薄膜トランジスタおよび表示装置用電極基板の製造方法
【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７に窒素プラズマを照射するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を窒素雰囲気中でアニールするステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップとを備える。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７に窒素プラズマを照射するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を窒素雰囲気中でアニールするステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップとを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、およびこの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた表示装置用電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として、Ｂ／Ｃ型と呼ばれるボトムゲートかつトップコンタクト構造のものが広く用いられている。また、近年、ＴＦＴの半導体層として、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）を用いるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここで、ＴＡＯＳをＴＦＴに用いるに際して、半導体層を従来のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）からＴＡＯＳに置き換えることを念頭に開発が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１５０９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。
従来のトップコンタクト構造のＴＦＴにおいて、半導体層としてＴＡＯＳを用いる場合には、ソース電極およびドレイン電極となる金属層がＴＡＯＳ層の直上に位置することとなる。また、ＴＡＯＳ材料の中で製品化が有力視されるＩＧＺＯ（Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物）は、酸やアルカリに対する耐薬液性が低く、プラズマダメージを受けやすい。
【０００５】
そのため、ソース電極およびドレイン電極のパターニングに際して、耐薬液性が低いＴＡＯＳは、プロセスダメージを受けやすい。すなわち、プロセスに対するマージンが小さいので、ＴＦＴ特性の低下や歩留まりの低下を生じやすい。そこで、ＴＡＯＳを用いたＴＦＴ（ＴＡＯＳ ＴＦＴ）は、ソース電極およびドレイン電極がパターニングされた後に、ＴＡＯＳ層が形成されるボトムコンタクト構造とすることが望ましい。
【０００６】
また、従来のａ−Ｓｉを用いたＴＦＴ（ａ−Ｓｉ ＴＦＴ）は、合わせズレによるＴＦＴの寄生容量の変動を抑制するために、合わせズレによる影響が小さくなるよう、「Ｕ」字形状に構成されている。しかしながら、ＴＡＯＳ ＴＦＴは、ａ−Ｓｉ ＴＦＴの１０倍以上の移動度を有するので、「Ｕ」字形状にすると、ＴＦＴのサイズが要求値を超えることとなる。
【０００７】
もし、ＴＦＴが要求サイズよりも大きくなると、ＴＦＴの寄生容量による画質への影響が急激に大きくなるので、ＴＦＴを「Ｕ」字形状にすることはできない。そのため、ＴＡＯＳ ＴＦＴは、合わせズレによる寄生容量の変動が生じやすいストレート形状をとらざるを得ず、必然的に従来のａ−Ｓｉ ＴＦＴよりも合わせズレによる画質の低下が生じやすい。
【０００８】
さらに、従来のトップコンタクト構造のＴＦＴにＴＡＯＳを用いた場合には、ソース電極およびドレイン電極をゲートに対して位置合わせすることにより、合わせズレマージンの分だけＴＦＴの寄生容量が大きくなり、かつ合わせズレに応じて表示画面内の寄生容量の大きさが不均一となる。
【０００９】
ここで、液晶表示装置において、開口率や画質を向上させるために、ＴＦＴの寄生容量を低減する方法として、紫外線による裏面露光を用いたｉ／ｓ型のセルフアライン（自己整合型）ＴＦＴがある。そのため、寄生容量を低減して開口率や画質を向上させるために、ＴＡＯＳ ＴＦＴは、セルフアラインとすることが望ましい。
【００１０】
しかしながら、ＴＡＯＳ ＴＦＴをボトムコンタクト構造とした場合には、ソース電極およびドレイン電極となる金属層が遮光性を有するので、ＴＦＴをセルフアラインとすることができない。また、ＴＡＯＳ ＴＦＴを裏面露光によるセルフアラインとした場合には、ソース電極およびドレイン電極となる金属層をゲート電極と重なるように配置することができない。
【００１１】
つまり、ＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ボトムコンタクト構造と裏面露光によるセルフアラインとは、ソース電極およびドレイン電極となる金属層が遮光性を有するので、互いに整合せず、実現することができない。そこで、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを得るために、以下のような方法が考えられる。
【００１２】
すなわち、まず、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極と重ならないようにソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成し、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極上に、ゲート電極を跨いでソース電極とドレイン電極とを繋ぐようにＴＡＯＳ層を形成する。
【００１３】
続いて、ＴＡＯＳ層上に、ゲート電極をマスクとした基板側からの露光により島状絶縁膜を形成し、基板の全面に、島状絶縁膜をマスクとして、島状絶縁膜側からプラズマを照射する。これにより、ＴＡＯＳ層のプラズマが照射された領域（島状絶縁膜によってマスクされていない領域）が低抵抗化され、ＴＡＯＳ層がソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域に区分される。そのため、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴが得られる。
【００１４】
このとき、島状絶縁膜の材料として、従来からチャネル保護膜として用いられてきた酸化シリコン系または窒化シリコン系のＳｉＮｘ、ＳｉＯｘまたはＳｉＯｘＮｙが考えられる。なお、酸化シリコン系または窒化シリコン系のＳｉＮｘ、ＳｉＯｘまたはＳｉＯｘＮｙを島状絶縁膜の材料として用いる場合には、成膜装置としてＣＶＤやスパッタが用いられる。
【００１５】
