膜と同じ成膜条件で成膜し、オーブンを用いて窒素雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行い、さらに窒素と酸素の混合雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行って、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成された酸化物半導体膜を成膜した。
【０２５０】
また、サンプルＭの酸化物半導体膜もスパッタリング法を用いて成膜し、成膜ターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜時の基板温度２００℃、成膜ガス流量の割合を酸素ガス５０％、アルゴンガス５０％とし、圧力０．６Ｐａ、基板−ターゲット間距離１００ｍｍ、直流（ＤＣ）電源５ｋＷ、膜厚２５ｎｍとした。成膜後、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法を用いて窒素雰囲気下で加熱温度６５０℃、加熱時間６分間で加熱処理を行い、さらにオーブンを用いて窒素と酸素の混合雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行って、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されていない酸化物半導体膜を成膜した。
【０２５１】
次に、酸化物半導体膜上に、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜を積層した導電膜を、スパッタリング法を用いて成膜し、当該導電膜を選択的にエッチングしてソース電極およびドレイン電極を形成した。それから第１の層間絶縁膜として膜厚４００ｎｍの酸化シリコン膜を成膜した。さらに、第２の層間絶縁膜として膜厚１．５μｍのアクリル樹脂からなる絶縁膜を成膜した。最後に窒素雰囲気下で加熱温度２５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行って、サンプルＬおよびサンプルＭを作製した。
【０２５２】
以上のサンプルＬおよびサンプルＭについて、光を照射しながらゲートに負電圧を印加してストレスを与え、ストレス時間に応じてサンプルＬおよびサンプルＭのＩｄ−Ｖｇ特性を測定し、ストレスを与える前後のしきい値電圧の変化量を求めた。
【０２５３】
上記ストレスは、室温の大気雰囲気下で与え、ゲート電圧を−２０Ｖ、ドレイン電圧を０．１Ｖ、ソース電圧を０Ｖとし、照射光の照度を３６０００（ｌｘ）とした。ストレス時間は、１００秒、３００秒、６００秒、１０００秒、１８００秒、３６００秒、７２００秒、１００００秒、１８０００秒、４３２００秒（１２時間）としてサンプルＬおよびサンプルＭのＩｄ−Ｖｇ特性の測定を行った。Ｉｄ−Ｖｇ特性を測定する際は、ドレイン電圧を＋１０Ｖとして、ゲート電圧を−１０Ｖから＋１０Ｖの範囲で掃引し、他の条件はストレスを与えているときと同様にした。
【０２５４】
図２５にサンプルＬおよびサンプルＭのしきい値電圧の変化量のグラフを示す。図２５に示すグラフは、縦軸にしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈ（Ｖ）をとり、横軸にストレス時間（ｓｅｃ）をとる。
【０２５５】
図２５より、サンプルＬのしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈは最大で−１Ｖ程度であるのに対して、サンプルＭのしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈの変動は最大で−２Ｖ程度もあり、サンプルＬのしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈはサンプルＭの約半分に低減されている。
【０２５６】
これにより、膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、光照射やゲート電圧のストレスに対してより安定した電気的特性を有し、信頼性が向上していることが示された。
【０２５７】
＜５．光応答欠陥評価法による測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を用いたトランジスタを作製し、当該トランジスタに光応答欠陥評価法を用いて酸化物半導体膜の光照射に対する安定性を評価した結果について説明する。
【０２５８】
本項目では、サンプルＬおよびサンプルＭと同様の方法を用いて作製したサンプルＮおよびサンプルＯを用いて光応答欠陥評価法を行った。光応答欠陥評価法とは、半導体膜に光照射を行うことにより流れる電流（光電流）の緩和を測定し、光電流の緩和のグラフを指数関数の線形結合で表される式でフィッティングして緩和時間τを求め、緩和時間τから当該半導体膜中の欠陥を評価する方法である。
【０２５９】
ここで、早い応答に対応する緩和時間τ１と、遅い応答に対応する緩和時間τ２（τ２＞τ１）を用いて、電流ＩＤを２項の指数関数の線形結合で表すと、以下の式となる。
【０２６０】
【数３】
【０２６１】
本項目に示す光応答欠陥評価法においては、６０秒の暗状態の後、照射光を６００秒照射し、照射光を止めて３０００秒光電流の緩和を測定した。照射光は、波長４００ｎｍ、強度３．５ｍＷ／ｃｍ２とし、サンプルＮおよびサンプルＯのゲート電極およびソース電極は０Ｖに固定し、ドレイン電極に０．１Ｖの微小電圧を印加して光電流の電流値を測定した。なお、サンプルＮおよびサンプルＯのチャネル長Ｌとチャネル幅Ｗは、Ｌ／Ｗ＝３０μｍ／１００００μｍとした。
【０２６２】
図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）にサンプルＮおよびサンプルＯの光応答欠陥評価法における光電流の変化のグラフを示す。図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）に示すグラフは、縦軸に光電流ＩＤをとり、横軸に経過時間ｔ（ｓｅｃ）をとる。また、図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）に示すグラフを指数関数の線形結合で表される式でフィッティングすると、以下の式で表される。
【０２６３】
【数４】
【０２６４】
【数５】
【０２６５】
図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）より、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を有するサンプルＮの方がサンプルＯより、光電流の最大値が小さく、緩和時間τ１と緩和時間τ２も短かった。ここで、サンプルＮの光電流の最大値Ｉｍａｘは６．２×１０−１１Ａであり、緩和時間τ１は０．３秒、緩和時間τ２は３９秒であった。それに対して、サンプルＯの光電流の最大値Ｉｍａｘは８．０×１０−９Ａであり、緩和時間τ１は３．９秒、緩和時間τ２は９８秒であった。
【０２６６】
サンプルＮ、サンプルＯともに少なくとも２種類の緩和時間からなる指数関数の線形結合により、光電流ＩＤの緩和をフィッティングできることが示された。これは、サンプルＮ、サンプルＯともに光電流ＩＤの緩和は、２種類以上の緩和過程を有することを示唆している。これは、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す、２種類の再結合モデルによる光電流の緩和過程と符合する。つまり、先の実施の形態で図５で示したバンド図のように、酸化物半導体のバンドギャップ中にトラップ準位が存在することが示唆されている。
【０２６７】
さらに、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であるサンプルＮの方が、サンプルＯより緩和時間τ１および緩和時間τ２も短くなった。これは、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す再結合モデルにおいて、酸素欠陥に起因するトラップ準位がサンプルＮの方が少なくなったことを示唆している。つまり、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が含まれることにより、トラップ準位として機能しうる酸化物半導体膜中の欠陥が減少されたためであると考えることができる。
【０２６８】
以上より、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されることにより、光照射に対してより安定な構造を取るようになることが分かった。よって、このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることで安定した電気的特性を有する、信頼性の高いトランジスタを提供することができる。
【０２６９】
＜６．ＴＤＳ分析＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜をＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析を用いて評価した結果について説明する。
【０２７０】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜し、成膜時の基板温度が室温のサンプルＰ１と、成膜時の基板温度１００℃のサンプルＰ２と、成膜時の基板温度２００℃のサンプルＰ３と、成膜時の基板温度３００℃のサンプルＰ４と、成膜時の基板温度４００℃のサンプルＰ５を作製した。ここで、サンプルＰ１、サンプルＰ２およびサンプルＰ３は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含まない酸化物半導体膜であり、サンプルＰ４およびサンプルＰ５は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜である。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚５０ｎｍとした。なお、石英基板については、ＴＤＳ分析時に基板からの脱離ガスの要因を低減するために、予め乾燥雰囲気で８５０℃の熱処理を行った。
【０２７１】
ＴＤＳ分析とは、真空容器内のサンプルをハロゲンランプで加熱し、昇温中にサンプル全体から発生するガス成分を四重極質量分析計（ＱＭＳ：Ｑｕａｒｄｒｕｐｏｌｅ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）で検出する分析手法である。検出されるガス成分はＭ／ｚ（質量／電荷）で区別され、質量スペクトルとして検出される。
【０２７２】
本実施例において、ＴＤＳ分析は電子科学株式会社製ＷＡ１０００Ｓを用いて行った。測定条件は、ＳＥＭ電圧１５００Ｖ、基板表面温度は室温から４００℃、真空度１．５×１０−７Ｐａ以下、Ｄｗｅｌｌ Ｔｉｍｅ０．２（ｓｅｃ／Ｕ）、昇温レート３０（℃／ｍｉｎ）として、Ｈ２Ｏに相当するＭ／ｚ＝１８の質量スペクトルを検出した。
【０２７３】
サンプルＰ１乃至サンプルＰ５について、ＴＤＳ分析を行った結果を図２７のグラフに示す。図２７に示すグラフは、縦軸に脱離水分子量（Ｍ／ｚ＝１８）［ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３］（ｃｏｕｎｔｓ）をとり、横軸に成膜時の基板温度（℃）をとる。ここで、脱離水分子量とは、Ｍ／ｚ＝１８の質量スペクトルの昇温温度３００℃近傍の積分値を取ることで求められる量であり、酸化物半導体膜中から脱離する水分子量である。なお、Ｍ／ｚ＝１８の質量スペクトルは、昇温温度１００℃近傍にもピークが存在するが、これは酸化物半導体膜の表面に吸着した水分量と考えられるので、脱離水分子量としてカウントしていない。
【０２７４】
図２７のグラフより、成膜時の基板温度が高くなるほど、各サンプルから脱離する水分子量が少なくなることが分かる。よって、成膜時の基板温度を上昇させる、つまり、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成することにより、当該酸化物半導体膜中に含まれる、Ｈ２Ｏ（水）分子に代表される、Ｈ（水素原子）を含む分子やイオンを低減できるということができる。
【０２７５】
以上より、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することにより、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源となりうるＨ２Ｏ（水）分子に代表される、Ｈ（水素原子）を含む分子やイオンなどの不純物を低減することができる。これにより、酸化物半導体膜の電気伝導度が変化することを防ぎ、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【０２７６】
＜７．二次イオン質量分析＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて評価した結果について説明する。
【０２７７】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜し、成膜時の基板温度が室温のサンプルＱ１乃至サンプルＱ７と、成膜時の基板温度４００℃のサンプルＲ１乃至サンプルＲ７を作製した。ここで、サンプルＱ１乃至サンプルＱ７は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含まない酸化物半導体膜であり、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜である。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚３００ｎｍとした。なお、石英基板については、予め窒素雰囲気で１時間、８５０℃の熱処理を行った。
【０２７８】
さらに、サンプルＱ２乃至サンプルＱ７、サンプルＲ２乃至サンプルＲ７については、酸化物半導体膜の成膜後、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、窒素雰囲気で所定の温度まで昇温し、酸素雰囲気に切り替えて所定の温度を１時間保持し、それから酸素雰囲気で降温した。所定の温度は、サンプルＱ２およびサンプルＲ２は２００℃、サンプルＱ３およびサンプルＲ３は２５０℃、サンプルＱ４およびサンプルＲ４は３５０℃、サンプルＱ５およびサンプルＲ５は４５０℃、サンプルＱ６およびサンプルＲ６は５５０℃、サンプルＱ７およびサンプルＲ７は６５０℃とする。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＱ１乃至サンプルＱ７、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７を作製した。
【０２７９】
本項目においては、以上のサンプルＱ１乃至サンプルＱ７、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７について、ＳＩＭＳ分析を行った。サンプルＱ１乃至サンプルＱ７のＳＩＭＳ分析を行った結果を図２８（Ａ）に、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７のＳＩＭＳ分析を行った結果を図２８（Ｂ）のグラフに示す。図２８（Ａ）および図２８（Ｂ）のグラフの縦軸に水素（Ｈ）の濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）をとり、横軸に酸化物半導体膜表面からの酸化物半導体膜および石英基板の深さ（ｎｍ）をとっている。
【０２８０】
図２８（Ａ）および図２８（Ｂ）のグラフより、サンプルＱ１とサンプルＲ１の酸化物半導体膜中の水素濃度はほぼ同等であるが、サンプルＲ２乃至サンプルＲ７の酸化物半導体膜中の水素濃度はサンプルＱ２乃至サンプルＱ７よりも低減されている傾向がある。これは、酸化物半導体成膜時の基板温度が高い方が、後の加熱処理の際の水素の混入が起こりにくいことを示している。特に、サンプルＱ３乃至サンプルＱ５のグラフを見ると、加熱処理の温度上昇に合わせて、酸化物半導体膜の表面側から水素が侵入し、酸化物半導体膜の奧まで水素濃度が高い層が広がり、さらに温度を上げると酸化物半導体膜の表面側から水素が脱離している様子が分かる。このように、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成されない場合、加熱処理による水素の混入や脱離が起こる。しかし、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成した、サンプルＲ２乃至サンプルＲ７ではこのような挙動は見られない。
【０２８１】
これは、酸化物半導体成膜時の基板温度を高くして、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成することにより、酸化物半導体膜中から水素が結合しやすいダングリングボンドなどが低減されているためだと考えることができる。
【０２８２】
よって、酸化物半導体成膜時の基板温度を高くして、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成することにより、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源となりうる水素が加熱処理により増大することを防ぐことができる。これにより、酸化物半導体膜の電気伝導度が変化することを抑制し、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【０２８３】
１１ サイト
１２ Ｉｎ原子
１３ Ｇａ原子
１４ Ｚｎ原子
１５ Ｏ原子
３１ 処理室
３３ 排気手段
３５ ガス供給手段
３７ 電源装置
４０ 基板支持体
４１ ターゲット
４３ イオン
４５ 原子
４７ 原子
５１ 基板
５３ 下地絶縁膜
５５ 酸化物半導体膜
５６ 酸化物半導体膜
５９ 酸化物半導体膜
６３ ゲート絶縁膜
６５ ゲート電極
６９ 絶縁膜
１２０ トランジスタ
１３０ トランジスタ
１４０ トランジスタ
１５０ トランジスタ
１６０ トランジスタ
１７０ トランジスタ
１８０ トランジスタ
３５１ 基板
３５３ 下地絶縁膜
３５９ 酸化物半導体膜
３６３ ゲート絶縁膜
３６５ ゲート電極
３６９ 絶縁膜
３７１ 金属酸化物膜
３７３ 金属酸化物膜
５５ａ 種結晶
５５ｂ 酸化物半導体膜
５６ａ 種結晶
５６ｂ 酸化物半導体膜
６１ａ ソース電極
６１ｂ ドレイン電極
３６１ａ ソース電極
３６１ｂ ドレイン電極
５００ 基板
５０１ 画素部
５０２ 走査線駆動回路
５０３ 走査線駆動回路
５０４ 信号線駆動回路
５１０ 容量配線
５１２ ゲート配線
５１３ ゲート配線
５１４ ドレイン電極層
５１６ トランジスタ
５１７ トランジスタ
５１８ 液晶素子
５１９ 液晶素子
５２０ 画素
５２１ スイッチング用トランジスタ
５２２ 駆動用トランジスタ
５２３ 容量素子
５２４ 発光素子
５２５ 信号線
５２６ 走査線
５２７ 電源線
５２８ 共通電極
１００１ 本体
１００２ 筐体
１００４ キーボードボタン
１０２１ 本体
１０２２ 固定部
１０２３ 表示部
１０２４ 操作ボタン
１０２５ 外部メモリスロット
１０３０ 筐体
１０３１ 筐体
１０３２ 表示パネル
１０３３ スピーカー
１０３４ マイクロフォン
１０３５ 操作キー
１０３６ ポインティングデバイス
１０３７ カメラ用レンズ
１０３８ 外部接続端子
１０４０ 太陽電池セル
１０４１ 外部メモリスロット
１０５０ テレビジョン装置
１０５１ 筐体
１０５２ 記憶媒体再生録画部
１０５３ 表示部
１０５４ 外部接続端子
１０５５ スタンド
１０５６ 外部メモリ
１００３ａ 表示部
１００３ｂ 表示部
【技術分野】
【０００１】
酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜を用いる半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等に形成されるトランジスタはアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどによって構成されている。アモルファスシリコンを用いたトランジスタは、ガラス基板の大面積化に容易に対応することができる。しかし、アモルファスシリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が低いという欠点を有している。また、多結晶シリコンを用いたトランジスタは電界効果移動度が高いが、ガラス基板の大面積化には適していないという欠点を有している。
【０００４】
このような欠点を有するシリコンを用いたトランジスタに対して、酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば酸化物半導体として、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎなどを含む非晶質酸化物を用いてトランジスタを作製する技術が特許文献１で開示されている。また、同様のトランジスタを作製して表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献２で開示されている。
【０００５】
また、このようなトランジスタに用いる酸化物半導体について、「酸化物半導体は不純物に対して鈍感であり、膜中にはかなりの金属不純物が含まれていても問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソーダ石灰ガラスも使える」といったことも述べられている（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２９号公報
【特許文献２】特開２００６−１６５５２８号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】神谷、野村、細野、「アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状」、固体物理、２００９年９月号、Ｖｏｌ．４４、ｐ．６２１−６３３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、酸化物半導体膜および当該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜に酸素欠陥に代表されるような欠陥が生じたり、キャリアの供給源となる水素の混入などが生じると、酸化物半導体膜の電気伝導度が変化する恐れがある。このような現象は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動の要因となり、半導体装置の信頼性を低下させることになる。
