【課題】Ｃｕ合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記Ｃｕ合金層は、基板側から順に、合金成分としてＭｎと、Ｘ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、ＳｎおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種）を含有する第一層と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層、とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】情報処理と光制御とを一括して光制御基板１枚で処理する場合、例えば低リークを必要とするＴＦＴと、高速動作するＴＦＴ等、特性の異なるＴＦＴを同一基板上に形成することが必要となってくる。しかしながら、フォトマスク数を増やすことで特性の異なるＴＦＴを形成すると、ＴＡＴが延び、価格も高騰するという課題があった。
【解決手段】第１ＬＤＤと、第２ＬＤＤの２水準の濃度を持つＬＤＤを一つのハーフトーンマスクでレジストを形成した。レジスト膜厚は、第１ＬＤＤには低加速エネルギーでは不純物が透過せず、高加速エネルギーでは不純物が通る設定とし、第２ＬＤＤではレジストを開口させた。低加速エネルギーでイオン注入することで、第２ＬＤＤにはこのイオン注入で１回めのイオン注入が行われる。次に、高加速エネルギーでイオン注入することで第１ＬＤＤには高加速エネルギー分の不純物が入り、第２ＬＤＤには２回分の不純物が入る。 （もっと読む）

【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層（シード層）と、当該種結晶層（シード層）の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７に窒素プラズマを照射するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を窒素雰囲気中でアニールするステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するためのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省略し、ゲート電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される配線等含む）を形成する工程、コンタクトホールを形成する（コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む）工程、画素電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程の４つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。コンタクトホールを形成する工程において、半導体層が除去された溝部を形成することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。
【解決手段】 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線と、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されている第１半導体と、少なくとも一部分の第１半導体上に形成されているデータ線及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜上に形成されている蓄積導電体と、データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体上に形成されている第１保護膜と、第１保護膜上に形成され、蓄積導電体上に位置した開口部を有する第２保護膜と、第２保護膜上に形成され、ドレイン電極に接続され、開口部で蓄積導電体と重なる画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、反射電極と透明電極とを構成する場合、２つの
レジストマスクを用いるため、コストが高い。
【解決手段】画素電極となる透明電極と反射電極を積層させる。反射電極上に半透部を有
する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジ
ストパターンを形成する。レジストパターンを用いて反射電極と透明電極とを形成する。
以上により、１つのレジストマスクを用いて、反射電極と透明電極を形成することが可能
となる。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層が形成される画素領域に凹凸の構造体を設け、凸表面には可視光の光を反射する画素電極層（反射層）を設け、凹部には黒色層を設ける。白表示は液晶による光の散乱光を利用して行い、黒表示は、電界により透光性となった液晶層を介して凹部に設けられた黒色層による行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気的特性を実現できる薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、窒化膜を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも窒化膜と接する界面部に微結晶半導体層４１が形成された半導体層４と、を備え、微結晶半導体層４１は、少なくとも窒化膜との界面付近において、窒化膜からの拡散により含有された窒素よりも高濃度の酸素を含むものである。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層中に逆錐形状の結晶粒を含ませ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ基板１は、基板１００上に配置されたゲート電極２００と、前ゲート電極２００上に配置されたゲート絶縁膜３１０と、ゲート絶縁膜３１０上の、互いにゲート電極２００を挟んで対向する位置に形成されたソース電極７１０及びドレイン電極７２０と、ソース電極７１０上に形成されたソース領域と、ドレイン電極７２０上に形成されたドレイン領域と、ソース領域上、ドレイン領域上、及びソース領域と前記ドレイン領域との間のゲート絶縁膜３１０上に配置され結晶性シリコンを含む半導体膜４２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程を大幅に増加させることなく、カラーフィルタの色毎に好適な光学特性を得ることのできるカラー表示パネルを実現する。