そのため、従来のａ−Ｓｉ ＴＦＴのＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造ラインにおいて、スループットを下げることなく島状絶縁膜を有するＴＡＯＳ ＴＦＴを量産するためには、ＣＶＤやスパッタを追加するための大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保が必要となる。そこで、設備投資等の問題を解消するために、島状絶縁膜の材料として、塗布成膜可能な樹脂製材料を用いることが望ましい。
【００１６】
ここで、樹脂絶縁膜のポストベーク温度は、材料によって異なるものの、およそ１５０〜２５０℃の範囲にある。この温度は、ＴＡＯＳ層の抵抗値をチャネル領域にふさわしい値にするために実行されるアニールの温度よりも遙かに低い。例えばＴＡＯＳ層がＩＧＺＯである場合、アニール温度は、３００℃程度以上の温度となる。そのため、ＴＡＯＳ層のアニールを実行した後に、樹脂絶縁膜である島状絶縁膜を成膜する必要がある。
【００１７】
しかしながら、アニール後のＴＡＯＳ層を再び樹脂絶縁膜のポストベーク温度まで加熱すると、ＴＡＯＳ層の抵抗値が２桁程度低下する。そのため、製造されたＴＡＯＳ ＴＦＴがノーマリーオン（ｎｏｒｍａｌｌｙ−ＯＮ）となるデプレション（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ）モードとなり、電荷保持型のＬＣＤの画素ＴＦＴとして用いることができないという問題がある。
【００１８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明に係るＴＦＴの製造方法は、基板上にゲート電極を形成するステップと、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成するステップと、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極と重ならないようにソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成するステップと、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極上に、ゲート電極を跨いでソース電極とドレイン電極とを繋ぐように透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップと、透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射するステップと、透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールするステップと、透明アモルファス酸化物半導体層上に、ゲート電極をマスクとした基板側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜を形成するステップと、基板の全面に、島状絶縁膜をマスクとして、島状絶縁膜側からプラズマを照射するステップと、を備えたものである。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係るＴＦＴの製造方法によれば、透明アモルファス酸化物半導体層を形成した後、透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射し、続いて透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールしている。これにより、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値が上昇し、アニール後の透明アモルファス酸化物半導体層を再び島状絶縁膜のポストベーク温度まで加熱した場合に、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値をチャネル領域にふさわしい値にすることができる。
そのため、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の実施の形態１に係るＴＡＯＳ ＴＦＴの構成を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係るＴＡＯＳ ＴＦＴのＴＡＯＳ層の抵抗値を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、この発明に係るＴＦＴおよび表示装置用電極基板の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。
【００２３】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係るＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の構成を示す断面図である。図１において、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０は、ガラス基板１１と、ゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、第１ＴＡＯＳ層１６（透明アモルファス酸化物半導体層）と、第２ＴＡＯＳ層１７（透明アモルファス酸化物半導体層）と、島状絶縁膜１８と、樹脂絶縁膜１９とを備えている。
【００２４】
ゲート電極１２は、ガラス基板１１上に形成されている。なお、基板は、ガラス基板１１に限定されず、透明で、かつ絶縁性を有していればよい。ゲート絶縁膜１３は、ゲート電極１２上に形成されている。ソース電極１４およびドレイン電極１５は、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないようにそれぞれ形成されている。
【００２５】
第１ＴＡＯＳ層１６は、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成されたＴＡＯＳ層である。ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７は、材料として、上述したＩｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物であるＩＧＺＯを用いている。
【００２６】
第２ＴＡＯＳ層１７は、第１ＴＡＯＳ層１６に積層して連続的に形成され、かつゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成されたＴＡＯＳ層である。ここで、第２ＴＡＯＳ層１７は、第１ＴＡＯＳ層１６とは異なる成膜条件（後述する）によって形成され、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７は、積層構造を構成している。
【００２７】
島状絶縁膜１８は、第２ＴＡＯＳ層１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光（裏面露光）により形成された絶縁膜である。樹脂絶縁膜１９は、第２ＴＡＯＳ層１７および島状絶縁膜１８上に形成されている。
【００２８】
ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７の、島状絶縁膜１８と重ならない領域の抵抗値は、後述するプラズマ処理により、島状絶縁膜１８と重なる領域の抵抗値よりも低抵抗化されている。具体的には、第１ＴＡＯＳ層１６は、ソースとして機能するソース領域１６ａ、ドレインとして機能するドレイン領域１６ｂおよびチャネル領域１６ｃを含む。