【０００９】
このような酸化物半導体膜は、可視光や紫外光に照射されることにより、特に電気伝導度が変化するおそれがある。このような現象も、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動の要因となり、半導体装置の信頼性を低下させることになる。
【００１０】
このような問題に鑑み、より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
開示する発明の一態様は、結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜である。つまり、当該酸化物半導体膜に含まれる結晶性を有する領域は、ｃ軸配向している。なお、当該酸化物半導体膜は非単結晶である。また、当該酸化物半導体膜全体が非晶質状態（アモルファス状態）となることはない。
【００１２】
開示する発明の一態様は、結晶性を有する領域を含み、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなり、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅と、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上である酸化物半導体膜である。
【００１３】
上記において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４ｎｍ−１以上０．７ｎｍ−１以下であり、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上１．４ｎｍ−１以下であることが好ましい。また、ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のピークのスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さいことが好ましい。また、上記酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を複数含み、結晶のａ軸あるいはｂ軸の方向は、互いに異なっていてもよい。また、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは非自然数）で表される構造を有することが好ましい。
【００１４】
また、開示する発明の他の一態様は、第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置である。
【００１５】
また、開示する発明の他の一態様は、ゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、を有し、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置である。
【００１６】
上記において、第１の絶縁膜と酸化物半導体膜の間に第１の金属酸化物膜を有し、第１の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなることが好ましい。また、第１の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満であることが好ましい。また、酸化物半導体膜と第２の絶縁膜の間に第２の金属酸化物膜を有し、第２の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなることが好ましい。また、第２の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満であることが好ましい。
【００１７】
なお、本明細書等において、Ａ面がＢ面に概略平行とはＡ面の法線とＢ面の法線がなす角度が０°以上２０°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において、Ｃ線がＢ面に概略垂直とはＣ線とＢ面の法線がなす角度が０°以上２０°以下の状態を指すものとする。
【発明の効果】
【００１８】
結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一態様に係る断面ＴＥＭ像。
【図２】本発明の一態様に係る結晶構造の平面図および断面図。
【図３】電子状態密度計算の結果を示す図。
【図４】酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体のバンドダイアグラム。
【図５】酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体における再結合モデル。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図７】スパッタリング装置を説明する模式図である。
【図８】種結晶の結晶構造を説明する模式図である。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図。
【図１２】本発明の一態様に係る半導体装置のバンド構造を説明する図。
【図１３】本発明の一実施例に係る断面ＴＥＭ像。
【図１４】本発明の一実施例に係る平面ＴＥＭ像。
【図１５】本発明の一実施例に係る電子線回折パターン。
【図１６】本発明の一実施例に係る平面ＴＥＭ像および電子線回折パターン。
【図１７】本発明の一実施例に係る電子線回折強度のグラフ。
【図１８】本発明の一実施例に係る電子線回折強度の第１ピークの半値全幅のグラフ。
【図１９】本発明の一実施例に係る電子線回折強度の第２ピークの半値全幅のグラフ。
【図２０】本発明の一実施例に係るＸＲＤスペクトル。
【図２１】本発明の一実施例に係るＸＲＤスペクトル。
【図２２】本発明の一実施例に係るＥＳＲ測定の結果のグラフ。
【図２３】本発明の一実施例に係る量子化学計算に用いた酸素欠陥のモデル。
【図２４】本発明の一実施例に係る低温ＰＬ測定の結果のグラフ。
【図２５】本発明の一実施例に係る光負バイアス劣化測定の結果のグラフ。
【図２６】本発明の一実施例に係る光応答欠陥評価法における光電流のグラフ。
【図２７】本発明の一実施例に係るＴＤＳ分析の結果。
【図２８】本発明の一実施例に係るＳＩＭＳ分析の結果。
【図２９】本発明の一態様を示すブロック図及び等価回路図。
【図３０】本発明の一態様を示す電子機器の外観図。
【図３１】本発明の一態様に係る断面ＴＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施の形態及び実施例について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２２】
また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明に係る一態様として、酸化物半導体膜について、図１乃至図５を用いて説明する。
【００２４】
本実施の形態に係る酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を含む。当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる。つまり、当該酸化物半導体膜に含まれる結晶性を有する領域は、ｃ軸配向している。当該結晶性を有する領域の断面を観察すると、層状に配列した原子が基板から表面に向かって積層した構造であり、結晶のｃ軸が表面に概略垂直となっている。また、このようにｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含むので、当該酸化物半導体膜を、Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ； ＣＡＡＣ−ＯＳ膜ともよぶ。
【００２５】
ここで、実際に作製した、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像を図１に示す。図１中の矢印が示すように、層状に原子が配向した、すなわちｃ軸が配向した結晶性を有する領域２１が、酸化物半導体膜中に確かに観察される。
【００２６】
また、同様に結晶性を有する領域２２が酸化物半導体膜中に観察され、結晶性を有する領域２１および結晶性を有する領域２２は、非晶質構造を有する領域に３次元的に囲まれている。このように当該酸化物半導体膜中には複数の結晶性を有する領域が存在するが、図１中に結晶粒界は観察されておらず、酸化物半導体膜全体においても結晶粒界は観察されなかった。
【００２７】
また、図１において、結晶性を有する領域２１と結晶性を有する領域２２は非晶質構造の領域を介して隔離されているが、結晶性を有する領域２１および結晶性を有する領域２２の層状に配向した原子が同じくらいの間隔で積層しているように見え、非晶質構造の領域を越えて連続的に層を形成しているように見える。
【００２８】
また、図１では結晶性を有する領域２１および結晶性を有する領域２２の大きさは、３ｎｍ乃至７ｎｍ程度であるが、本実施の形態に示す酸化物半導体膜中に形成される結晶性を有する領域の大きさは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度とすることができる。例えば、図３１に示すように、酸化物半導体膜の結晶性を有する領域を数十ｎｍ以上とすることもできる。
【００２９】
また、当該結晶性を有する領域を膜表面に垂直な方向から観察すると、六角形の格子状に原子が配列される構造となることが好ましい。このような構造を取ることで、当該結晶性を有する領域は、三回対称性を有する六方晶構造を容易に取ることができる。なお、本明細書においては、六方晶の結晶構造は六晶系（Ｃｒｙｓｔａｌ ｆａｍｉｌｙ）におけるものを指し、七晶系（Ｃｒｙｓｔａｌ ｓｙｓｔｅｍ）の三方晶と六方晶を含む。
【００３０】
また、本実施の形態に係る酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を複数含んでいても良く、個々の結晶性を有する領域において、結晶のａ軸あるいはｂ軸の方向は互いに異なっていてもよい。すなわち、本実施の形態に係る酸化物半導体膜は、個々の結晶性を有する領域において、ｃ軸に対して結晶化しているが、ａ−ｂ面に対しては必ずしも配列していない。ただし、ａ軸あるいはｂ軸の方向が異なる領域どうしが接しないようにすることで、互いの領域が接する界面に結晶粒界を形成しないようにすることが好ましい。よって、結晶性を有する領域を三次元的に囲むように非晶質構造の領域を有する酸化物半導体膜とすることが好ましい。つまり、当該結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は非単結晶であり、且つ膜全体が非晶質状態とはならない。
【００３１】
当該酸化物半導体膜には、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などが用いられる。
【００３２】
中でも、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上とエネルギーギャップの広いものが多く、それらを用いてトランジスタを作製した場合、オフ状態での抵抗が十分に高くオフ電流を十分に小さくすることが可能である。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物中の結晶性を有する領域は、主に六方晶のウルツ鉱型ではない結晶構造を取ることが多く、例えば、ＹｂＦｅ２Ｏ４型構造、Ｙｂ２Ｆｅ３Ｏ７型構造及びその変形型構造などをとりうる（Ｍ． Ｎａｋａｍｕｒａ， Ｎ． Ｋｉｍｉｚｕｋａ， ａｎｄ Ｔ． Ｍｏｈｒｉ、「Ｔｈｅ Ｐｈａｓｅ Ｒｅｌａｔｉｏｎｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２ＺｎＯ４−ＺｎＯ Ｓｙｓｔｅｍ ａｔ １３５０℃」、Ｊ． Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍ．、１９９１、Ｖｏｌ．９３， ｐ．２９８−３１５）。なお、ＹｂＦｅ２Ｏ４型構造は、Ｙｂを含む層をＡ層としＦｅを含む層をＢ層とすると、ＡＢＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢＢ｜の繰り返し構造を有し、その変形構造としては、例えば、ＡＢＢＢ｜ＡＢＢＢ｜の繰り返し構造を挙げることができる。また、Ｙｂ２Ｆｅ３Ｏ７型構造は、ＡＢＢ｜ＡＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢ｜の繰り返し構造を有し、その変形構造としては、例えば、ＡＢＢＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢＢＢ｜ＡＢＢ｜ＡＢＢＢ｜ＡＢＢ｜の繰り返し構造を挙げることができる。また、当該金属酸化物中のＺｎＯの量が多い場合には、ウルツ鉱型結晶構造をとることもある。
【００３３】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物の代表例としては、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記されるものがある。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物として、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物を挙げることができる。ここで、ｍは非自然数とするとより好ましい。なお、上述の組成は結晶構造から導き出されるものであり、あくまでも一例に過ぎないことを付記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝３：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：６［ｍｏｌ数比］の組成比を有する金属酸化物を用いてもよい。
【００３４】
以上のような構造を持つ、酸化物半導体膜に含まれる結晶性を有する領域の構造の一例として、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶構造を図２に示す。図２に示すＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶構造は、ａ軸とｂ軸に平行な平面図と、ｃ軸に平行な断面図を用いて示されており、ｃ軸はａ軸とｂ軸に対して垂直であり、ａ軸とｂ軸の間の角度は１２０°となる。図２に示すＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７は、平面図にＩｎ原子が取りうるサイト１１を示し、断面図にＩｎ原子１２、Ｇａ原子１３、ＧａまたはＺｎ原子１４、Ｏ原子１５を示す。
【００３５】
図２の断面図に示すように、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７は、Ｉｎ酸化物層の間にある１層のＧａ酸化物層と、Ｉｎ酸化物層の間にある２層の酸化物層でＧａ酸化物層とＺｎ酸化物層をそれぞれ１層ずつ含むものが、ｃ軸方向に交互に積層する構造となっている。また、図２の平面図に示すように、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７は三回対称性を有する六方晶構造をとる。
【００３６】
本実施の形態に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、一定以上の結晶性を示すものであることが好ましい。また、当該結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、単結晶とは異なる。このように、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。特に結晶中の金属原子と結合している酸素は、非晶質中の金属原子と結合している酸素と比較して、結合力が高くなり、水素などの不純物との反応性が低くなるので、欠陥の生成が低減される。
【００３７】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物からなる、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅と、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上となるような結晶性を示す。また好ましくは、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４ｎｍ−１以上０．７ｎｍ−１以下であり、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上１．４ｎｍ−１以下となるような結晶性を示す。
【００３８】
上述のように、本実施の形態に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、酸素欠陥に代表される膜中の欠陥が低減されていることが好ましい。酸素欠陥に代表されるような欠陥は、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。
【００３９】
なお、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜のＥＳＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定を行うことにより、当該膜中の孤立電子の量を測定することができ、それにより酸素欠陥の量を推定することができる。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物からなる結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のピークのスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さく、好ましくは５×１０１７（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）以下、より好ましくは５×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）、さらに好ましくは１×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）とする。
【００４０】
上述のように、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素や、水、水酸基または水素化物等の水素を含む不純物は低減されていることが好ましく、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素の濃度は１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好ましい。ダングリングボンドなどに結合する水素や、水、水酸基または水素化物等の水素を含む不純物は、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。また、酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水となると共に、酸素が脱離した格子（あるいは酸素が脱離した部分）には欠陥が形成されてしまう。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。
【００４１】
また、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中のアルカリ金属等の不純物は低減されていることが好ましい。例えば、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜において、リチウムの濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、ナトリウムの濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、カリウムの濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。
【００４２】
アルカリ金属、及びアルカリ土類金属は結晶性を有する領域を含む酸化物半導体にとっては悪性の不純物であり、少ないほうがよい。特に、当該酸化物半導体膜をトランジスタに用いる場合、アルカリ金属のうちナトリウムは結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜に接する絶縁膜に拡散し、キャリアを供給しうる。また、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜内において、金属と酸素の結合を分断し、あるいは結合中に割り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化（例えば、ノーマリオン化（しきい値の負へのシフト）、移動度の低下等）をもたらす。加えて、特性のばらつきの原因ともなる。
【００４３】
このような問題は、特に結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著となる。したがって、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の水素の濃度が５×１０１９ｃｍ−３以下、特に５×１０１８ｃｍ−３以下である場合には、アルカリ金属の濃度を上記の値にすることが強く求められる。よって、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜中の不純物を極めて低減し、アルカリ金属の濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、水素の濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好ましい。
【００４４】
以上のように、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００４５】