【解決手段】画素電極は、第１の透明導電膜１５１と第２の透明導電膜１５２とからなるＲ色用の画素電極１５０Ｒと、第１の透明導電膜１５１からなるＧ色用の画素電極１５０Ｇと、第２の透明導電膜１５２からなるＢ色用の画素電極１５０Ｂとによって構成される。画素電極の形成の際、まずＴＦＴ付き基板１０１上に第１の透明導電膜１５１が形成され、Ｒ色およびＧ色に対応する部分のみが残るよう第１の透明導電膜１５１にパターニングおよびエッチングが施される。次に、ＴＦＴ付き基板１０１上に第２の透明導電膜１５２が形成され、Ｒ色およびＢ色に対応する部分のみが残るよう第２の透明導電膜１５２にパターニングおよびエッチングが施される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたＴＦＴの構造を機能に応じて適切なものとするとき、ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。
【解決手段】表示領域に第１のｎチャネル型ＴＦＴが配置され、駆動回路に第２のｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが配置された半導体装置であって、ｐチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはｎチャネル型ＴＦＴのために添加された不純物元素を含ませない。そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧シフトが小さく、かつオン特性に優れた薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、第１の半導体層１０、オーミックコンタクト層として機能する第２の半導体層、ソース電極５及びドレイン電極６をこの順に形成する工程を備え、第１の半導体層１０を形成する工程は、実質的にイントリンシックな微結晶シリコン層からなる微結晶層１１を形成し、少なくともソース電極５、ドレイン電極６と対向配置される領域に、微結晶層１１ａの表面の結晶欠陥を低減するように、低濃度のＰ（リン）が添加された非晶質シリコン層からなる欠陥修復層１２ａを形成し、その後、実質的にイントリンシックな非晶質シリコン層からなる非晶質層１３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れることを低減する電子書籍を提供することを目的の一とする。または、構造を簡略化した電子書籍を提供することを目的の一とする。
【解決手段】走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行われる表示部を有する複数の可撓性の表示パネルと、複数の表示パネルを固定する綴じ部とを有し、綴じ部の内側に信号線駆動回路を設け、表示パネルにおいて綴じ部と垂直方向の端部に走査線駆動回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ対策をした保護回路および半導体装置を提供する。
【解決手段】集積回路と電気的に接続された信号線と、信号線と第１の電源線との間に設けられた第１のダイオード、及び第１のダイオードと並列に設けられた第２のダイオードと、第１の電源線と第２の電源線との間に設けられた第３のダイオードとを有し、第１のダイオードは、トランジスタをダイオード接続することによって形成されたダイオードであり、第２のダイオードはＰＩＮ接合又はＰＮ接合を有するダイオードである保護回路。上記保護回路は、特に薄膜トランジスタを用いて作製される半導体装置に用いられることで効果を発揮する。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】マスク工程の増大なく、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜、および配線交差部における層間絶縁膜において、それぞれ適切な厚さを有して形成できる表示装置の提供。
【解決手段】絶縁基板上に、第１第２の薄膜トランジスタを形成する工程と、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極、前記第２薄膜トランジスタのゲート電極、前記ゲート信号線をも被って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に脱水素化した第１非晶質シリコン半導体層を形成する工程と、前記第１薄膜トランジスタの形成領域における前記第１非晶質シリコン半導体層を多結晶シリコン半導体層に変質させる工程と、前記第２薄膜トランジスタの形成領域における前記非晶質シリコン半導体層、前記絶縁膜の表面からの一部を順次エッチングする工程と、前記多結晶シリコン半導体層および前記第１非晶質シリコン半導体層をも被って前記絶縁膜上に第２非晶質シリコン半導体層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置などに用いる薄膜トランジスタとその製造方法および電気光学装置とその製造方法ならびに電子機器に係り、上記トランジスタのリーク電流を充分に低減できると共に、充分なオン電流を確保できるようにする。
【解決手段】半導体層３と、前記半導体層３に絶縁膜４を介して設けられたゲート電極５とを備えた薄膜トランジスタ１であって、前記半導体層３は、前記ゲート電極５と重なる領域において、チャネル領域３０と、前記チャネル領域３０よりも不純物濃度の大きい高濃度不純物領域３１ａ、３５を有することを特徴とする。 （もっと読む）