【００２９】
なお、第２ＴＡＯＳ層１７は、後述するように、Ｏ2の含有量が大きいので、プラズマ処理によってもなお絶縁性を有し、ソース領域１６ａを保護するソース保護領域１７ａ、ドレイン領域１６ｂを保護するドレイン保護領域１７ｂおよびチャネル領域１６ｃを保護するチャネル保護領域１７ｃを含む。
【００３０】
このとき、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７のチャネル領域１６ｃおよびチャネル保護領域１７ｃは、後述するように、ゲート電極１２に対してセルフアラインとなり、ソース領域１６ａおよびソース保護領域１７ａとドレイン領域１６ｂおよびドレイン保護領域１７ｂとの間に形成されている。
【００３１】
なお、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０を用いた表示装置用電極基板は、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０に加えて、ガラス基板１１上に形成された複数本の走査信号線（図示せず）と、絶縁膜（図示せず）を介して複数本の走査信号線と交差するように形成された複数本の表示信号線（図示せず）と、複数の走査信号線と複数の表示信号線との各交差領域に形成された複数のＴＡＯＳ ＴＦＴ１０と電気的に接続された複数の表示画素電極（図示せず）とをさらに備えて構成される。
【００３２】
また、この表示装置用電極基板において、ゲート電極１２は、走査信号線の一部または延在部から構成され、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、表示信号線と同一工程によって形成されている。
【００３３】
続いて、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の製造方法を、手順に沿って説明する。
まず、ガラス基板１１上にゲート電極１２を形成する。ここで、ゲート電極１２は、例えばスパッタリングによって形成された金属層をパターニングすることによって形成される。続いて、ゲート電極１２上に、ゲート絶縁膜１３を形成する。ここで、ゲート絶縁膜１３は、例えばＣＶＤによって形成される。
【００３４】
次に、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないようにソース電極１４およびドレイン電極１５を形成する。ここで、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、例えばスパッタリングによって形成された金属層をパターニングすることによって形成される。
【００３５】
続いて、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように、第１ＴＡＯＳ層１６を形成する。ここで、第１ＴＡＯＳ層１６は、少なくともＡｒおよびＯ2を含む混合ガスを用いて、スパッタリングにより形成される。
【００３６】
次に、第１ＴＡＯＳ層１６に積層して連続的に、かつゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように、第２ＴＡＯＳ層１７を形成する。ここで、第２ＴＡＯＳ層１７は、少なくともＡｒおよびＯ2を含む混合ガスを用いて、スパッタリングにより形成される。
【００３７】
このとき、第１ＴＡＯＳ層１６は、例えば混合ガスの流量に対するＯ2の流量比１％で成膜され、第２ＴＡＯＳ層１７は、例えば混合ガスの流量に対するＯ2の流量比３３％で成膜される。
【００３８】
続いて、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７に窒素（Ｎ2）プラズマを照射する。このとき、窒素プラズマの照射条件は、例えば背圧＝２０Ｐａ、Ｐｏｗｅｒ＝１００Ｗ、Ｎ2流量＝５０ｓｃｃｍ、照射時間＝６０ｓとする。なお、窒素プラズマの照射条件は、このものに限定されず、異なる条件であってもよい。
【００３９】
次に、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７を窒素（Ｎ2）雰囲気中で（Ｎ2を流しながら）アニールする。このとき、窒素アニール条件は、温度＝３５０℃、Ｎ2流量＝５ｌ／ｍ、アニール時間＝３ｈとする。なお、窒素アニール条件は、このものに限定されず、異なる条件であってもよい。
【００４０】
ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７に対する窒素プラズマ照射および窒素アニールは、後述する島状絶縁膜１８のポストベークによって、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７の抵抗値が２桁程度低下することを補償するために、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７の抵抗値を２桁程度上昇させることを目的として実行されるものである。
【００４１】
一般に、ＴＡＯＳ層の抵抗率はキャリア密度によって決まり、キャリア密度は酸素空孔密度によって決まる。ここで、ＴＡＯＳ層はイオン性結晶なので、アニールの熱による酸素の離脱と、熱酸化による酸素の取り込みとのバランスによって酸素空孔密度が決まる。
【００４２】
そのため、ＴＡＯＳ層の抵抗値を大きくするためには、イオン結合よりも結合力の強い共有結合をする窒素をＴＡＯＳ層中に取り込ませることが効果的である。また、実験により、窒素アニールだけではＴＡＯＳ層の抵抗値の上昇量が小さく、窒素アニール前にＴＡＯＳ層に窒素プラズマを照射することで、ＴＡＯＳ層の抵抗値をより上昇させることができることを発見した。
【００４３】
続いて、第２ＴＡＯＳ層１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光（裏面露光）により、島状絶縁膜１８を形成する。ここで、島状絶縁膜１８の材料として、塗布成膜可能な樹脂製材料が用いられる。なお、島状絶縁膜１８は、塗布成膜後に１５０〜２５０℃でポストベークされる。
【００４４】
次に、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射する。このとき、Ｏ2、Ｎ2、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ａｒのうち、少なくとも１つを含むガスを電離させたプラズマがガラス基板１１に照射される。ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７にプラズマが照射されると、ＴＡＯＳ層（ＩＧＺＯ）中の酸素原子が叩き出されて酸素空孔が増加し、性質が導体側に近付く。
【００４５】
これにより、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７のソース領域１６ａおよびソース保護領域１７ａとドレイン領域１６ｂおよびドレイン保護領域１７ｂとが低抵抗化され、ソース領域１６ａおよびドレイン領域１６ｂが電極として使用できる程度の導電率となる。続いて、第２ＴＡＯＳ層１７および島状絶縁膜１８上に、樹脂製材料により、樹脂絶縁膜１９を形成する。