次に、酸化物半導体膜中の酸素欠陥がどのようにして当該酸化物半導体膜の電気伝導度に影響を与えるか、密度汎関数理論に基づいた第一原理計算を用いて考察した結果について説明する。なお、以下の第一原理計算には、ａｃｃｅｌｒｙｓ社製の第一原理計算ソフト「ＣＡＳＴＥＰ」を用いた。また、汎関数はＧＧＡ−ＰＢＥを、擬ポテンシャルはウルトラソフト型を用いた。
【００４６】
本計算では、酸化物半導体膜のモデルとして、アモルファス状のＩｎＧａＺｎＯ４において酸素原子を一つ脱離させて当該部位に空孔（酸素欠陥）を残存させたモデルを作成して計算を行った。当該モデルの原子数は、Ｉｎを１２個、Ｇａを１２個、Ｚｎを１２個、Ｏを４７個とした。このような構造のＩｎＧａＺｎＯ４に対して原子配置に関する構造最適化を行い、電子状態密度を算出した。このとき、カットオフエネルギーは３００ｅＶとした。
【００４７】
電子状態密度計算の結果を図３に示す。図３は、縦軸に状態密度（ＤＯＳ：Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅ）［ｓｔａｔｅｓ／ｅＶ］をとり、横軸にエネルギー［ｅＶ］をとっており、横軸に示すエネルギーの原点は、フェルミエネルギーを示している。図３に示すように、ＩｎＧａＺｎＯ４の価電子帯上端は−０．７４ｅＶ、伝導帯下端は０．５６ｅＶとなっている。バンドギャップの値はＩｎＧａＺｎＯ４の実験値３．１５ｅＶと比較すると非常に小さいが、密度汎関数理論に基づいた第一原理計算ではバンドギャップが実験値よりも小さくなる事は良く知られており、今回の計算が不適切である事を示しているわけではない。
【００４８】
図３から、酸素欠陥を有するアモルファス状のＩｎＧａＺｎＯ４は、バンドギャップ内に深い準位を有することが分かる。つまり、酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体のバンド構造では、酸素欠陥に起因するトラップ準位が当該バンドギャップ内の深い準位として表されることが推測される。
【００４９】
以上の考察に基づく、酸素欠陥を有するアモルファス状の酸化物半導体のバンドダイアグラムを図４に示す。図４は、縦軸にエネルギー、横軸にＤＯＳをとり、価電子帯（ＶＢ：Ｖａｌｅｎｃｅ Ｂａｎｄ）の上端のエネルギー準位Ｅｖから伝導帯（ＣＢ：Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｂａｎｄ）の下端のエネルギー準位Ｅｃまでのエネルギーギャップは、実験値に基づき３．１５ｅＶとした。
【００５０】
図４に示すバンドダイアグラム中には、当該酸化物半導体のアモルファス性に起因するテールステートを伝導帯下端近傍に表している。さらに、伝導帯下端より約０．１ｅＶの浅いエネルギー準位に、当該アモルファス状の酸化物半導体内のダングリングボンドなどに結合する水素に起因する水素ドナー準位を想定している。そして、伝導帯下端より約１．８ｅＶの深いエネルギー準位に、上述した当該アモルファス状の酸化物半導体内の酸素欠陥に起因するトラップ準位を表している。なお、酸素欠陥に起因するトラップ準位のエネルギー準位の値については、後述する実施例において詳細を説明する。
【００５１】
さらに以上の考察に基づく、バンドギャップ中にこのようなエネルギー準位、特に酸素欠陥に起因する深いトラップ準位を有するアモルファス状の酸化物半導体の場合における、バンド構造の電子と正孔の再結合モデルを図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す。
【００５２】
図５（Ａ）に示す再結合モデルは、価電子帯に十分な数の正孔が存在し、且つ伝導帯に十分な数の電子が存在する場合の再結合モデルである。当該アモルファス状の酸化物半導体膜を光照射環境下に曝して、十分な数の電子正孔対が生成されることにより、当該酸化物半導体のバンド構造は図５（Ａ）に示すような再結合モデルで表される。当該再結合モデルにおいて、正孔は価電子帯の上端だけでなく、酸素欠陥に起因する深いトラップ準位にも生成される。
【００５３】
図５（Ａ）に示す再結合モデルでは、２種類の再結合過程が並列に起こることを想定している。一つの再結合過程は、伝導帯の電子が価電子帯の正孔と直接再結合するバンド間再結合と呼ばれる再結合過程である。そしてもう一つの再結合過程は、伝導帯の電子が酸素欠陥に起因するトラップ準位の正孔と再結合する再結合過程である。ここで、バンド間再結合は酸素欠陥に起因するトラップ準位における再結合より頻度が高いので、価電子帯の正孔の数が十分に少なくなることで、先にバンド間再結合が終了する。これにより図５（Ａ）に示す再結合モデルは、伝導帯下端の電子が酸素欠陥に起因するトラップ準位の正孔と再結合する再結合過程だけとなって図５（Ｂ）に示す再結合モデルに移行する。
【００５４】
なお、価電子帯に十分な数の正孔が存在し、且つ伝導帯に十分な数の電子が存在するようにするには、当該酸化物半導体に十分な光照射を行えばよく、その後光照射を止めることにより、図５（Ａ）に示す再結合モデルのように、電子と正孔の再結合が行われる。この時の当該酸化物半導体中を流れる電流（光電流とも呼ばれる。）が減衰するのに要する時間（緩和時間）は、図５（Ｂ）に示す再結合モデルにおける光電流の緩和時間と比較すると短くなる。なお、これらの詳細については、後述する実施例を参照されたい。
【００５５】
次に、図５（Ｂ）に示す再結合モデルは、図５（Ａ）に示す再結合モデルが進行し、価電子帯の正孔の数が十分に低減された後の再結合モデルである。図５（Ｂ）に示す再結合モデルでは、再結合過程がほとんど酸素欠陥に起因するトラップ準位における再結合だけになってしまうので、図５（Ａ）に示す再結合モデルと比較して伝導帯の電子の数は緩やかに減少する。もちろん当該再結合過程の間、伝導帯に存在する電子は酸化物半導体膜中の電気伝導に寄与する。これにより、バンド間再結合が主な再結合過程である、図５（Ａ）に示す再結合モデルと比較して、図５（Ｂ）に示す再結合モデルは光電流の緩和時間が長くなる。なお、これらの詳細については、後述する実施例を参照されたい。
【００５６】
このように、酸素欠陥に起因する深いトラップ準位を有するアモルファス状の酸化物半導体は、バンド構造における電子正孔対の再結合モデルを２種類有し、光電流の緩和時間も２種類に分けることができる。ここで、特に図５（Ｂ）に示す再結合モデルにおける光電流の緩和の遅延は、当該酸化物半導体膜をトランジスタなどに用いて光照射下でゲート電極に負バイアスをかける際に、当該酸化物半導体膜やその界面に固定電荷を形成する原因となりうる。このようにして、酸化物半導体膜中の酸素欠陥は当該酸化物半導体膜の電気伝導度に悪影響を与えることが考察される。
【００５７】
しかし、本発明の一態様に係る、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥が低減されている。よって、本発明の一態様に係る、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００５８】
以上、本実施の形態に示す構成などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【００５９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を用いたトランジスタおよび当該トランジスタの作製方法について図６乃至図１０を用いて説明する。図６は、半導体装置の構成の一形態である、トップゲート構造のトランジスタ１２０の作製工程を示す断面図である。
【００６０】
まず、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を成膜する前に、図６（Ａ）に示すように、基板５１上に下地絶縁膜５３を形成することが好ましい。
【００６１】
基板５１は、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。基板５１としてガラス基板を用いる場合、歪み点が７３０℃以上のものを用いることが好ましい。ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられる。なお、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。基板５１がマザーガラスの場合、基板の大きさは、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（４００ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍまたは１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等を用いることができる。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して大量生産を行う場合、作製工程の加熱処理は、６００℃以下、好ましくは４５０℃以下とすることが望ましい。
【００６２】
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いることができる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。さらには、シリコンウェハ等の半導体基板の表面や金属材料よりなる導電性の基板の表面に絶縁層を形成したものを用いることもできる。
【００６３】
下地絶縁膜５３は、加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を下地絶縁膜５３に用いることで、後の工程で加熱処理を行う際に酸化物半導体膜に酸素を拡散させることができる。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜としては、代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等を用いることができる。
【００６４】
下地絶縁膜５３は、５０ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。下地絶縁膜５３を厚くすることで、下地絶縁膜５３からの酸素放出量を増加させることができると共に、その増加によって下地絶縁膜５３及び後に形成される酸化物半導体膜との界面における欠陥を低減することが可能である。
【００６５】
下地絶縁膜５３は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。なお、加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜は、スパッタリング法を用いることで容易に形成することができる。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜をスパッタリング法により形成する場合は、成膜ガス中の酸素量が高いことが好ましく、酸素、または酸素及び希ガスの混合ガス等を用いることができる。代表的には、成膜ガス中の酸素濃度を６％以上１００％以下にすることが好ましい。
【００６６】
また、下地絶縁膜５３は、必ずしも加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を用いて形成する必要はなく、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウムなどを用いて窒化物絶縁膜を形成してもよい。また、下地絶縁膜５３は、上記の酸化物絶縁膜と窒化物絶縁膜の積層構造としてもよく、その場合には窒化物絶縁膜上に酸化物絶縁膜を設けることが好ましい。下地絶縁膜５３として窒化物絶縁膜を用いることにより、アルカリ金属などの不純物を含むガラス基板を用いる場合、アルカリ金属などの酸化物半導体膜への侵入を防止できる。リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属は、酸化物半導体に対して悪性の不純物であるために酸化物半導体膜中の含有量を少なくすることが好ましい。窒化物絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法等で形成することができる。
【００６７】
次に、図６（Ｂ）に示すように、スパッタリング装置を用いたスパッタリング法により、下地絶縁膜５３上に厚さ３０ｎｍ以上５０μｍ以下の結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜５５を成膜する。
【００６８】
ここで、スパッタリング装置の処理室について、図７（Ａ）を用いて説明する。処理室３１には、排気手段３３及びガス供給手段３５が接続される。また、処理室３１内には、基板支持体４０及びターゲット４１が設けられる。ターゲット４１は、電源装置３７に接続される。
【００６９】
処理室３１は、ＧＮＤに接続されている。また、処理室３１のリークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とすることで、スパッタリング法により成膜する膜への不純物の混入を低減することができる。
【００７０】
リークレートを低くするには、外部リークのみならず内部リークを低減する必要がある。外部リークとは、微小な穴やシール不良などによって真空系の外から気体が流入することである。内部リークとは、真空系内のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の部材からの放出ガスに起因する。リークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とするためには、外部リーク及び内部リークの両面から対策をとる必要がある。
【００７１】
外部リークを減らすには、処理室の開閉部分はメタルガスケットでシールするとよい。メタルガスケットは、フッ化鉄、酸化アルミニウム、または酸化クロムによって被覆された金属材料を用いると好ましい。メタルガスケットはＯリングと比べ密着性が高く、外部リークを低減できる。また、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態によって被覆された金属材料を用いることで、メタルガスケットから生じる水素を含む放出ガスが抑制され、内部リークも低減することができる。
【００７２】
処理室３１の内壁を構成する部材として、水素を含む放出ガスの少ないアルミニウム、クロム、チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の材料を鉄、クロム及びニッケルなどを含む合金材料に被覆して用いてもよい。鉄、クロム及びニッケルなどを含む合金材料は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで、表面積を小さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガスを低減できる。あるいは、前述のスパッタリング装置の部材をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で被覆してもよい。
【００７３】
処理室３１の内部に設ける部材は、極力金属材料のみで構成することが好ましく、例えば石英などで構成される覗き窓などを設置する場合も、放出ガスを抑制するために表面をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で薄く被覆するとよい。
【００７４】
さらに、スパッタガスを処理室３１に導入する直前に、スパッタガスの精製機を設けることが好ましい。このとき、精製機から処理室までの配管の長さを５ｍ以下、好ましくは１ｍ以下とする。配管の長さを５ｍ以下または１ｍ以下とすることで、配管からの放出ガスの影響を長さに応じて低減できる。
【００７５】
シリンダーから処理室３１まで、スパッタガスを流すための配管にはフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で内部が被覆された金属配管を用いることが好ましい。前述の配管は、例えばＳＵＳ３１６Ｌ−ＥＰ配管と比べ、水素を含むガスの放出量が少なく、成膜ガスへの不純物の混入を低減できる。また、配管の継手には、高性能超小型メタルガスケット継手（ＵＰＧ継手）を用いるとよい。また、配管の材料を全て金属材料で構成することで、樹脂等を用いた場合と比べ、生じる放出ガス及び外部リークの影響を低減できるため好ましい。
【００７６】
処理室３１の排気は、ドライポンプなどの粗引きポンプと、スパッタイオンポンプ、ターボ分子ポンプ及びクライオポンプなどの高真空ポンプとを適宜組み合わせて行うとよい。ターボ分子ポンプは大きいサイズの分子の排気が優れる一方、水素や水の排気能力が低い。そこで、水の排気能力の高いクライオポンプ及び水素の排気能力の高いスパッタイオンポンプを組み合わせることが有効となる。
【００７７】
処理室３１の内側に存在する吸着物は、内壁に吸着しているために処理室の圧力に影響しないが、処理室を排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に相関はないが、排気能力の高いポンプを用いて、処理室に存在する吸着物をできる限り脱離し、予め排気しておくことが重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、処理室をベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を１０倍程度大きくすることができる。ベーキングは１００℃以上４５０℃以下で行えばよい。このとき、不活性ガスを導入しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しにくい水などの脱離速度をさらに大きくすることができる。
【００７８】
排気手段３３は、処理室３１内の不純物を排気すると共に、処理室３１内の圧力を制御することができる。排気手段３３は、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。上記吸着型の真空ポンプを用いることで、酸化物半導体膜に含まれる水素の量を低減することができる。
【００７９】
なお、酸化物半導体膜に含まれる水素は、水素原子の他、水素分子、水、水酸基、または水素化物として含まれる場合もある。
【００８０】
ガス供給手段３５は、ターゲットをスパッタリングするためのガスを処理室３１内に供給する手段である。ガス供給手段３５は、ガスが充填されたシリンダ、圧力調整弁、ストップバルブ、マスフローコントローラ等で構成されている。なお、ガス供給手段３５に精製機を設けることで、処理室３１内に導入するガスに含まれる不純物を低下することができる。ターゲットをスパッタリングするガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガスを用いる。または、上記希ガスの一と、酸素との混合ガスを用いることができる。
【００８１】
電源装置３７は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜用いることができる。なお、図示しないがターゲットを支持するターゲット支持体の内部または外側にマグネットを設けると、ターゲット周辺に高密度のプラズマを閉じこめることができ、成膜速度の向上及び基板へのプラズマダメージを低減できる。当該方法は、マグネトロンスパッタリング法とよばれる。更には、マグネトロンスパッタリング法において、マグネットを回転可能にすると、磁界の偏りを低減できるため、ターゲットの使用効率が高まり、かつ基板の面内における膜質のばらつきを低減できる。
【００８２】
基板支持体４０は、ＧＮＤに接続されている。基板支持体４０にはヒータが設けられている。ヒータとしては、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いることができる。
【００８３】
ターゲット４１としては、亜鉛を含む金属酸化物ターゲットを用いることが好ましい。ターゲット４１の代表例としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などのターゲットを用いることができる。
【００８４】
ターゲット４１の一例として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む金属酸化物ターゲットを、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比とする。また、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【００８５】
なお、ターゲット４１と基板５１との間隔（Ｔ−Ｓ間距離）は、原子量の小さい原子が優先的に基板５１上の下地絶縁膜５３に到着することが可能な間隔とすることが好ましい。
【００８６】
図７（Ａ）に示すように、基板支持体４０上に下地絶縁膜５３が形成された基板５１を、スパッタリング装置の処理室３１内に設置する。次に、ガス供給手段３５から処理室３１にターゲット４１をスパッタリングするガスを導入する。ターゲット４１の純度は、９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上のものを用いる。次に、ターゲット４１に接続される電源装置３７に電力を供給する。この結果、ガス供給手段３５から処理室３１に導入されたスパッタリングガスのイオン４３及び電子が、ターゲット４１をスパッタリングする。
【００８７】
ここで、ターゲット４１及び基板５１の間隔を、原子量の小さい原子が優先的に基板５１上の下地絶縁膜５３に到着し堆積することが可能な間隔としておくことにより、図７（Ｂ）に示すように、ターゲット４１に含まれる原子において、原子量の小さい原子４５が、原子量の大きい原子４７より優先的に基板側へ移動することができる。
【００８８】
ターゲット４１においては、亜鉛は、インジウム等よりも原子量が小さい。このため、亜鉛が優先的に下地絶縁膜５３上に堆積する。また、成膜時の雰囲気に酸素を含み、基板支持体４０には、成膜時に基板及び堆積膜を加熱するヒータが設けられるため、下地絶縁膜５３上に堆積した亜鉛が酸化され、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶５５ａ、代表的には六方晶構造の酸化亜鉛を有する種結晶が形成される。なお、ターゲット４１にアルミニウム等の亜鉛より原子量の小さい原子が含まれる場合、亜鉛と共に、アルミニウム等の亜鉛より原子量の小さい原子も優先的に下地絶縁膜５３上に堆積する。
【００８９】