【００４６】
なお、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０を用いた表示装置用電極基板の製造方法は、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の製造方法に加えて、以下の手順を備えている。すなわち、ガラス基板１１上に複数本の走査信号線（図示せず）を形成する手順と、絶縁膜（図示せず）を介して複数本の走査信号線と交差するように複数本の表示信号線（図示せず）を形成する手順と、複数の走査信号線と複数の表示信号線との各交差領域に形成された複数のＴＡＯＳ ＴＦＴ１０と電気的に接続されるように複数の表示画素電極（図示せず）を形成する手順とをさらに備えている。
【００４７】
また、この表示装置用電極基板の製造方法において、ゲート電極１２は、複数本の走査信号線を形成する手順において同時に形成され、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、複数本の表示信号線を形成する手順においてそれぞれ同時に形成される。
【００４８】
ここで、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の第１ＴＡＯＳ層１６における窒素プラズマ照射および窒素アニール後の抵抗値を、図２に示す。図２において、左から２番目の点（Ｎ2プラズマ）が窒素プラズマ照射後の抵抗値を示し、３番目の点（３５０℃／３Ｈ ｗｉｔｈ Ｎ2）が窒素アニール後の抵抗値を示している。
【００４９】
図２より、窒素プラズマ照射および窒素アニール後の第１ＴＡＯＳ層１６の抵抗値が、窒素プラズマ照射および窒素アニール前と比較して、２桁程度上昇していることが分かる。なお、窒素プラズマ照射により抵抗値が一旦下がるが、窒素プラズマ照射を実行せずに窒素アニールを実行した場合よりも、窒素アニール後の抵抗値が高くなる。
【００５０】
上述したように、この実施の形態１では、装置価格が高額なため、スループットを律速する原因となりやすいＣＶＤやスパッタを用いることなく、塗布成膜可能な樹脂絶縁膜を島状絶縁膜１８として用いることが可能である。この結果、従来のａ−Ｓｉ ＴＦＴのＬＣＤ製造ラインにおいて、ａ−Ｓｉ ＴＦＴの製造工程にない島状絶縁膜１８の形成工程を有するＴＡＯＳ ＴＦＴの量産を、ＣＶＤやスパッタを追加導入するための大掛かりな設備投資を伴うことなく容易に行うことができる。
【００５１】
以上のように、実施の形態１に係るＴＦＴによれば、透明アモルファス酸化物半導体層を形成した後、透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射し、続いて透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールしている。これにより、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値が上昇し、アニール後の透明アモルファス酸化物半導体層を再び島状絶縁膜のポストベーク温度まで加熱した場合に、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値をチャネル領域にふさわしい値にすることができる。
そのため、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１１ ガラス基板、１２ ゲート電極、１３ ゲート絶縁膜、１４ ソース電極、１５ ドレイン電極、１６ 第１ＴＡＯＳ層、１６ａ ソース領域、１６ｂ ドレイン領域、１６ｃ チャネル領域、１７ 第２ＴＡＯＳ層、１７ａ ソース保護領域、１７ｂ ドレイン保護領域、１７ｃ チャネル保護領域、１８ 島状絶縁膜、１９ 樹脂絶縁膜。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、およびこの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた表示装置用電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として、Ｂ／Ｃ型と呼ばれるボトムゲートかつトップコンタクト構造のものが広く用いられている。また、近年、ＴＦＴの半導体層として、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）を用いるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここで、ＴＡＯＳをＴＦＴに用いるに際して、半導体層を従来のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）からＴＡＯＳに置き換えることを念頭に開発が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１５０９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。
従来のトップコンタクト構造のＴＦＴにおいて、半導体層としてＴＡＯＳを用いる場合には、ソース電極およびドレイン電極となる金属層がＴＡＯＳ層の直上に位置することとなる。また、ＴＡＯＳ材料の中で製品化が有力視されるＩＧＺＯ（Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物）は、酸やアルカリに対する耐薬液性が低く、プラズマダメージを受けやすい。
【０００５】
そのため、ソース電極およびドレイン電極のパターニングに際して、耐薬液性が低いＴＡＯＳは、プロセスダメージを受けやすい。すなわち、プロセスに対するマージンが小さいので、ＴＦＴ特性の低下や歩留まりの低下を生じやすい。そこで、ＴＡＯＳを用いたＴＦＴ（ＴＡＯＳ ＴＦＴ）は、ソース電極およびドレイン電極がパターニングされた後に、ＴＡＯＳ層が形成されるボトムコンタクト構造とすることが望ましい。
【０００６】
また、従来のａ−Ｓｉを用いたＴＦＴ（ａ−Ｓｉ ＴＦＴ）は、合わせズレによるＴＦＴの寄生容量の変動を抑制するために、合わせズレによる影響が小さくなるよう、「Ｕ」字形状に構成されている。しかしながら、ＴＡＯＳ ＴＦＴは、ａ−Ｓｉ ＴＦＴの１０倍以上の移動度を有するので、「Ｕ」字形状にすると、ＴＦＴのサイズが要求値を超えることとなる。
【０００７】
もし、ＴＦＴが要求サイズよりも大きくなると、ＴＦＴの寄生容量による画質への影響が急激に大きくなるので、ＴＦＴを「Ｕ」字形状にすることはできない。そのため、ＴＡＯＳ ＴＦＴは、合わせズレによる寄生容量の変動が生じやすいストレート形状をとらざるを得ず、必然的に従来のａ−Ｓｉ ＴＦＴよりも合わせズレによる画質の低下が生じやすい。
【０００８】
さらに、従来のトップコンタクト構造のＴＦＴにＴＡＯＳを用いた場合には、ソース電極およびドレイン電極をゲートに対して位置合わせすることにより、合わせズレマージンの分だけＴＦＴの寄生容量が大きくなり、かつ合わせズレに応じて表示画面内の寄生容量の大きさが不均一となる。
【０００９】
ここで、液晶表示装置において、開口率や画質を向上させるために、ＴＦＴの寄生容量を低減する方法として、紫外線による裏面露光を用いたｉ／ｓ型のセルフアライン（自己整合型）ＴＦＴがある。そのため、寄生容量を低減して開口率や画質を向上させるために、ＴＡＯＳ ＴＦＴは、セルフアラインとすることが望ましい。
【００１０】
しかしながら、ＴＡＯＳ ＴＦＴをボトムコンタクト構造とした場合には、ソース電極およびドレイン電極となる金属層が遮光性を有するので、ＴＦＴをセルフアラインとすることができない。また、ＴＡＯＳ ＴＦＴを裏面露光によるセルフアラインとした場合には、ソース電極およびドレイン電極となる金属層をゲート電極と重なるように配置することができない。
【００１１】
つまり、ＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ボトムコンタクト構造と裏面露光によるセルフアラインとは、ソース電極およびドレイン電極となる金属層が遮光性を有するので、互いに整合せず、実現することができない。そこで、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを得るために、以下のような方法が考えられる。
【００１２】
すなわち、まず、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極と重ならないようにソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成し、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極上に、ゲート電極を跨いでソース電極とドレイン電極とを繋ぐようにＴＡＯＳ層を形成する。
【００１３】
続いて、ＴＡＯＳ層上に、ゲート電極をマスクとした基板側からの露光により島状絶縁膜を形成し、基板の全面に、島状絶縁膜をマスクとして、島状絶縁膜側からプラズマを照射する。これにより、ＴＡＯＳ層のプラズマが照射された領域（島状絶縁膜によってマスクされていない領域）が低抵抗化され、ＴＡＯＳ層がソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域に区分される。そのため、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴが得られる。
【００１４】
このとき、島状絶縁膜の材料として、従来からチャネル保護膜として用いられてきた酸化シリコン系または窒化シリコン系のＳｉＮｘ、ＳｉＯｘまたはＳｉＯｘＮｙが考えられる。なお、酸化シリコン系または窒化シリコン系のＳｉＮｘ、ＳｉＯｘまたはＳｉＯｘＮｙを島状絶縁膜の材料として用いる場合には、成膜装置としてＣＶＤやスパッタが用いられる。
【００１５】
そのため、従来のａ−Ｓｉ ＴＦＴのＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造ラインにおいて、スループットを下げることなく島状絶縁膜を有するＴＡＯＳ ＴＦＴを量産するためには、ＣＶＤやスパッタを追加するための大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保が必要となる。そこで、設備投資等の問題を解消するために、島状絶縁膜の材料として、塗布成膜可能な樹脂製材料を用いることが望ましい。
【００１６】
ここで、樹脂絶縁膜のポストベーク温度は、材料によって異なるものの、およそ１５０〜２５０℃の範囲にある。この温度は、ＴＡＯＳ層の抵抗値をチャネル領域にふさわしい値にするために実行されるアニールの温度よりも遙かに低い。例えばＴＡＯＳ層がＩＧＺＯである場合、アニール温度は、３００℃程度以上の温度となる。そのため、ＴＡＯＳ層のアニールを実行した後に、樹脂絶縁膜である島状絶縁膜を成膜する必要がある。
【００１７】
しかしながら、アニール後のＴＡＯＳ層を再び樹脂絶縁膜のポストベーク温度まで加熱すると、ＴＡＯＳ層の抵抗値が２桁程度低下する。そのため、製造されたＴＡＯＳ ＴＦＴがノーマリーオン（ｎｏｒｍａｌｌｙ−ＯＮ）となるデプレション（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ）モードとなり、電荷保持型のＬＣＤの画素ＴＦＴとして用いることができないという問題がある。
【００１８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明に係るＴＦＴの製造方法は、基板上にゲート電極を形成するステップと、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成するステップと、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極と重ならないようにソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成するステップと、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極上に、ゲート電極を跨いでソース電極とドレイン電極とを繋ぐように透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップと、透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射するステップと、透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールするステップと、透明アモルファス酸化物半導体層上に、ゲート電極をマスクとした基板側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜を形成するステップと、基板の全面に、島状絶縁膜をマスクとして、島状絶縁膜側からプラズマを照射するステップと、を備えたものである。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係るＴＦＴの製造方法によれば、透明アモルファス酸化物半導体層を形成した後、透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射し、続いて透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールしている。これにより、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値が上昇し、アニール後の透明アモルファス酸化物半導体層を再び島状絶縁膜のポストベーク温度まで加熱した場合に、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値をチャネル領域にふさわしい値にすることができる。
そのため、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の実施の形態１に係るＴＡＯＳ ＴＦＴの構成を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係るＴＡＯＳ ＴＦＴのＴＡＯＳ層の抵抗値を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、この発明に係るＴＦＴおよび表示装置用電極基板の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。