種結晶５５ａは、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶のウルツ鉱構造の亜鉛を含む結晶を有する。ここで、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶構造の亜鉛を含む結晶について、図８を用いて説明する。ここでは、六方晶構造の亜鉛を含む結晶の代表例として、酸化亜鉛を用いて説明し、黒丸が亜鉛、白丸が酸素を示す。図８（Ａ）は、ａ−ｂ面における、六方晶構造の酸化亜鉛の模式図であり、図８（Ｂ）は、紙面の縦方向をｃ軸方向とした、六方晶構造の酸化亜鉛の模式図である。図８（Ａ）に示すように、ａ−ｂ面における上平面において、亜鉛及び酸素が六角形をなす結合をしている。また、図８（Ｂ）に示すように、亜鉛及び酸素がなす六角形の格子を有する結合を有する層が積層され、ｃ軸方向はａ−ｂ面に垂直である。種結晶５５ａは、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有する層をｃ軸方向に１原子層以上有する。
【００９０】
連続して、ターゲット４１をスパッタリングガスでスパッタリングすることで、種結晶５５ａ上にターゲットに含まれる原子が堆積するが、このとき種結晶５５ａを核として結晶成長するため、種結晶５５ａ上に六方晶構造の結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜５５ｂを形成することができる。なお、基板５１は、基板支持体４０に設けられるヒータによって加熱されるため、種結晶５５ａを核とし、被表面に堆積する原子が酸化されつつ結晶成長する。
【００９１】
酸化物半導体膜５５ｂは、種結晶５５ａを核とし、ターゲット４１の表面における原子量の重い原子、及び種結晶５５ａの形成の後にスパッタリングされた原子量の軽い原子が酸化されつつ結晶成長するため、種結晶５５ａと同様に、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶構造の結晶性を有する領域を含む。即ち、種結晶５５ａ及び酸化物半導体膜５５ｂで構成される酸化物半導体膜５５は、下地絶縁膜５３表面に概略平行なａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ｃ軸が膜表面に概略垂直である六方晶構造の結晶性を有する領域を含む。つまり、酸化物半導体膜５５に含まれる六方晶構造の結晶性を有する領域はｃ軸配向している。なお、図６（Ｂ）では、種結晶５５ａと酸化物半導体膜５５ｂの界面を点線で示し、酸化物半導体膜の積層と説明しているが、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示している。
【００９２】
このときのヒータによる基板の加熱温度は２００℃より大きく４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下とする。２００℃より大きく４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下に基板を加熱しながら成膜をすることによって、成膜と同時に加熱処理がなされるので、良好な結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を成膜することができる。なお、スパッタリング時における被成膜面の温度は、２５０℃以上基板の熱処理上限温度以下とする。
【００９３】
なお、スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、希ガス及び酸素の混合ガスを適宜用いる。また、スパッタリングガスには、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【００９４】
なお、基板支持体４０及びターゲット４１を有する処理室の圧力を０．４Ｐａ以下とすることで、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の表面及び膜中への、アルカリ金属、水素等の不純物の混入を低減することができる。
【００９５】
また、スパッタリング装置の処理室のリークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とすることで、スパッタリング法による成膜途中における結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜への、アルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等の不純物の混入を低減することができる。また、排気系として吸着型の真空ポンプを用いることで、排気系からアルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等の不純物の逆流を低減することができる。
【００９６】
また、ターゲット４１の純度を、９９．９９％以上とすることで、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜に混入するアルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等を低減することができる。また、当該ターゲットを用いることで、酸化物半導体膜５５において、リチウムの濃度を５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、ナトリウムの濃度を５×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、カリウムの濃度を５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とすることができる。
【００９７】
上記の成膜方法では、同一のスパッタリング工程において、ターゲットに含まれる原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化絶縁膜に堆積させ、種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいインジウム等を結晶成長させつつ堆積させるため、複数の工程を経ずとも、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することができる。
【００９８】
上記の酸化物半導体膜５５の成膜方法では、スパッタリング法の成膜によって、種結晶５５ａと酸化物半導体膜５５ｂとを一括で成膜しながら結晶化したが、本実施の形態に係る酸化物半導体膜は必ずしもこのように成膜する必要はない。たとえば、種結晶と酸化物半導体膜の成膜と結晶化をそれぞれ別々に行っても良い。
【００９９】
以下に、図９を用いて、種結晶と酸化物半導体膜の成膜と結晶化をそれぞれ別々に行う方法について説明する。また、以下のように結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を成膜する方法を、本明細書中で２ｓｔｅｐ法とよぶ場合がある。なお、図１の断面ＴＥＭ像に示した、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、当該２ｓｔｅｐ法をもちいて形成したものである。
【０１００】
まず、下地絶縁膜５３上に膜厚１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の酸化物半導体膜を形成する。第１の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法による成膜時の基板温度は２００℃以上４００℃以下とすることが好ましい。その他の成膜条件については、上記の酸化物半導体膜の成膜方法と同様である。
【０１０１】
次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とする。第１の加熱処理によって、第１の酸化物半導体膜を結晶化し、種結晶５６ａを形成する（図９（Ａ）参照）。
【０１０２】
第１の加熱処理の温度にもよるが、第１の加熱処理によって、膜表面から結晶化が起こり、膜の表面から内部に向かって結晶成長し、ｃ軸配向した結晶が得られる。第１の加熱処理によって、亜鉛と酸素が膜表面に多く集まり、上平面が六角形をなす亜鉛と酸素からなるグラフェンタイプの二次元結晶が最表面に１層または複数層形成され、これが膜厚方向に成長して重なり積層となる。加熱処理の温度を上げると表面から内部、そして内部から底部と結晶成長が進行する。
【０１０３】
また、下地絶縁膜５３に加熱により酸素の一部が放出される酸化物絶縁膜をもちいることにより、第１の加熱処理によって、下地絶縁膜５３中の酸素を種結晶５６ａとの界面またはその近傍（界面からプラスマイナス５ｎｍ）に拡散させて、種結晶５６ａの酸素欠陥を低減することができる。
【０１０４】
次いで、種結晶５６ａ上に１０ｎｍよりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成する。第２の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、その成膜時における基板温度は２００℃以上４００℃以下とする。その他の成膜条件については、上記の酸化物半導体膜の成膜方法と同様である。
【０１０５】
次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とする。第２の加熱処理によって、第２の酸化物半導体膜を結晶化し、酸化物半導体膜５６ｂを形成する（図９（Ｂ）参照）。第２の加熱処理は、窒素雰囲気下、酸素雰囲気下、或いは窒素と酸素の混合雰囲気下で行うことにより、酸化物半導体膜５６ｂの高密度化及び欠陥数の減少を図る。第２の加熱処理によって、種結晶５６ａを核として膜厚方向、即ち底部から内部に結晶成長が進行して結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜５６ｂが形成される。このようにして、種結晶５６ａと酸化物半導体膜５６ｂとからなる酸化物半導体膜５６が形成される。図９（Ｂ）では、種結晶５６ａと酸化物半導体膜５６ｂの界面を点線で示し、酸化物半導体積層と説明しているが、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示している。
【０１０６】
また、下地絶縁膜５３の形成から第２の加熱処理までの工程を大気に触れることなく連続的に行うことが好ましい。下地絶縁膜５３の形成から第２の加熱処理までの工程は、水素及び水分をほとんど含まない雰囲気（不活性雰囲気、減圧雰囲気、乾燥空気雰囲気など）下に制御することが好ましく、例えば、水分については露点−４０℃以下、好ましくは露点−５０℃以下の乾燥窒素雰囲気とすることが好ましい。
【０１０７】
上記の成膜方法では、原子量の小さい原子を優先的に酸化絶縁膜に堆積させる成膜方法と比較して、成膜時の基板温度が低くても、良好な結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することができる。なお、上記の２ｓｔｅｐ法を用いて成膜した、酸化物半導体膜５６も、原子量の小さい原子を優先的に酸化絶縁膜に堆積させる成膜方法を用いて成膜した酸化物半導体膜５５と同程度の結晶性を有し、電気伝導度も安定している。よって、どちらの方法で成膜した酸化物半導体膜を用いても、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、以下の工程においては、酸化物半導体膜５５を用いてトランジスタ１２０の作製工程を説明するが、もちろん同様に酸化物半導体膜５６も用いることができる。
【０１０８】
以上の工程により、下地絶縁膜５３上に種結晶５５ａと酸化物半導体膜５５ｂの積層からなる酸化物半導体膜５５を成膜することができる。次に、基板５１に加熱処理を施して、酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜５５と、下地絶縁膜５３と酸化物半導体膜５５の界面近傍と、に拡散させることが好ましい。
【０１０９】
加熱処理温度は、酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を放出させ、さらには酸化物半導体膜５５に拡散させる温度が好ましく、代表的には、１５０℃以上基板５１の歪み点未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下とする。なお、加熱処理温度は、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の成膜温度より高くすることで、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部をより多く放出させることができる。
【０１１０】
加熱処理は、水素及び水分をほとんど含まない、不活性ガス雰囲気、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気などで行うことが好ましい。不活性ガス雰囲気としては、代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガス雰囲気で行うことが好ましい。また、加熱処理の加熱時間は１分以上２４時間以下とする。
【０１１１】
当該加熱処理により、酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜５５と、下地絶縁膜５３と酸化物半導体膜５５の界面近傍と、に拡散させることができる。当該工程により、酸化物半導体膜５５中に含まれる酸素欠陥を低減することができる。この結果、水素濃度及び酸素欠陥が低減された結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することができる。
【０１１２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜５５上にマスクを形成し、当該マスクを用いて酸化物半導体膜５５を選択的にエッチングして、酸化物半導体膜５９を形成する。この後、マスクは除去する。
【０１１３】
酸化物半導体膜５５をエッチングするためのマスクは、フォトリソグラフィ工程、インクジェット法、印刷法等を適宜用いて作製することができる。また、酸化物半導体膜５５のエッチングはウエットエッチングまたはドライエッチングを適宜用いることができる。
【０１１４】
次に、図６（Ｄ）に示すように、酸化物半導体膜５９に接するソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成する。
【０１１５】
ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、ジルコニウムから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた金属元素を単数または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、Ｃｕ−Ｍｇ−Ａｌ合金膜上に銅膜を積層する２層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。
【０１１６】
また、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【０１１７】
ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で導電膜を形成した後、該導電膜上にマスクを形成して導電膜をエッチングして形成する。導電膜上に形成するマスクは印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を適宜用いることができる。また、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂは、印刷法またはインクジェット法により直接形成することもできる。
【０１１８】
ここでは、酸化物半導体膜５９および下地絶縁膜５３上に導電膜を成膜した後、導電膜を所定の形状にエッチングしてソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成する。
【０１１９】
なお、酸化物半導体膜５５上に導電膜を形成した後、多階調フォトマスクを用いて、酸化物半導体膜５５および導電膜のエッチングを行って、酸化物半導体膜５９、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成しても良い。凹凸状のマスクを形成し、当該マスクを用いて酸化物半導体膜５５および導電膜をエッチングした後、アッシングにより凹凸状のマスクを分離し、当該分離されたマスクにより導電膜を選択的にエッチングすることで、酸化物半導体膜５９、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂを形成することができる。当該工程により、フォトマスク数およびフォトリソグラフィ工程数を削減することができる。
【０１２０】
次に、酸化物半導体膜５９およびソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂ上にゲート絶縁膜６３を形成する。
【０１２１】
ゲート絶縁膜６３は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または酸化ガリウムを単層でまたは積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁膜６３は、酸化物半導体膜５９と接する部分が酸素を含むことが好ましく、特に好ましくは下地絶縁膜５３と同様に加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いて形成する。酸素を放出する酸化物絶縁膜として酸化シリコン膜を用いることで、後の工程で加熱処理を行う際に酸化物半導体膜５９に酸素を拡散させることができ、トランジスタ１２０の特性を良好にすることができる。
【０１２２】
また、ゲート絶縁膜６３として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでゲートリークを低減できる。さらには、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、および酸化ガリウムのいずれか一以上との積層構造とすることができる。ゲート絶縁膜６３の厚さは、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とするとよい。ゲート絶縁膜６３の厚さを５ｎｍ以上とすることで、ゲートリーク電流を低減することができる。
【０１２３】
なお、ゲート絶縁膜６３を形成する前に、酸化物半導体膜５９の表面を、酸素、オゾン、一酸化二窒素等の酸化性ガスのプラズマに曝し、酸化物半導体膜５９の表面を酸化し、酸素欠損を低減してもよい。
【０１２４】
次に、ゲート絶縁膜６３上であって、酸化物半導体膜５９と重畳する領域にゲート電極６５を形成する。
【０１２５】
ゲート電極６５は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、ジルコニウムから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた金属元素を単数または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極６５は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。
【０１２６】
また、ゲート電極６５は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物をターゲットとし、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより得られる化合物導電体を用いても良い。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【０１２７】
さらに、ゲート電極６５上に保護膜として絶縁膜６９を形成してもよい（図６（Ｅ）参照。）。また、ゲート絶縁膜６３および絶縁膜６９にコンタクトホールを形成した後、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂに接続する配線を形成してもよい。
【０１２８】
絶縁膜６９は、ゲート絶縁膜６３と同様の絶縁膜を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜６９としてスパッタリング法で得られる窒化シリコン膜を形成すると、外部からの水分やアルカリ金属の侵入を防止することが可能であり、酸化物半導体膜５９の不純物の含有量を低減することができる。
【０１２９】
なお、ゲート絶縁膜６３の形成の後、または絶縁膜６９の形成の後、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理によって、酸化物半導体膜５９から水素を放出させると共に、下地絶縁膜５３、ゲート絶縁膜６３または絶縁膜６９に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜５９と、下地絶縁膜５３と酸化物半導体膜５９の界面近傍と、ゲート絶縁膜６３と酸化物半導体膜５９の界面近傍と、に拡散させることができる。当該工程により、酸化物半導体膜５９中に含まれる酸素欠陥を低減することができると共に、酸化物半導体膜５９と下地絶縁膜５３、または酸化物半導体膜５９とゲート絶縁膜６３の界面における欠陥を低減することができる。この結果、水素濃度及び酸素欠陥が低減された酸化物半導体膜５９を形成することができる。このように高純度化され、ｉ型（真性半導体）またはｉ型に限りなく近い酸化物半導体膜を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実現することができる。
【０１３０】
以上の工程により、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタ１２０を作製することができる。図６（Ｅ）に示すように、トランジスタ１２０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、酸化物半導体膜５９上に設けられたゲート絶縁膜６３と、酸化物半導体膜５９と重畳してゲート絶縁膜６３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられた絶縁膜６９とを有する。
【０１３１】
トランジスタ１２０に用いられている結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０１３２】
また、本発明に係る半導体装置は、図６に示すトランジスタ１２０に限られるものではない。例えば、図１０（Ａ）に示すトランジスタ１３０のような構造としても良い。トランジスタ１３０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの上面および側面と接するように設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９上に設けられたゲート絶縁膜６３と、酸化物半導体膜５９と重畳してゲート絶縁膜６３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられた絶縁膜６９とを有する。つまり、トランジスタ１３０は、酸化物半導体膜５９がソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの上面および側面と接するように設けられている点において、トランジスタ１２０と異なる。
【０１３３】
また、図１０（Ｂ）に示すトランジスタ１４０のような構造としても良い。トランジスタ１４０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられたゲート絶縁膜６３と、ゲート絶縁膜６３上に設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、酸化物半導体膜５９上に設けられた絶縁膜６９とを有する。つまり、トランジスタ１４０は、ゲート電極６５とゲート絶縁膜６３が酸化物半導体膜５９の下に設けられた、ボトムゲート構造である点において、トランジスタ１２０と異なる。
【０１３４】
また、図１０（Ｃ）に示すトランジスタ１５０のような構造としても良い。トランジスタ１５０は、基板５１上に設けられた下地絶縁膜５３と、下地絶縁膜５３上に設けられたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に設けられたゲート絶縁膜６３と、ゲート絶縁膜６３上に設けられたソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂと、ソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの上面および側面と接するように設けられた酸化物半導体膜５９と、酸化物半導体膜５９上に設けられた絶縁膜６９とを有する。つまり、トランジスタ１５０は、ゲート電極６５とゲート絶縁膜６３が酸化物半導体膜５９の下に設けられた、ボトムゲート構造である点において、トランジスタ１３０と異なる。
【０１３５】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、先の実施の形態に示す、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を用いたトランジスタとは異なる構造のトランジスタについて図１１および図１２を用いて説明する。
【０１３７】
図１１（Ａ）に示すトップゲート構造のトランジスタ１６０は、基板３５１上に設けられた下地絶縁膜３５３と、下地絶縁膜３５３上に設けられた金属酸化物膜３７１と、金属酸化物膜３７１上に設けられた酸化物半導体膜３５９と、酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂと、酸化物半導体膜３５９上に設けられた金属酸化物膜３７３と、金属酸化物膜３７３上に設けられたゲート絶縁膜３６３と、酸化物半導体膜３５９と重畳してゲート絶縁膜３６３上に設けられたゲート電極３６５と、ゲート電極３６５上に設けられた絶縁膜３６９とを有する。
【０１３８】
つまり、トランジスタ１６０は、下地絶縁膜３５３と酸化物半導体膜３５９との間に金属酸化物膜３７１が設けられ、酸化物半導体膜３５９とゲート絶縁膜３６３との間に金属酸化物膜３７３が設けられている点において、先の実施の形態に示すトランジスタ１２０と異なる。なお、トランジスタ１６０の他の構成については先の実施の形態に示すトランジスタ１２０と同様である。つまり、基板３５１の詳細については基板５１の記載を、下地絶縁膜３５３の詳細については下地絶縁膜５３の記載を、酸化物半導体膜３５９の詳細については酸化物半導体膜５９の記載を、ソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂの詳細についてはソース電極６１ａおよびドレイン電極６１ｂの記載を、ゲート絶縁膜３６３の詳細についてはゲート絶縁膜６３の記載を、ゲート電極３６５の詳細についてはゲート電極６５の記載を参酌することができる。
【０１３９】
金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３には、酸化物半導体膜３５９と同種の成分でなる金属酸化物を用いるのが望ましい。ここで、「酸化物半導体膜と同種の成分」とは、酸化物半導体膜の構成金属原子から選択される一または複数の原子を含むことを意味する。特に、当該酸化物半導体膜３５９の結晶性を有する領域の結晶構造と同様の結晶構造を取りうる構成原子とすることが好ましい。このように、酸化物半導体膜３５９と同種の成分でなる金属酸化物を用いて金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３を形成し、酸化物半導体膜３５９と同様に結晶性を有する領域を含むようにすることが好ましい。当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなることが好ましい。つまり、当該結晶性を有する領域は、ｃ軸配向していることが好ましい。また、当該結晶性を有する領域を膜表面に垂直な方向から観察すると、六角形の格子状に原子が配列される構造となることが好ましい。
【０１４０】
以上のような結晶性を有する領域を含む金属酸化物膜３７１を設けることによって、金属酸化物膜３７１と酸化物半導体膜３５９との界面およびその近傍に、ｃ軸の配向が連続した結晶性を有する領域が形成されうる。これにより、金属酸化物膜３７１と酸化物半導体膜３５９との界面およびその近傍において、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されうる。また、金属酸化物膜３７３と酸化物半導体膜３５９との界面およびその近傍についても同様に、ｃ軸の配向が連続した結晶性を有する領域が形成されうる。
【０１４１】
上述のように、これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、キャリアの供給源のように機能するため、酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、酸化物半導体膜３５９は、金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３との界面とその近傍においてもこれらが低減されている。故に酸化物半導体膜３５９は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜３５９、金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０１４２】
金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３としては、例えば、酸化物半導体膜３５９にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物を用いる場合には、酸化ガリウムを含む金属酸化物、特に、酸化ガリウムに酸化亜鉛を添加したＧａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物などを用いて形成すればよい。Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物は、酸化ガリウムに対する酸化亜鉛の物質量が５０％未満となるようにし、より好ましくは２５％未満となるようにする。なお、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物とＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物を接触させた場合のエネルギー障壁は、伝導帯側で約０．５ｅＶとし、価電子帯側で約０．７ｅＶとすることができる。
【０１４３】
なお、酸化物半導体膜３５９を活性層として用いる関係上、金属酸化物膜３７１や金属酸化物膜３７３のエネルギーギャップは、酸化物半導体膜３５９のエネルギーギャップより大きいことが求められる。また、金属酸化物膜３７１と酸化物半導体膜３５９の間、または、金属酸化物膜３７３と酸化物半導体膜３５９の間には、少なくとも室温（２０℃）において、酸化物半導体膜３５９からキャリアが流出しない程度のエネルギー障壁の形成が求められる。例えば、金属酸化物膜３７１や金属酸化物膜３７３の伝導帯の下端と、酸化物半導体膜３５９の伝導帯の下端とのエネルギー差、あるいは、金属酸化物膜３７１や金属酸化物膜３７３の価電子帯の上端と、酸化物半導体膜３５９の価電子帯の上端とのエネルギー差は０．５ｅＶ以上であるのが望ましく、０．７ｅＶ以上であるとより望ましい。また、１．５ｅＶ以下であると望ましい。
【０１４４】
また、金属酸化物膜３７１のエネルギーギャップは下地絶縁膜３５３のエネルギーギャップより小さく、金属酸化物膜３７３のエネルギーギャップはゲート絶縁膜３６３のエネルギーギャップより小さいことが好ましい。
【０１４５】
ここで、図１２に、トランジスタ１６０、すなわち、ゲート電極３６５側からゲート絶縁膜３６３、金属酸化物膜３７３、酸化物半導体膜３５９、金属酸化物膜３７１および下地絶縁膜３５３を接合した構造、におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図１２は、ゲート電極３６５側からゲート絶縁膜３６３、金属酸化物膜３７３、酸化物半導体膜３５９、金属酸化物膜３７１および下地絶縁膜３５３のいずれもが真性であるという理想的な状況を仮定し、ゲート絶縁膜３６３、下地絶縁膜３５３として酸化シリコン（バンドギャップＥｇ８ｅＶ〜９ｅＶ）を、金属酸化物膜としてＧａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物（バンドギャップＥｇ４．４ｅＶ）を、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物（バンドギャップＥｇ３．２ｅＶ）を用いた場合について示している。なお、酸化シリコンの真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は０．９５ｅＶであり、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物の真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は４．１ｅＶであり、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物の真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は４．６ｅＶである。
【０１４６】
図１２に示すように、酸化物半導体膜３５９のゲート電極側（チャネル側）には、酸化物半導体膜３５９と金属酸化物膜３７３との界面に約０．５ｅＶおよび約０．７ｅＶのエネルギー障壁が存在する。同様に、酸化物半導体膜３５９のバックチャネル側（ゲート電極とは反対側）にも、酸化物半導体膜３５９と金属酸化物膜３７１との界面に約０．５ｅＶおよび約０．７ｅＶのエネルギー障壁が存在する。酸化物半導体と金属酸化物との界面において、このようなエネルギー障壁が存在することにより、その界面においてキャリアの移動は妨げられるため、キャリアは酸化物半導体膜３５９から金属酸化物膜３７１または金属酸化物膜３７３に移動することなく、酸化物半導体中を移動する。つまり、酸化物半導体膜３５９を、酸化物半導体よりもバンドギャップが段階的に大きくなる材料（ここでは、金属酸化物膜と絶縁膜）で挟むように設けることにより、キャリアは酸化物半導体膜中を移動する。
【０１４７】
金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３の作製方法に特に限定はない。例えば、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などの成膜方法を用いて金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３を作製することができる。なお、水素や水などが混入しにくいという点では、スパッタリング法などが適当である。一方で、膜の品質を高めるという点では、プラズマＣＶＤ法などが適当である。また、金属酸化物膜３７１および金属酸化物膜３７３として、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を用いる場合、亜鉛を用いることにより当該金属酸化物の導電率が向上しているので、ＤＣスパッタリング法を用いて作製することができる。
【０１４８】
また、本発明に係る半導体装置は、図１１（Ａ）に示すトランジスタ１６０に限られるものではない。例えば、図１１（Ｂ）に示すトランジスタ１７０のような構造としても良い。トランジスタ１７０は、基板３５１上に設けられた下地絶縁膜３５３と、下地絶縁膜３５３上に設けられた金属酸化物膜３７１と、金属酸化物膜３７１上に設けられた酸化物半導体膜３５９と、酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂと、酸化物半導体膜３５９上に設けられたゲート絶縁膜３６３と、酸化物半導体膜３５９と重畳してゲート絶縁膜３６３上に設けられたゲート電極３６５と、ゲート電極３６５上に設けられた絶縁膜３６９とを有する。つまり、トランジスタ１７０は、酸化物半導体膜３５９とゲート絶縁膜３６３との間に金属酸化物膜３７３が設けられていない点において、トランジスタ１６０と異なる。
【０１４９】
また、図１１（Ｃ）に示すトランジスタ１８０のような構造としても良い。トランジスタ１８０は、基板３５１上に設けられた下地絶縁膜３５３と、下地絶縁膜３５３上に設けられた酸化物半導体膜３５９と、酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するように設けられたソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂと、酸化物半導体膜３５９上に設けられた金属酸化物膜３７３と、金属酸化物膜３７３上に設けられたゲート絶縁膜３６３と、酸化物半導体膜３５９と重畳してゲート絶縁膜３６３上に設けられたゲート電極３６５と、ゲート電極３６５上に設けられた絶縁膜３６９とを有する。つまり、トランジスタ１８０は、下地絶縁膜３５３と酸化物半導体膜３５９との間に金属酸化物膜３７１が設けられていない点において、トランジスタ１６０と異なる。
【０１５０】
また、本実施の形態において、図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）で示したトランジスタは、トップゲート構造とし、かつソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂが酸化物半導体膜３５９の上面および側面と接するような構造としたが、本発明に係る半導体装置はこれに限られるものではない。先の実施の形態において、図１０（Ａ）乃至図１０（Ｃ）で示したトランジスタと同様に、ボトムゲート構造としてもよいし、または酸化物半導体膜３５９がソース電極３６１ａおよびドレイン電極３６１ｂの上面および側面と接するように設けられる構造としてもよい。
【０１５１】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置するトランジスタを作製する例について以下に説明する。
【０１５３】
画素部に配置するトランジスタは、実施の形態２または３に従って形成する。また、当該トランジスタはｎチャネル型とすることが容易なので、駆動回路のうち、ｎチャネル型トランジスタで構成することができる駆動回路の一部を画素部のトランジスタと同一基板上に形成する。このように、画素部や駆動回路に先の実施の形態に示すトランジスタを用いることにより、信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【０１５４】
アクティブマトリクス型表示装置のブロック図の一例を図２９（Ａ）に示す。表示装置の基板５００上には、画素部５０１、第１の走査線駆動回路５０２、第２の走査線駆動回路５０３、信号線駆動回路５０４を有する。画素部５０１には、複数の信号線が信号線駆動回路５０４から延伸して配置され、複数の走査線が第１の走査線駆動回路５０２、及び走査線駆動回路５０３から延伸して配置されている。なお走査線と信号線との交差領域には、各々、表示素子を有する画素がマトリクス状に設けられている。また、表示装置の基板５００はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の接続部を介して、タイミング制御回路（コントローラ、制御ＩＣともいう）に接続されている。
【０１５５】
図２９（Ａ）では、第１の走査線駆動回路５０２、第２の走査線駆動回路５０３、信号線駆動回路５０４は、画素部５０１と同じ基板５００上に形成される。そのため、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、コストの低減を図ることができる。また、基板５００外部に駆動回路を設けた場合、配線を延伸させる必要が生じ、配線間の接続数が増える。同じ基板５００上に駆動回路を設けた場合、その配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、又は歩留まりの向上を図ることができる。
【０１５６】
また、画素部の回路構成の一例を図２９（Ｂ）に示す。ここでは、ＶＡ型液晶表示パネルの画素構造を示す。
【０１５７】
この画素構造は、一つの画素に複数の画素電極層が有り、それぞれの画素電極層にトランジスタが接続されている。各トランジスタは、異なるゲート信号で駆動されるように構成されている。すなわち、マルチドメイン設計された画素において、個々の画素電極層に印加する信号を、独立して制御する構成を有している。
【０１５８】
トランジスタ５１６のゲート配線５１２と、トランジスタ５１７のゲート配線５１３には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ線として機能するソース電極層又はドレイン電極層５１４は、トランジスタ５１６とトランジスタ５１７で共通に用いられている。トランジスタ５１６とトランジスタ５１７は先の実施の形態に示すトランジスタを適宜用いることができる。これにより、信頼性の高い液晶表示パネルを提供することができる。
【０１５９】
トランジスタ５１６と電気的に接続する第１の画素電極層と、トランジスタ５１７と電気的に接続する第２の画素電極層の形状は異なっており、スリットによって分離されている。Ｖ字型に広がる第１の画素電極層の外側を囲むように第２の画素電極層が形成されている。第１の画素電極層と第２の画素電極層に印加する電圧のタイミングを、トランジスタ５１６及びトランジスタ５１７により異ならせることで、液晶の配向を制御している。トランジスタ５１６はゲート配線５１２と接続し、トランジスタ５１７はゲート配線５１３と接続している。ゲート配線５１２とゲート配線５１３は異なるゲート信号を与えることで、トランジスタ５１６とトランジスタ５１７の動作タイミングを異ならせることができる。
【０１６０】
また、容量配線５１０と、誘電体として機能するゲート絶縁膜と、第１の画素電極層または第２の画素電極層と電気的に接続する容量電極とで保持容量を形成する。
【０１６１】
第１の画素電極層と液晶層と対向電極層が重なり合うことで、第１の液晶素子５１８が形成されている。また、第２の画素電極層と液晶層と対向電極層が重なり合うことで、第２の液晶素子５１９が形成されている。また、一画素に第１の液晶素子５１８と第２の液晶素子５１９が設けられたマルチドメイン構造である。
【０１６２】
なお、図２９（Ｂ）に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図２９（Ｂ）に示す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ、センサ、又は論理回路などを追加してもよい。
【０１６３】
また、画素部の回路構成の一例を図２９（Ｃ）に示す。ここでは、有機ＥＬ素子を用いた表示パネルの画素構造を示す。
【０１６４】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０１６５】
図２９（Ｃ）は、半導体装置の例としてデジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す図である。
【０１６６】
デジタル時間階調駆動を適用可能な画素の構成及び画素の動作について説明する。ここでは酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるｎチャネル型のトランジスタを１つの画素に２つ用いる例を示す。
【０１６７】
画素５２０は、スイッチング用トランジスタ５２１、駆動用トランジスタ５２２、発光素子５２４及び容量素子５２３を有している。スイッチング用トランジスタ５２１は、ゲート電極層が走査線５２６に接続され、第１電極（ソース電極層及びドレイン電極層の一方）が信号線５２５に接続され、第２電極（ソース電極層及びドレイン電極層の他方）が駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層に接続されている。駆動用トランジスタ５２２は、ゲート電極層が容量素子５２３を介して電源線５２７に接続され、第１電極が電源線５２７に接続され、第２電極が発光素子５２４の第１電極（画素電極）に接続されている。発光素子５２４の第２電極は共通電極５２８に相当する。共通電極５２８は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
【０１６８】
スイッチング用トランジスタ５２１および駆動用トランジスタ５２２は先の実施の形態に示すトランジスタを適宜用いることができる。これにより、信頼性の高い有機ＥＬ素子を用いた表示パネルを提供することができる。
【０１６９】