【００２３】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係るＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の構成を示す断面図である。図１において、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０は、ガラス基板１１と、ゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、第１ＴＡＯＳ層１６（透明アモルファス酸化物半導体層）と、第２ＴＡＯＳ層１７（透明アモルファス酸化物半導体層）と、島状絶縁膜１８と、樹脂絶縁膜１９とを備えている。
【００２４】
ゲート電極１２は、ガラス基板１１上に形成されている。なお、基板は、ガラス基板１１に限定されず、透明で、かつ絶縁性を有していればよい。ゲート絶縁膜１３は、ゲート電極１２上に形成されている。ソース電極１４およびドレイン電極１５は、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないようにそれぞれ形成されている。
【００２５】
第１ＴＡＯＳ層１６は、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成されたＴＡＯＳ層である。ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７は、材料として、上述したＩｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物であるＩＧＺＯを用いている。
【００２６】
第２ＴＡＯＳ層１７は、第１ＴＡＯＳ層１６に積層して連続的に形成され、かつゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成されたＴＡＯＳ層である。ここで、第２ＴＡＯＳ層１７は、第１ＴＡＯＳ層１６とは異なる成膜条件（後述する）によって形成され、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７は、積層構造を構成している。
【００２７】
島状絶縁膜１８は、第２ＴＡＯＳ層１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光（裏面露光）により形成された絶縁膜である。樹脂絶縁膜１９は、第２ＴＡＯＳ層１７および島状絶縁膜１８上に形成されている。
【００２８】
ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７の、島状絶縁膜１８と重ならない領域の抵抗値は、後述するプラズマ処理により、島状絶縁膜１８と重なる領域の抵抗値よりも低抵抗化されている。具体的には、第１ＴＡＯＳ層１６は、ソースとして機能するソース領域１６ａ、ドレインとして機能するドレイン領域１６ｂおよびチャネル領域１６ｃを含む。
【００２９】
なお、第２ＴＡＯＳ層１７は、後述するように、Ｏ2の含有量が大きいので、プラズマ処理によってもなお絶縁性を有し、ソース領域１６ａを保護するソース保護領域１７ａ、ドレイン領域１６ｂを保護するドレイン保護領域１７ｂおよびチャネル領域１６ｃを保護するチャネル保護領域１７ｃを含む。
【００３０】
このとき、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７のチャネル領域１６ｃおよびチャネル保護領域１７ｃは、後述するように、ゲート電極１２に対してセルフアラインとなり、ソース領域１６ａおよびソース保護領域１７ａとドレイン領域１６ｂおよびドレイン保護領域１７ｂとの間に形成されている。
【００３１】
なお、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０を用いた表示装置用電極基板は、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０に加えて、ガラス基板１１上に形成された複数本の走査信号線（図示せず）と、絶縁膜（図示せず）を介して複数本の走査信号線と交差するように形成された複数本の表示信号線（図示せず）と、複数の走査信号線と複数の表示信号線との各交差領域に形成された複数のＴＡＯＳ ＴＦＴ１０と電気的に接続された複数の表示画素電極（図示せず）とをさらに備えて構成される。
【００３２】
また、この表示装置用電極基板において、ゲート電極１２は、走査信号線の一部または延在部から構成され、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、表示信号線と同一工程によって形成されている。
【００３３】
続いて、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の製造方法を、手順に沿って説明する。
まず、ガラス基板１１上にゲート電極１２を形成する。ここで、ゲート電極１２は、例えばスパッタリングによって形成された金属層をパターニングすることによって形成される。続いて、ゲート電極１２上に、ゲート絶縁膜１３を形成する。ここで、ゲート絶縁膜１３は、例えばＣＶＤによって形成される。
【００３４】
次に、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないようにソース電極１４およびドレイン電極１５を形成する。ここで、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、例えばスパッタリングによって形成された金属層をパターニングすることによって形成される。
【００３５】
続いて、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように、第１ＴＡＯＳ層１６を形成する。ここで、第１ＴＡＯＳ層１６は、少なくともＡｒおよびＯ2を含む混合ガスを用いて、スパッタリングにより形成される。
【００３６】
次に、第１ＴＡＯＳ層１６に積層して連続的に、かつゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように、第２ＴＡＯＳ層１７を形成する。ここで、第２ＴＡＯＳ層１７は、少なくともＡｒおよびＯ2を含む混合ガスを用いて、スパッタリングにより形成される。
【００３７】
このとき、第１ＴＡＯＳ層１６は、例えば混合ガスの流量に対するＯ2の流量比１％で成膜され、第２ＴＡＯＳ層１７は、例えば混合ガスの流量に対するＯ2の流量比３３％で成膜される。
【００３８】
続いて、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７に窒素（Ｎ2）プラズマを照射する。このとき、窒素プラズマの照射条件は、例えば背圧＝２０Ｐａ、Ｐｏｗｅｒ＝１００Ｗ、Ｎ2流量＝５０ｓｃｃｍ、照射時間＝６０ｓとする。なお、窒素プラズマの照射条件は、このものに限定されず、異なる条件であってもよい。
【００３９】