なお、発光素子５２４の第２電極（共通電極５２８）には低電源電位が設定されている。なお、低電源電位とは、電源線５２７に設定される高電源電位を基準にして低電源電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖなどが設定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子５２４に印加して、発光素子５２４に電流を流して発光素子５２４を発光させるため、高電源電位と低電源電位との電位差が発光素子５２４の順方向しきい値電圧以上となるようにそれぞれの電位を設定する。
【０１７０】
なお、容量素子５２３は駆動用トランジスタ５２２のゲート容量を代用して省略することも可能である。駆動用トランジスタ５２２のゲート容量については、チャネル形成領域とゲート電極層との間で容量が形成されていてもよい。
【０１７１】
ここで、電圧入力電圧駆動方式の場合には、駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層には、駆動用トランジスタ５２２が十分にオンするか、オフするかの二つの状態となるようなビデオ信号を入力する。つまり、駆動用トランジスタ５２２は線形領域で動作させる。駆動用トランジスタ５２２は線形領域で動作させるため、電源線５２７の電圧よりも高い電圧を駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層にかける。なお、信号線５２５には、（電源線電圧＋駆動用トランジスタ５２２のＶｔｈ）以上の電圧をかける。
【０１７２】
また、デジタル時間階調駆動に代えて、アナログ階調駆動を行う場合、信号の入力を異ならせることで、図２９（Ｃ）と同じ画素構成を用いることができる。
【０１７３】
アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ５２２のゲート電極層に発光素子５２４の順方向電圧＋駆動用トランジスタ５２２のＶｔｈ以上の電圧をかける。発光素子５２４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なくとも順方向しきい値電圧を含む。なお、駆動用トランジスタ５２２が飽和領域で動作するようなビデオ信号を入力することで、発光素子５２４に電流を流すことができる。駆動用トランジスタ５２２を飽和領域で動作させるため、電源線５２７の電位は、駆動用トランジスタ５２２のゲート電位よりも高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子５２４にビデオ信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
【０１７４】
なお、図２９（Ｃ）に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図２９（Ｃ）に示す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサ、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。
【０１７５】
（実施の形態５）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
【０１７６】
図３０（Ａ）は、携帯型の情報端末であり、本体１００１、筐体１００２、表示部１００３ａ、１００３ｂなどによって構成されている。表示部１００３ｂはタッチパネルとなっており、表示部１００３ｂに表示されるキーボードボタン１００４を触れることで画面操作や、文字入力を行うことができる。勿論、表示部１００３ａをタッチパネルとして構成してもよい。先の実施の形態で示したトランジスタをスイッチング素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部１００３ａ、１００３ｂに適用することにより、信頼性の高い携帯型の情報端末とすることができる。
【０１７７】
図３０（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。
【０１７８】
また、図３０（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０１７９】
図３０（Ｂ）は、携帯音楽プレイヤーであり、本体１０２１には表示部１０２３と、耳に装着するための固定部１０２２と、スピーカ、操作ボタン１０２４、外部メモリスロット１０２５等が設けられている。先の実施の形態で示したトランジスタをスイッチング素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部１０２３に適用することにより、より信頼性の高い携帯音楽プレイヤーとすることができる。
【０１８０】
さらに、図３０（Ｂ）に示す携帯音楽プレイヤーにアンテナやマイク機能や無線機能を持たせ、携帯電話と連携させれば、乗用車などを運転しながらワイヤレスによるハンズフリーでの会話も可能である。
【０１８１】
図３０（Ｃ）は、携帯電話であり、筐体１０３０及び筐体１０３１の二つの筐体で構成されている。筐体１０３１には、表示パネル１０３２、スピーカー１０３３、マイクロフォン１０３４、ポインティングデバイス１０３６、カメラ用レンズ１０３７、外部接続端子１０３８などを備えている。また、筐体１０３０には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル１０４０、外部メモリスロット１０４１などを備えている。また、アンテナは筐体１０３１内部に内蔵されている。先の実施の形態で示したトランジスタを表示パネル１０３２に適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
【０１８２】
また、表示パネル１０３２はタッチパネルを備えており、図３０（Ｃ）には映像表示されている複数の操作キー１０３５を点線で示している。なお、太陽電池セル１０４０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０１８３】
例えば、昇圧回路などの電源回路に用いられるパワートランジスタも先の実施の形態に示したトランジスタの酸化物半導体膜の膜厚を２μｍ以上５０μｍ以下とすることで形成することができる。
【０１８４】
表示パネル１０３２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル１０３２と同一面上にカメラ用レンズ１０３７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー１０３３及びマイクロフォン１０３４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体１０３０と筐体１０３１は、スライドし、図３０（Ｃ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０１８５】
外部接続端子１０３８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット１０４１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０１８６】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０１８７】
図３０（Ｄ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置１０５０は、筐体１０５１に表示部１０５３が組み込まれている。表示部１０５３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、ＣＰＵを内蔵したスタンド１０５５により筐体１０５１を支持した構成を示している。先の実施の形態で示したトランジスタを表示部１０５３に適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置１０５０とすることができる。
【０１８８】
テレビジョン装置１０５０の操作は、筐体１０５１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０１８９】
なお、テレビジョン装置１０５０は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１９０】
また、テレビジョン装置１０５０は、外部接続端子１０５４や、記憶媒体再生録画部１０５２、外部メモリスロットを備えている。外部接続端子１０５４は、ＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、パーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。記憶媒体再生録画部１０５２では、ディスク状の記録媒体を挿入し、記録媒体に記憶されているデータの読み出し、記録媒体への書き込みが可能である。また、外部メモリスロットに差し込まれた外部メモリ１０５６にデータ保存されている画像や映像などを表示部１０５３に映し出すことも可能である。
【０１９１】
また、先の実施の形態で示した半導体装置を外部メモリ１０５６やＣＰＵに適用することにより、消費電力が十分に低減された信頼性の高いテレビジョン装置１０５０とすることができる。
【実施例】
【０１９２】
本実施例においては、各種測定方法を用い、本発明に係る酸化物半導体膜または当該酸化物半導体膜を用いた半導体装置について測定を行った結果について説明する。
【０１９３】
＜１．ＴＥＭを用いたＴＥＭ像の観察と電子線回折強度の測定、およびＸＲＤ測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて観察した結果について説明する。
【０１９４】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜し、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤおよびサンプルＥを作製した。サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤおよびサンプルＥの成膜時の基板温度は、それぞれ室温、２００℃、２５０℃、３００℃および４００℃とした。つまり、サンプルＡおよびサンプルＢは実施の形態２に示す成膜方法より成膜時の基板温度を低くし、サンプルＣ乃至サンプルＥは実施の形態２に示す成膜方法に記載された範囲の基板温度とした。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷとした。なお、サンプルＡ、サンプルＢおよびサンプルＥは膜厚５０ｎｍを狙って成膜し、サンプルＣおよびサンプルＤは膜厚１００ｎｍを狙って成膜した。
【０１９５】
さらに酸化物半導体膜の成膜後、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下において、加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で行った。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤおよびサンプルＥを作製した。
【０１９６】
また、サンプルＡ乃至サンプルＥとは異なり、実施の形態２に示す２ｓｔｅｐ法を用いて酸化物半導体膜を成膜したサンプルＦを作製した。サンプルＦは、まず膜厚５ｎｍの第１の酸化物半導体膜を成膜し、第１の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜上に膜厚３０ｎｍの第２の酸化物半導体膜を成膜し、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜に第２の加熱処理を行って作製した。
【０１９７】
ここで、第１の酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷとした。また、第１の加熱処理の条件は、窒素雰囲気下、加熱温度６５０℃、加熱時間１時間とした。
【０１９８】
また、第２の酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷとした。また、第２の加熱処理の条件は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下で、加熱温度６５０℃、加熱時間１時間とした。
【０１９９】
このようにして、２ｓｔｅｐ法を用いて酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＦを作製した。
【０２００】
また、サンプルＡ乃至サンプルＦの比較対象として、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基板上にＩＧＺＯの単結晶膜を膜厚１５０ｎｍで成膜した、サンプルＧを作製した。
【０２０１】
以上のサンプルＡ乃至サンプルＧについて、ＴＥＭを用いて酸化物半導体膜が成膜された基板に対して垂直に、つまり、先の実施の形態におけるｃ軸方向に平行に電子線を照射してＴＥＭ像および電子線回折パターンの撮影を行った。図１３（Ａ）乃至図１３（Ｅ）にサンプルＡ乃至サンプルＥの断面ＴＥＭ像を、それぞれ示す。ここで、図１３に示す断面ＴＥＭ像は、紙面の上側がサンプルの表面方向となるので、紙面の縦方向がｃ軸方向となる。また、図１４（Ａ）乃至図１４（Ｅ）にサンプルＡ乃至サンプルＥの平面ＴＥＭ像を、それぞれ示す。ここで、図１４に示す平面ＴＥＭ像は、紙面の表側がサンプルの表面方向となるので、紙面の垂直な方向がｃ軸方向となる。また、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）にサンプルＡ乃至サンプルＥの電子線回折パターンを、それぞれ示す。ここで、図１５に示す電子線回折パターンは、紙面の表側がサンプルの表面方向となるので、紙面の垂直な方向がｃ軸方向となる。また、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）にサンプルＦおよびサンプルＧの平面ＴＥＭ像を、それぞれ示す。図１６（Ｃ）にサンプルＦの電子線回折パターンを示す。図１６（Ｄ）および図１６（Ｅ）にサンプルＧの電子線回折パターンを示す。ここで、図１６に示す平面ＴＥＭ像および電子線回折パターンは、紙面の表側がサンプルの表面方向となるので、紙面の垂直な方向がｃ軸方向となる。
【０２０２】
なお、本項目において、断面ＴＥＭ像、平面ＴＥＭ像および電子線回折パターンは、株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｈ−９０００ＮＡＲを用い、電子ビームのスポット径を１ｎｍとし、加速電圧を３００ｋＶとして撮影した。
【０２０３】
図１３（Ｃ）乃至図１３（Ｅ）に示す断面ＴＥＭ像では、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が観察されたが、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示す断面ＴＥＭ像おいては、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が明瞭には観察されなかった。よって、酸化物半導体膜の成膜時基板温度を２００℃より大きく、好ましくは２５０℃以上にすることで、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が酸化物半導体膜中に形成されることが分かる。また、図１３（Ｃ）乃至図１３（Ｅ）の順番にｃ軸が配向した結晶性を有する領域が明瞭に見られるので、酸化物半導体膜の成膜時基板温度が高くなるほど、酸化物半導体膜の結晶性が高くなることが推測される。
【０２０４】
図１４（Ｅ）に示す平面ＴＥＭ像では、六角形の格子状に配置された原子が観察された。また、図１４（Ｃ）および図１４（Ｄ）に示す平面ＴＥＭ像においても、六角形の格子状に配置された原子が淡く観察された。図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示す平面ＴＥＭ像においては、六角形の格子状に配置された原子が明瞭には観察されなかった。また、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示す平面ＴＥＭ像でも、六角形の格子状に配置された原子が観察された。このことから、酸化物半導体膜のｃ軸が配向した結晶性を有する領域は、図２に示すような、三回対称性を有する六方晶構造を取りやすいことが推測される。また、２ｓｔｅｐ法を用いて作製されたサンプルＦもサンプルＣ乃至サンプルＥと同様に結晶性を有する領域が酸化物半導体膜中に形成されていることが分かった。また、図１３の断面ＴＥＭ像の観察結果と同様に、酸化物半導体膜の成膜時基板温度が高くなるほど、酸化物半導体膜の結晶性が高くなることが推測される。以上の図１３および図１４の観察から、サンプルＡおよびサンプルＢはほとんど結晶性を持たないアモルファス構造の酸化物半導体膜であり、サンプルＣ乃至サンプルＦはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であることが分かる。
【０２０５】
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）に示す電子線回折パターンは、回折パターンの幅が広くぼやけている同心円状のハローパターンとなっており、内側のハローパターンより外側のハローパターンの方が電子線回折強度が弱くなっている。さらに、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）の順番に外側のハローパターンの電子線回折強度が強くなっている傾向が観測される。また、図１６（Ｃ）に示す電子線回折パターンも同心円状のハローパターンとなるが、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）と比較すると、ハローパターンの幅が細く、内側のハローパターンと外側のハローパターンの電子線回折強度がほぼ同等になっている。
【０２０６】
また、図１６（Ｄ）に示す電子線回折パターンは、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）および図１６（Ｃ）とは異なり、スポット状の電子線回折パターンが現れる。図１６（Ｄ）に示す電子線回折パターンに画像処理を行い、同心円状のパターンにしたものが図１６（Ｅ）であるが、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）および図１６（Ｃ）とは異なり、同心円のパターンの幅が狭いのでハロー状にはならない。また、内側の同心円状のパターンより外側の同心円状のパターンの方が電子線回折強度が強くなっている点においても、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）および図１６（Ｃ）に示す電子線回折パターンとは異なる。
【０２０７】
図１７にサンプルＡ乃至サンプルＧの電子線回折強度のグラフを示す。図１７に示すグラフは、縦軸に電子線回折強度（任意単位）をとり、横軸にサンプルの散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ［１／ｎｍ］）をとる。なお、散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ［１／ｎｍ］）のｄは結晶中においては結晶の面間隔に相当する。ここで散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ）は、電子線回折パターンのフィルムにおける、中心の透過波の斑点から回折波の同心円状のパターンまでの距離ｒと、ＴＥＭにおけるサンプルとフィルム間の距離であるカメラ長Ｌと、ＴＥＭで照射した電子線の波長λを用いて以下の式で表すことができる。
【０２０８】
【数１】
【０２０９】
つまり、図１７の横軸に示す散乱ベクトルの大きさ（１／ｄ）は、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）、図１６（Ｃ）および図１６（Ｅ）に示す電子線回折パターンにおける、中心の透過波の斑点から回折波の同心円状のパターンまでの距離ｒに比例する量である。
【０２１０】
つまり、図１７に示すグラフにおいて、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）、図１６（Ｃ）および図１６（Ｅ）に示す電子線回折パターンにおける内側のハローパターンに対応するピークは、３．３ｎｍ−１≦１／ｄ≦４．１ｎｍ−１における第１ピークであり、外側のハローパターンに対応するピークは、５．５ｎｍ−１≦１／ｄ≦７．１ｎｍ−１における第２ピークである。
【０２１１】
図１８および図１９にサンプルＡ乃至サンプルＧの第１ピークおよび第２ピークの半値全幅のグラフを示す。図１８に示すグラフは、縦軸に第１ピークの半値全幅ＦＷＨＭ（ｎｍ−１）をとり、横軸にサンプルＡ乃至サンプルＥの成膜時基板温度（℃）をとっている。また、図１８のグラフ中の点線はそれぞれ、サンプルＦおよびサンプルＧの第１ピークの半値全幅の値を示している。図１９に示すグラフも、図１８と同様に第２ピークの半値全幅を表している。また、図１８および図１９に示す第１ピークおよび第２ピークのピーク位置（ｎｍ−１）と半値全幅（ｎｍ−１）をまとめた表を表１に示す。
【０２１２】
【表１】
【０２１３】
図１８および図１９より、第１ピーク、第２ピーク共に、酸化物半導体膜の成膜時基板温度が高くなるにつれて、ピークの半値全幅が小さくなり、ピーク位置が小さくなる傾向が示された。また、第１ピーク、第２ピーク共に、成膜時基板温度が３００℃から４００℃にかけてはピークの半値全幅が大きく変わらないことが示された。さらに、第１ピーク、第２ピーク共に、２ｓｔｅｐ法を用いて形成されたサンプルＦの半値全幅およびピーク位置は、サンプルＡ乃至サンプルＥの半値全幅およびピーク位置より小さく、単結晶であるサンプルＧの半値全幅およびピーク位置より大きかった。
【０２１４】
ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、単結晶構造であるサンプルＧとは結晶性が異なるので、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、第１ピークおよび第２ピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上であり、好ましくは第１ピークの半値全幅が０．４ｎｍ−１以上、第２ピークの半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上であると言える。
【０２１５】
さらに、図１３および図１４から、サンプルＡおよびサンプルＢ、つまり成膜時基板温度が２００℃以下の酸化物半導体膜は明瞭な結晶性が見られなかったことを考慮すると、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、第１ピークの半値全幅が０．７ｎｍ−１以下、第２ピークの半値全幅が１．４ｎｍ−１以下であることが好ましいと言える。
【０２１６】
また、サンプルＡ、サンプルＥおよびサンプルＧについてさらにＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定を行い、上記のＴＥＭによる測定結果を補強する測定結果が得られた。
【０２１７】
図２０にサンプルＡおよびサンプルＥについて、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。図２０は、縦軸にｘ線回折強度（任意単位）をとり、横軸に回転角２θ（ｄｅｇ．）をとる。
【０２１８】
図２０より、サンプルＥでは２θ＝３０°近傍に強いピークが見られるのに対して、サンプルＡでは２θ＝３０°近傍にほとんどピークが見られないことが分かる。当該ピークはＩＧＺＯ結晶の（００９）面における回折に起因するものである。このことからも、サンプルＥはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であり、アモルファス構造であるサンプルＡとは明確に異なることが分かる。
【０２１９】
また、図２１（Ａ）にサンプルＥについてｉｎ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。同様に図２１（Ｂ）にサンプルＧについてｉｎ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）は、縦軸にｘ線回折強度（任意単位）をとり、横軸に回転角φ（ｄｅｇ．）をとる。なお、本実施例で用いたｉｎ−ｐｌａｎｅ法においては、サンプルのｃ軸方向を回転の軸としてサンプルを回転角φで回転させながらＸＲＤ測定を行った。
【０２２０】
図２１（Ｂ）に示すサンプルＧのＸＲＤスペクトルは、ちょうど回転角６０°ごとに等間隔のピークが現れており、サンプルＧが６回対称性を有する単結晶膜であることを示している。それに対して、図２１（Ａ）に示すサンプルＥのＸＲＤスペクトルは規則正しいピークを持っておらず、結晶性を有する領域のａ−ｂ面方向の配向は見られないことが分かる。すなわち、サンプルＥは、個々の結晶性を有する領域において、ｃ軸に対して結晶化しているが、ａ−ｂ面に対しては必ずしも配列していない。このことからも、サンプルＥはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であるが、単結晶構造であるサンプルＧとは明確に異なることが分かる。
【０２２１】
以上より、本発明に係る、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、アモルファス構造の酸化物半導体膜とも、単結晶構造の酸化物半導体膜とも明確に異なる結晶性を有すると言うことができる。
【０２２２】
以上に示すようなｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、全体が非晶質構造の酸化物半導体膜と比較して良好な結晶性を有するので、酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などの不純物が低減されている。これらの酸素欠陥に代表されるような欠陥や、ダングリングボンドなどに結合する水素などは、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源のように機能するため、当該酸化物半導体膜の電気伝導度が変動する原因となりうる。よって、これらが低減されている、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０２２３】
＜２．ＥＳＲ測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を電子スピン共鳴（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）法を用いて評価した結果について説明する。
【０２２４】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜したサンプルＨと、さらに、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行ったサンプルＩを作製した。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、成膜時基板温度４００℃、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚１００ｎｍとした。
【０２２５】
サンプルＩについては、さらに酸化物半導体膜の成膜後、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下において、加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で行った。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＨおよびサンプルＩを作製した。
【０２２６】
本項目においては、以上のサンプルＨおよびサンプルＩについて、ＥＳＲ測定を行う。ＥＳＲ測定はゼーマン効果を利用した物質中の孤立電子の測定方法である。サンプルに特定の振動数νのマイクロ波を照射しながら、サンプルにかかる磁場Ｈを掃引することによって、特定の磁場Ｈにおいてサンプル中の孤立電子がマイクロ波を吸収して、磁場に平行なスピンのエネルギー準位から磁場に反平行なスピンのエネルギー準位に遷移する。このときサンプル中の孤立電子に吸収されるマイクロ波の振動数νとサンプルにかかる磁場Ｈの関係は以下の式で表すことができる。
【０２２７】
【数２】
【０２２８】
ここで、ｈはプランク定数、μＢはボーア磁子である。そしてｇはｇ値と呼ばれる係数であり、物質中の孤立電子にかかる局所磁場に応じて変化する、つまり、上式からｇ値を求めることにより、ダングリングボンドなどの孤立電子の環境を知ることができる。
【０２２９】
本実施例において、ＥＳＲ測定はブルカー社製Ｅ５００を用いて行い、測定条件は、測定温度を室温とし、マイクロ波周波数９．５ＧＨｚ、マイクロ波電力０．２ｍＷとした。
【０２３０】
以上のサンプルＨおよびサンプルＩについて、ＥＳＲ測定を行った結果を図２２のグラフに示す。図２２に示すグラフは、縦軸にマイクロ波の吸収強度の一次微分をとり、横軸にｇ値をとる。
【０２３１】
図２２のグラフに示すように、サンプルＩではマイクロ波の吸収に対応するシグナルは観測されなかったが、サンプルＨではｇ＝１．９３近傍においてマイクロ波の吸収に対応するシグナルが観測された。ｇ＝１．９３近傍のシグナルの積分値を計算することにより、当該マイクロ波の吸収に対応する孤立電子のスピン密度１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）が求められる。なお、サンプルＩにおいては、マイクロ波の吸収が検出下限以下ということになるので、サンプルＩの孤立電子のスピン密度は１×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）以下となる。
【０２３２】
ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体膜中においてｇ＝１．９３の近傍のシグナルがどのようなダングリングボンドに帰属するかを調べるために量子化学計算を行った。具体的な計算手法としては、金属原子が酸素欠陥に対応するダングリングボンドを有するようなクラスターモデルを作って構造最適化を行い、構造最適化されたモデルについてｇ値の計算を行った。
【０２３３】
モデルの構造最適化および構造最適化されたモデルのｇ値の計算にはＡＤＦ（Ａｍｓｔｅｒｄａｍ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｆｔｗａｒｅ）を用いた。また、モデルの構造最適化および構造最適化されたモデルのｇ値の計算共に、汎関数にはＧＧＡ：ＢＰを、基底関数にはＴＺ２Ｐを用いた。また、Ｃｏｒｅ Ｔｙｐｅとして、モデルの構造最適化にはＬａｒｇｅを、ｇ値の計算にはＮｏｎｅを用いている。
【０２３４】
上述の量子化学計算によって求めた、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体膜中におけるダングリングボンドのモデルを図２３に示す。図２３は、インジウム−酸素結合の酸素欠陥によるダングリングボンド（ｇ＝１．９８４）と、ガリウム−酸素結合の酸素欠陥によるダングリングボンド（ｇ＝１．９９５）と、亜鉛−酸素結合の酸素欠陥によるダングリングボンド（ｇ＝１．９９６）とを示している。これらのダングリングボンドのｇ値は、サンプルＨのマイクロ波の吸収に対応するシグナルのｇ＝１．９３に比較的近い値となっている。つまり、サンプルＨにおいて、インジウム、ガリウムまたは亜鉛のいずれか一または複数と酸素との結合に酸素欠陥が発生した可能性が示唆されている。
【０２３５】
しかし、サンプルＩにおいてはｇ＝１．９３近傍にマイクロ波の吸収に対応するシグナルが現れていない。これは、酸化物半導体膜の成膜後に乾燥雰囲気下で加熱処理を行うことにより、酸素欠陥に酸素が補充されたということを示唆している。上述の実施の形態において述べたように、酸化物半導体膜中の酸素欠陥は電気伝導度を変化させるキャリアとして機能しうるので、当該酸素欠陥を低減することにより、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【０２３６】
よって、本発明の一態様に係る、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜は、成膜後に加熱処理を行い、酸素欠陥に酸素を補充することが好ましく、ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さいことが好ましく、さらに、スピン密度が１×１０１６（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）以下となることがより好ましい。
【０２３７】
＜３．低温ＰＬ測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を低温フォトルミネッセンス（ＰＬ：ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定を用いて評価した結果について説明する。
【０２３８】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に、成膜時の基板温度２００℃で酸化物半導体膜を成膜したサンプルＪと、成膜時の基板温度４００℃で酸化物半導体膜を成膜したサンプルＫを作製した。つまり、サンプルＪはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含まない酸化物半導体膜であり、サンプルＫはｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜である。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚１００ｎｍとした。
【０２３９】
さらに酸化物半導体膜の成膜後、サンプルＪおよびサンプルＫともに、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、露点−２４℃の乾燥雰囲気下において、加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で行った。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＪおよびサンプルＫを作製した。
【０２４０】
本項目においては、以上のサンプルＪおよびサンプルＫについて、低温ＰＬ測定を行う。低温ＰＬ測定では、極低温雰囲気下で励起光をサンプルに照射してエネルギーを与えて、サンプル中に電子と正孔を生じさせながら、励起光の照射を止めて、励起光照射により生じた電子と正孔が再結合することによる発光をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などを用いて検出する。
【０２４１】
本実施例において、低温ＰＬ測定はヘリウムガス雰囲気において測定温度を１０Ｋとして行った。励起光は、Ｈｅ−Ｃｄガスレーザ発振器を用いて、波長３２５ｎｍの光を照射した。また、発光の検出にはＣＣＤを用いた。
【０２４２】
サンプルＪおよびサンプルＫについて、低温ＰＬ測定で検出した発光スペクトルを図２４のグラフに示す。図２４に示すグラフは、縦軸にＰＬ発光検出カウント（ｃｏｕｎｔｓ）をとり、横軸に検出した発光のエネルギー（ｅＶ）をとる。
【０２４３】
図２４のグラフより、サンプルＪ、サンプルＫともに発光エネルギー１．８ｅＶ近傍にピークを持つが、サンプルＪよりサンプルＫの方がＰＬ発光検出カウント数が１００程度少ないことが分かる。なお、サンプルＪおよびサンプルＫの発光エネルギー３．２ｅＶ近傍のピークは、低温ＰＬ測定装置の石英窓に由来するものである。
【０２４４】
ここで、図２４のグラフに示す１．８ｅＶ近傍のピークは、当該酸化物半導体膜のバンド構造において伝導帯下端から１．８ｅＶ程度の深さにエネルギー準位が存在していることを示唆している。このバンドギャップ中の深いエネルギー準位は、図３の電子状態密度計算の結果に示す、酸素欠陥に起因するトラップ準位と符合している。よって、図２４のグラフに示す１．８ｅＶ近傍の発光ピークは、図４に示すバンドダイアグラム中の酸素欠陥に起因するトラップ準位のエネルギー準位を表していると考えることができる。つまり、サンプルＫにおいて１．８ｅＶ近傍の発光検出カウント数がサンプルＪより少ないということは、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜の方が、酸素欠陥に起因するトラップ準位の数が低減されている、つまり、酸素欠陥の数が低減されていることが考えられる。
【０２４５】
＜４．光負バイアス劣化測定＞
本実施例では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を用いたトランジスタを作製し、当該トランジスタに光を照射しながらゲートに負電圧を印加してストレスを与え、ストレスを与えた時間に応じて変化するトランジスタのしきい値電圧を評価した結果について説明する。なお、このようなストレスによりトランジスタのしきい値電圧などが変化することを光負バイアス劣化という。
【０２４６】
本項目では、先の実施の形態に示す、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成された酸化物半導体膜を設けたトランジスタ（サンプルＬ）と、比較例としてサンプルＬと同様の材料からなるが、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されていない酸化物半導体膜を設けたトランジスタ（サンプルＭ）と、を作製した。そしてサンプルＬおよびサンプルＭに光を照射しながらゲートに負電圧を印加してストレスを与え、ストレスを与えた時間に応じて変化するサンプルＬおよびサンプルＭのしきい値電圧Ｖｔｈを評価した。以下にサンプルＬおよびサンプルＭの作製方法について説明する。
【０２４７】
まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、下地膜として膜厚１００ｎｍの窒化シリコン膜、および膜厚１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を連続してガラス基板上に成膜し、続いて酸化窒化シリコン膜上に、スパッタリング法を用いて膜厚１００ｎｍのタングステン膜を成膜した。ここで、タングステン膜を選択的にエッチングすることにより、テーパー形状を有するゲート電極を形成した。それから、ゲート電極上に、プラズマＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜として膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２４８】
次に、ゲート絶縁膜上にスパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜した。ここで、サンプルＬの酸化物半導体膜は、種結晶として機能する膜厚５ｎｍの酸化物半導体膜上に膜厚３０ｎｍの酸化物半導体膜を積層して、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されるように加熱処理を行って形成される。サンプルＭの酸化物半導体膜は、膜厚２５ｎｍの酸化物半導体膜に加熱処理を行って形成される。
【０２４９】
まず、サンプルＬの酸化物半導体膜の作製方法について説明する。種結晶として機能する酸化物半導体膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜ターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜時の基板温度２００℃、成膜ガス流量の割合を酸素ガス５０％、アルゴンガス５０％とし、圧力０．６Ｐａ、基板−ターゲット間距離１００ｍｍ、直流（ＤＣ）電源５ｋＷ、膜厚５ｎｍとした。成膜後、窒素雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行い、種結晶として機能する酸化物半導体膜の結晶化を行った。それから、種結晶として機能する酸化物半導体膜上に、スパッタリング法を用いて膜厚３０ｎｍの酸化物半導体膜を、種結晶として機能する酸化物半導体膜と同じ成膜条件で成膜し、オーブンを用いて窒素雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行い、さらに窒素と酸素の混合雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行って、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成された酸化物半導体膜を成膜した。
【０２５０】
また、サンプルＭの酸化物半導体膜もスパッタリング法を用いて成膜し、成膜ターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜時の基板温度２００℃、成膜ガス流量の割合を酸素ガス５０％、アルゴンガス５０％とし、圧力０．６Ｐａ、基板−ターゲット間距離１００ｍｍ、直流（ＤＣ）電源５ｋＷ、膜厚２５ｎｍとした。成膜後、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法を用いて窒素雰囲気下で加熱温度６５０℃、加熱時間６分間で加熱処理を行い、さらにオーブンを用いて窒素と酸素の混合雰囲気下で加熱温度４５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行って、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されていない酸化物半導体膜を成膜した。
【０２５１】
次に、酸化物半導体膜上に、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜を積層した導電膜を、スパッタリング法を用いて成膜し、当該導電膜を選択的にエッチングしてソース電極およびドレイン電極を形成した。それから第１の層間絶縁膜として膜厚４００ｎｍの酸化シリコン膜を成膜した。さらに、第２の層間絶縁膜として膜厚１．５μｍのアクリル樹脂からなる絶縁膜を成膜した。最後に窒素雰囲気下で加熱温度２５０℃、加熱時間１時間で加熱処理を行って、サンプルＬおよびサンプルＭを作製した。
【０２５２】
以上のサンプルＬおよびサンプルＭについて、光を照射しながらゲートに負電圧を印加してストレスを与え、ストレス時間に応じてサンプルＬおよびサンプルＭのＩｄ−Ｖｇ特性を測定し、ストレスを与える前後のしきい値電圧の変化量を求めた。
【０２５３】
上記ストレスは、室温の大気雰囲気下で与え、ゲート電圧を−２０Ｖ、ドレイン電圧を０．１Ｖ、ソース電圧を０Ｖとし、照射光の照度を３６０００（ｌｘ）とした。ストレス時間は、１００秒、３００秒、６００秒、１０００秒、１８００秒、３６００秒、７２００秒、１００００秒、１８０００秒、４３２００秒（１２時間）としてサンプルＬおよびサンプルＭのＩｄ−Ｖｇ特性の測定を行った。Ｉｄ−Ｖｇ特性を測定する際は、ドレイン電圧を＋１０Ｖとして、ゲート電圧を−１０Ｖから＋１０Ｖの範囲で掃引し、他の条件はストレスを与えているときと同様にした。
【０２５４】
図２５にサンプルＬおよびサンプルＭのしきい値電圧の変化量のグラフを示す。図２５に示すグラフは、縦軸にしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈ（Ｖ）をとり、横軸にストレス時間（ｓｅｃ）をとる。
【０２５５】
図２５より、サンプルＬのしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈは最大で−１Ｖ程度であるのに対して、サンプルＭのしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈの変動は最大で−２Ｖ程度もあり、サンプルＬのしきい値電圧の変化量ΔＶｔｈはサンプルＭの約半分に低減されている。
【０２５６】
これにより、膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、光照射やゲート電圧のストレスに対してより安定した電気的特性を有し、信頼性が向上していることが示された。
【０２５７】
＜５．光応答欠陥評価法による測定＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を用いたトランジスタを作製し、当該トランジスタに光応答欠陥評価法を用いて酸化物半導体膜の光照射に対する安定性を評価した結果について説明する。
【０２５８】