次に、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７を窒素（Ｎ2）雰囲気中で（Ｎ2を流しながら）アニールする。このとき、窒素アニール条件は、温度＝３５０℃、Ｎ2流量＝５ｌ／ｍ、アニール時間＝３ｈとする。なお、窒素アニール条件は、このものに限定されず、異なる条件であってもよい。
【００４０】
ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７に対する窒素プラズマ照射および窒素アニールは、後述する島状絶縁膜１８のポストベークによって、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７の抵抗値が２桁程度低下することを補償するために、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７の抵抗値を２桁程度上昇させることを目的として実行されるものである。
【００４１】
一般に、ＴＡＯＳ層の抵抗率はキャリア密度によって決まり、キャリア密度は酸素空孔密度によって決まる。ここで、ＴＡＯＳ層はイオン性結晶なので、アニールの熱による酸素の離脱と、熱酸化による酸素の取り込みとのバランスによって酸素空孔密度が決まる。
【００４２】
そのため、ＴＡＯＳ層の抵抗値を大きくするためには、イオン結合よりも結合力の強い共有結合をする窒素をＴＡＯＳ層中に取り込ませることが効果的である。また、実験により、窒素アニールだけではＴＡＯＳ層の抵抗値の上昇量が小さく、窒素アニール前にＴＡＯＳ層に窒素プラズマを照射することで、ＴＡＯＳ層の抵抗値をより上昇させることができることを発見した。
【００４３】
続いて、第２ＴＡＯＳ層１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光（裏面露光）により、島状絶縁膜１８を形成する。ここで、島状絶縁膜１８の材料として、塗布成膜可能な樹脂製材料が用いられる。なお、島状絶縁膜１８は、塗布成膜後に１５０〜２５０℃でポストベークされる。
【００４４】
次に、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射する。このとき、Ｏ2、Ｎ2、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ａｒのうち、少なくとも１つを含むガスを電離させたプラズマがガラス基板１１に照射される。ここで、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７にプラズマが照射されると、ＴＡＯＳ層（ＩＧＺＯ）中の酸素原子が叩き出されて酸素空孔が増加し、性質が導体側に近付く。
【００４５】
これにより、第１ＴＡＯＳ層１６および第２ＴＡＯＳ層１７のソース領域１６ａおよびソース保護領域１７ａとドレイン領域１６ｂおよびドレイン保護領域１７ｂとが低抵抗化され、ソース領域１６ａおよびドレイン領域１６ｂが電極として使用できる程度の導電率となる。続いて、第２ＴＡＯＳ層１７および島状絶縁膜１８上に、樹脂製材料により、樹脂絶縁膜１９を形成する。
【００４６】
なお、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０を用いた表示装置用電極基板の製造方法は、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の製造方法に加えて、以下の手順を備えている。すなわち、ガラス基板１１上に複数本の走査信号線（図示せず）を形成する手順と、絶縁膜（図示せず）を介して複数本の走査信号線と交差するように複数本の表示信号線（図示せず）を形成する手順と、複数の走査信号線と複数の表示信号線との各交差領域に形成された複数のＴＡＯＳ ＴＦＴ１０と電気的に接続されるように複数の表示画素電極（図示せず）を形成する手順とをさらに備えている。
【００４７】
また、この表示装置用電極基板の製造方法において、ゲート電極１２は、複数本の走査信号線を形成する手順において同時に形成され、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、複数本の表示信号線を形成する手順においてそれぞれ同時に形成される。
【００４８】
ここで、ＴＡＯＳ ＴＦＴ１０の第１ＴＡＯＳ層１６における窒素プラズマ照射および窒素アニール後の抵抗値を、図２に示す。図２において、左から２番目の点（Ｎ2プラズマ）が窒素プラズマ照射後の抵抗値を示し、３番目の点（３５０℃／３Ｈ ｗｉｔｈ Ｎ2）が窒素アニール後の抵抗値を示している。
【００４９】
図２より、窒素プラズマ照射および窒素アニール後の第１ＴＡＯＳ層１６の抵抗値が、窒素プラズマ照射および窒素アニール前と比較して、２桁程度上昇していることが分かる。なお、窒素プラズマ照射により抵抗値が一旦下がるが、窒素プラズマ照射を実行せずに窒素アニールを実行した場合よりも、窒素アニール後の抵抗値が高くなる。
【００５０】
上述したように、この実施の形態１では、装置価格が高額なため、スループットを律速する原因となりやすいＣＶＤやスパッタを用いることなく、塗布成膜可能な樹脂絶縁膜を島状絶縁膜１８として用いることが可能である。この結果、従来のａ−Ｓｉ ＴＦＴのＬＣＤ製造ラインにおいて、ａ−Ｓｉ ＴＦＴの製造工程にない島状絶縁膜１８の形成工程を有するＴＡＯＳ ＴＦＴの量産を、ＣＶＤやスパッタを追加導入するための大掛かりな設備投資を伴うことなく容易に行うことができる。
【００５１】
以上のように、実施の形態１に係るＴＦＴによれば、透明アモルファス酸化物半導体層を形成した後、透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射し、続いて透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールしている。これにより、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値が上昇し、アニール後の透明アモルファス酸化物半導体層を再び島状絶縁膜のポストベーク温度まで加熱した場合に、透明アモルファス酸化物半導体層の抵抗値をチャネル領域にふさわしい値にすることができる。
そのため、ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１１ ガラス基板、１２ ゲート電極、１３ ゲート絶縁膜、１４ ソース電極、１５ ドレイン電極、１６ 第１ＴＡＯＳ層、１６ａ ソース領域、１６ｂ ドレイン領域、１６ｃ チャネル領域、１７ 第２ＴＡＯＳ層、１７ａ ソース保護領域、１７ｂ ドレイン保護領域、１７ｃ チャネル保護領域、１８ 島状絶縁膜、１９ 樹脂絶縁膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重ならないようにソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成するステップと、
前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に、前記ゲート電極を跨いで前記ソース電極と前記ドレイン電極とを繋ぐように透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップと、