本項目では、サンプルＬおよびサンプルＭと同様の方法を用いて作製したサンプルＮおよびサンプルＯを用いて光応答欠陥評価法を行った。光応答欠陥評価法とは、半導体膜に光照射を行うことにより流れる電流（光電流）の緩和を測定し、光電流の緩和のグラフを指数関数の線形結合で表される式でフィッティングして緩和時間τを求め、緩和時間τから当該半導体膜中の欠陥を評価する方法である。
【０２５９】
ここで、早い応答に対応する緩和時間τ１と、遅い応答に対応する緩和時間τ２（τ２＞τ１）を用いて、電流ＩＤを２項の指数関数の線形結合で表すと、以下の式となる。
【０２６０】
【数３】
【０２６１】
本項目に示す光応答欠陥評価法においては、６０秒の暗状態の後、照射光を６００秒照射し、照射光を止めて３０００秒光電流の緩和を測定した。照射光は、波長４００ｎｍ、強度３．５ｍＷ／ｃｍ２とし、サンプルＮおよびサンプルＯのゲート電極およびソース電極は０Ｖに固定し、ドレイン電極に０．１Ｖの微小電圧を印加して光電流の電流値を測定した。なお、サンプルＮおよびサンプルＯのチャネル長Ｌとチャネル幅Ｗは、Ｌ／Ｗ＝３０μｍ／１００００μｍとした。
【０２６２】
図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）にサンプルＮおよびサンプルＯの光応答欠陥評価法における光電流の変化のグラフを示す。図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）に示すグラフは、縦軸に光電流ＩＤをとり、横軸に経過時間ｔ（ｓｅｃ）をとる。また、図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）に示すグラフを指数関数の線形結合で表される式でフィッティングすると、以下の式で表される。
【０２６３】
【数４】
【０２６４】
【数５】
【０２６５】
図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）より、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を有するサンプルＮの方がサンプルＯより、光電流の最大値が小さく、緩和時間τ１と緩和時間τ２も短かった。ここで、サンプルＮの光電流の最大値Ｉｍａｘは６．２×１０−１１Ａであり、緩和時間τ１は０．３秒、緩和時間τ２は３９秒であった。それに対して、サンプルＯの光電流の最大値Ｉｍａｘは８．０×１０−９Ａであり、緩和時間τ１は３．９秒、緩和時間τ２は９８秒であった。
【０２６６】
サンプルＮ、サンプルＯともに少なくとも２種類の緩和時間からなる指数関数の線形結合により、光電流ＩＤの緩和をフィッティングできることが示された。これは、サンプルＮ、サンプルＯともに光電流ＩＤの緩和は、２種類以上の緩和過程を有することを示唆している。これは、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す、２種類の再結合モデルによる光電流の緩和過程と符合する。つまり、先の実施の形態で図５で示したバンド図のように、酸化物半導体のバンドギャップ中にトラップ準位が存在することが示唆されている。
【０２６７】
さらに、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であるサンプルＮの方が、サンプルＯより緩和時間τ１および緩和時間τ２も短くなった。これは、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す再結合モデルにおいて、酸素欠陥に起因するトラップ準位がサンプルＮの方が少なくなったことを示唆している。つまり、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域が含まれることにより、トラップ準位として機能しうる酸化物半導体膜中の欠陥が減少されたためであると考えることができる。
【０２６８】
以上より、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域が形成されることにより、光照射に対してより安定な構造を取るようになることが分かった。よって、このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることで安定した電気的特性を有する、信頼性の高いトランジスタを提供することができる。
【０２６９】
＜６．ＴＤＳ分析＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜をＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析を用いて評価した結果について説明する。
【０２７０】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜し、成膜時の基板温度が室温のサンプルＰ１と、成膜時の基板温度１００℃のサンプルＰ２と、成膜時の基板温度２００℃のサンプルＰ３と、成膜時の基板温度３００℃のサンプルＰ４と、成膜時の基板温度４００℃のサンプルＰ５を作製した。ここで、サンプルＰ１、サンプルＰ２およびサンプルＰ３は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含まない酸化物半導体膜であり、サンプルＰ４およびサンプルＰ５は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜である。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚５０ｎｍとした。なお、石英基板については、ＴＤＳ分析時に基板からの脱離ガスの要因を低減するために、予め乾燥雰囲気で８５０℃の熱処理を行った。
【０２７１】
ＴＤＳ分析とは、真空容器内のサンプルをハロゲンランプで加熱し、昇温中にサンプル全体から発生するガス成分を四重極質量分析計（ＱＭＳ：Ｑｕａｒｄｒｕｐｏｌｅ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）で検出する分析手法である。検出されるガス成分はＭ／ｚ（質量／電荷）で区別され、質量スペクトルとして検出される。
【０２７２】
本実施例において、ＴＤＳ分析は電子科学株式会社製ＷＡ１０００Ｓを用いて行った。測定条件は、ＳＥＭ電圧１５００Ｖ、基板表面温度は室温から４００℃、真空度１．５×１０−７Ｐａ以下、Ｄｗｅｌｌ Ｔｉｍｅ０．２（ｓｅｃ／Ｕ）、昇温レート３０（℃／ｍｉｎ）として、Ｈ２Ｏに相当するＭ／ｚ＝１８の質量スペクトルを検出した。
【０２７３】
サンプルＰ１乃至サンプルＰ５について、ＴＤＳ分析を行った結果を図２７のグラフに示す。図２７に示すグラフは、縦軸に脱離水分子量（Ｍ／ｚ＝１８）［ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３］（ｃｏｕｎｔｓ）をとり、横軸に成膜時の基板温度（℃）をとる。ここで、脱離水分子量とは、Ｍ／ｚ＝１８の質量スペクトルの昇温温度３００℃近傍の積分値を取ることで求められる量であり、酸化物半導体膜中から脱離する水分子量である。なお、Ｍ／ｚ＝１８の質量スペクトルは、昇温温度１００℃近傍にもピークが存在するが、これは酸化物半導体膜の表面に吸着した水分量と考えられるので、脱離水分子量としてカウントしていない。
【０２７４】
図２７のグラフより、成膜時の基板温度が高くなるほど、各サンプルから脱離する水分子量が少なくなることが分かる。よって、成膜時の基板温度を上昇させる、つまり、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成することにより、当該酸化物半導体膜中に含まれる、Ｈ２Ｏ（水）分子に代表される、Ｈ（水素原子）を含む分子やイオンを低減できるということができる。
【０２７５】
以上より、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜を形成することにより、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源となりうるＨ２Ｏ（水）分子に代表される、Ｈ（水素原子）を含む分子やイオンなどの不純物を低減することができる。これにより、酸化物半導体膜の電気伝導度が変化することを防ぎ、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【０２７６】
＜７．二次イオン質量分析＞
本項目では、先の実施の形態に従って酸化物半導体膜を作製し、当該酸化物半導体膜を二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて評価した結果について説明する。
【０２７７】
本項目では、スパッタリング法を用いて石英基板上に酸化物半導体膜を成膜し、成膜時の基板温度が室温のサンプルＱ１乃至サンプルＱ７と、成膜時の基板温度４００℃のサンプルＲ１乃至サンプルＲ７を作製した。ここで、サンプルＱ１乃至サンプルＱ７は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含まない酸化物半導体膜であり、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７は、ｃ軸が配向した結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜である。酸化物半導体膜の成膜ターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものを用いた。他の成膜条件は、成膜ガス流量をアルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス１５ｓｃｃｍとし、圧力０．４Ｐａ、基板−ターゲット間距離６０ｍｍ、高周波（ＲＦ）電源０．５ｋＷ、膜厚３００ｎｍとした。なお、石英基板については、予め窒素雰囲気で１時間、８５０℃の熱処理を行った。
【０２７８】
さらに、サンプルＱ２乃至サンプルＱ７、サンプルＲ２乃至サンプルＲ７については、酸化物半導体膜の成膜後、当該酸化物半導体膜を成膜した石英基板に加熱処理を行った。加熱処理は、窒素雰囲気で所定の温度まで昇温し、酸素雰囲気に切り替えて所定の温度を１時間保持し、それから酸素雰囲気で降温した。所定の温度は、サンプルＱ２およびサンプルＲ２は２００℃、サンプルＱ３およびサンプルＲ３は２５０℃、サンプルＱ４およびサンプルＲ４は３５０℃、サンプルＱ５およびサンプルＲ５は４５０℃、サンプルＱ６およびサンプルＲ６は５５０℃、サンプルＱ７およびサンプルＲ７は６５０℃とする。このようにして、酸化物半導体膜を石英基板上に成膜した、サンプルＱ１乃至サンプルＱ７、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７を作製した。
【０２７９】
本項目においては、以上のサンプルＱ１乃至サンプルＱ７、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７について、ＳＩＭＳ分析を行った。サンプルＱ１乃至サンプルＱ７のＳＩＭＳ分析を行った結果を図２８（Ａ）に、サンプルＲ１乃至サンプルＲ７のＳＩＭＳ分析を行った結果を図２８（Ｂ）のグラフに示す。図２８（Ａ）および図２８（Ｂ）のグラフの縦軸に水素（Ｈ）の濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）をとり、横軸に酸化物半導体膜表面からの酸化物半導体膜および石英基板の深さ（ｎｍ）をとっている。
【０２８０】
図２８（Ａ）および図２８（Ｂ）のグラフより、サンプルＱ１とサンプルＲ１の酸化物半導体膜中の水素濃度はほぼ同等であるが、サンプルＲ２乃至サンプルＲ７の酸化物半導体膜中の水素濃度はサンプルＱ２乃至サンプルＱ７よりも低減されている傾向がある。これは、酸化物半導体成膜時の基板温度が高い方が、後の加熱処理の際の水素の混入が起こりにくいことを示している。特に、サンプルＱ３乃至サンプルＱ５のグラフを見ると、加熱処理の温度上昇に合わせて、酸化物半導体膜の表面側から水素が侵入し、酸化物半導体膜の奧まで水素濃度が高い層が広がり、さらに温度を上げると酸化物半導体膜の表面側から水素が脱離している様子が分かる。このように、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成されない場合、加熱処理による水素の混入や脱離が起こる。しかし、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成した、サンプルＲ２乃至サンプルＲ７ではこのような挙動は見られない。
【０２８１】
これは、酸化物半導体成膜時の基板温度を高くして、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成することにより、酸化物半導体膜中から水素が結合しやすいダングリングボンドなどが低減されているためだと考えることができる。
【０２８２】
よって、酸化物半導体成膜時の基板温度を高くして、酸化物半導体膜中にｃ軸が配向した結晶性を有する領域を形成することにより、酸化物半導体膜中でキャリアの供給源となりうる水素が加熱処理により増大することを防ぐことができる。これにより、酸化物半導体膜の電気伝導度が変化することを抑制し、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【０２８３】
１１ サイト
１２ Ｉｎ原子
１３ Ｇａ原子
１４ Ｚｎ原子
１５ Ｏ原子
３１ 処理室
３３ 排気手段
３５ ガス供給手段
３７ 電源装置
４０ 基板支持体
４１ ターゲット
４３ イオン
４５ 原子
４７ 原子
５１ 基板
５３ 下地絶縁膜
５５ 酸化物半導体膜
５６ 酸化物半導体膜
５９ 酸化物半導体膜
６３ ゲート絶縁膜
６５ ゲート電極
６９ 絶縁膜
１２０ トランジスタ
１３０ トランジスタ
１４０ トランジスタ
１５０ トランジスタ
１６０ トランジスタ
１７０ トランジスタ
１８０ トランジスタ
３５１ 基板
３５３ 下地絶縁膜
３５９ 酸化物半導体膜
３６３ ゲート絶縁膜
３６５ ゲート電極
３６９ 絶縁膜
３７１ 金属酸化物膜
３７３ 金属酸化物膜
５５ａ 種結晶
５５ｂ 酸化物半導体膜
５６ａ 種結晶
５６ｂ 酸化物半導体膜
６１ａ ソース電極
６１ｂ ドレイン電極
３６１ａ ソース電極
３６１ｂ ドレイン電極
５００ 基板
５０１ 画素部
５０２ 走査線駆動回路
５０３ 走査線駆動回路
５０４ 信号線駆動回路
５１０ 容量配線
５１２ ゲート配線
５１３ ゲート配線
５１４ ドレイン電極層
５１６ トランジスタ
５１７ トランジスタ
５１８ 液晶素子
５１９ 液晶素子
５２０ 画素
５２１ スイッチング用トランジスタ
５２２ 駆動用トランジスタ
５２３ 容量素子
５２４ 発光素子
５２５ 信号線
５２６ 走査線
５２７ 電源線
５２８ 共通電極
１００１ 本体
１００２ 筐体
１００４ キーボードボタン
１０２１ 本体
１０２２ 固定部
１０２３ 表示部
１０２４ 操作ボタン
１０２５ 外部メモリスロット
１０３０ 筐体
１０３１ 筐体
１０３２ 表示パネル
１０３３ スピーカー
１０３４ マイクロフォン
１０３５ 操作キー
１０３６ ポインティングデバイス
１０３７ カメラ用レンズ
１０３８ 外部接続端子
１０４０ 太陽電池セル
１０４１ 外部メモリスロット
１０５０ テレビジョン装置
１０５１ 筐体
１０５２ 記憶媒体再生録画部
１０５３ 表示部
１０５４ 外部接続端子
１０５５ スタンド
１０５６ 外部メモリ
１００３ａ 表示部
１００３ｂ 表示部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性を有する領域を含み、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなり、
前記ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅と、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上である酸化物半導体膜。
【請求項２】
前記散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４ｎｍ−１以上０．７ｎｍ−１以下であり、
前記散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上１．４ｎｍ−１以下である請求項１に記載の酸化物半導体膜。
【請求項３】
ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のピークのスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さい請求項１または２に記載の酸化物半導体膜。
【請求項４】
前記結晶性を有する領域を複数含み、結晶のａ軸あるいはｂ軸の方向は、互いに異なる請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の酸化物半導体膜。
【請求項５】
ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは非自然数）で表される構造を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の酸化物半導体膜。
【請求項６】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、を有し、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜の間に第１の金属酸化物膜を有し、
前記第１の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満である請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記酸化物半導体膜と前記第２の絶縁膜の間に第２の金属酸化物膜を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる請求項６乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満である請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１】
結晶性を有する領域を含み、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなり、
前記ｃ軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅と、散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．２ｎｍ−１以上である酸化物半導体膜。
【請求項２】
前記散乱ベクトルの大きさが３．３ｎｍ−１以上４．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４ｎｍ−１以上０．７ｎｍ−１以下であり、
前記散乱ベクトルの大きさが５．５ｎｍ−１以上７．１ｎｍ−１以下のピークにおける半値全幅が０．４５ｎｍ−１以上１．４ｎｍ−１以下である請求項１に記載の酸化物半導体膜。
【請求項３】
ＥＳＲ測定におけるｇ＝１．９３近傍のピークのスピン密度が１．３×１０１８（ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３）より小さい請求項１または２に記載の酸化物半導体膜。
【請求項４】
前記結晶性を有する領域を複数含み、結晶のａ軸あるいはｂ軸の方向は、互いに異なる請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の酸化物半導体膜。
【請求項５】
ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは非自然数）で表される構造を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の酸化物半導体膜。
【請求項６】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた、結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接するように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、を有し、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる半導体装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜の間に第１の金属酸化物膜を有し、
前記第１の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満である請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記酸化物半導体膜と前記第２の絶縁膜の間に第２の金属酸化物膜を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、酸化ガリウムと酸化亜鉛とを含み、且つ結晶性を有する領域を含み、
前記結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる請求項６乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２の金属酸化物膜において、酸化亜鉛の物質量は酸化ガリウムの物質量の２５％未満である請求項１０に記載の半導体装置。
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図１】
【図８】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２３】
【図２４】
【図３１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図１】
【図８】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２３】
【図２４】
【図３１】
【公開番号】特開２０１２−１３４４７５（Ｐ２０１２−１３４４７５Ａ）
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２６０８５４（Ｐ２０１１−２６０８５４）
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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