前記透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射するステップと、
前記透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールするステップと、
前記透明アモルファス酸化物半導体層上に、前記ゲート電極をマスクとした前記基板側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜を形成するステップと、
前記基板の全面に、前記島状絶縁膜をマスクとして、前記島状絶縁膜側からプラズマを照射するステップと、
を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップは、
成膜条件の互いに異なる２つ以上の透明アモルファス酸化物半導体層を連続的に成膜して積層構造を形成するステップを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップは、
少なくともＡｒおよびＯ2を含む混合ガスを用いて、スパッタリングにより透明アモルファス酸化物半導体層を成膜するステップであり、
前記積層構造の最下層の成膜時には、前記混合ガスの流量に対するＯ2の流量比を５％以下とし、
前記積層構造の最上層の成膜時には、前記混合ガスの流量に対するＯ2の流量比を２０％以上とする
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記プラズマを照射するステップは、
Ｏ2、Ｎ2、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ａｒのうち、少なくとも１つを含むガスを電離させたプラズマを照射する
ことを特徴とする請求項１から請求項３までの何れか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いた表示装置用電極基板の製造方法であって、
透明な絶縁性の前記基板上に複数本の走査信号線を形成するステップと、
絶縁膜を介して前記複数本の走査信号線と交差するように複数本の表示信号線を形成するステップと、
前記複数の走査信号線と前記複数の表示信号線との各交差領域に形成された複数の前記薄膜トランジスタと電気的に接続されるように複数の表示画素電極を形成するステップと、をさらに備え、
前記ゲート電極を形成するステップと、前記複数本の走査信号線を形成するステップとは、同一ステップであり、
前記ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成するステップと、前記複数本の表示信号線を形成するステップとは、同一ステップである
ことを特徴とする表示装置用電極基板の製造方法。
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重ならないようにソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成するステップと、
前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に、前記ゲート電極を跨いで前記ソース電極と前記ドレイン電極とを繋ぐように透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップと、
前記透明アモルファス酸化物半導体層に窒素プラズマを照射するステップと、
前記透明アモルファス酸化物半導体層を窒素雰囲気中でアニールするステップと、
前記透明アモルファス酸化物半導体層上に、前記ゲート電極をマスクとした前記基板側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜を形成するステップと、
前記基板の全面に、前記島状絶縁膜をマスクとして、前記島状絶縁膜側からプラズマを照射するステップと、
を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップは、
成膜条件の互いに異なる２つ以上の透明アモルファス酸化物半導体層を連続的に成膜して積層構造を形成するステップを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記透明アモルファス酸化物半導体層を形成するステップは、
少なくともＡｒおよびＯ2を含む混合ガスを用いて、スパッタリングにより透明アモルファス酸化物半導体層を成膜するステップであり、
前記積層構造の最下層の成膜時には、前記混合ガスの流量に対するＯ2の流量比を５％以下とし、
前記積層構造の最上層の成膜時には、前記混合ガスの流量に対するＯ2の流量比を２０％以上とする
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記プラズマを照射するステップは、
Ｏ2、Ｎ2、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ａｒのうち、少なくとも１つを含むガスを電離させたプラズマを照射する
ことを特徴とする請求項１から請求項３までの何れか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いた表示装置用電極基板の製造方法であって、
透明な絶縁性の前記基板上に複数本の走査信号線を形成するステップと、
絶縁膜を介して前記複数本の走査信号線と交差するように複数本の表示信号線を形成するステップと、
前記複数の走査信号線と前記複数の表示信号線との各交差領域に形成された複数の前記薄膜トランジスタと電気的に接続されるように複数の表示画素電極を形成するステップと、をさらに備え、
前記ゲート電極を形成するステップと、前記複数本の走査信号線を形成するステップとは、同一ステップであり、
前記ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成するステップと、前記複数本の表示信号線を形成するステップとは、同一ステップである
ことを特徴とする表示装置用電極基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−１１４２４６（Ｐ２０１２−１１４２４６Ａ）
【公開日】平成２４年６月１４日（２０１２．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２６２０３１（Ｐ２０１０−２６２０３１）
【出願日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【出願人】（５０１４２６０４６）エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド (732)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月１４日（２０１２．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【出願人】（５０１４２６０４６）エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド (732)
【Ｆターム（参考）】
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