【課題】広視野角の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを覆う平坦化絶縁膜18上に液晶駆動用の画素電極19、画素電極19の上にはラビング処理を施さない垂直配向膜31が形成され、共通電極23中には電極不在部である配向制御窓24、共通電極23上にはラビング処理を施さない垂直配向膜32が形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶はプレチルトを有することなく法線方向に初配向制御され、電圧印加により、画素電極19端及び配向制御窓24端における斜め電界に傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。画素間のブラックマトリクスが省略されてＴＦＴに対応する領域のみ遮光膜21BLが形成され、光リーク電流を防いでいる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの下地膜または保護膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴ、このＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板およびそれらの製造方法を得る。
【解決手段】ガラス基板１１上に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないように形成されたソース電極１４およびドレイン電極１５と、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７と、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により形成された島状絶縁膜１８とを備え、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７の島状絶縁膜１８と重ならない領域の抵抗値は、島状絶縁膜１８と重なる領域の抵抗値よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７に窒素プラズマを照射するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を窒素雰囲気中でアニールするステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】液晶ディスプレー下基板の製造方法の提供。
【解決手段】（ａ）基板の第一表面上にパターン化された第一透明電極層、第一絶縁層、パターン化された金属層、第二絶縁層を形成し、該第一透明電極層は第一絶縁層により覆われ、該金属層は該第一絶縁層上に位置し、しかも該金属層は該第二絶縁層により覆われ、（ｂ）該第二絶縁層上には第二透明電極層とネガティブフォトレジスト層を形成し、該第二透明電極層は該第二絶縁層と該ネガティブフォトレジスト層間に位置し、（ｃ）該基板の第二表面から露光を行い、（ｄ）未反応の該ネガティブフォトレジスト層を除去し、エッチングを行い、パターン化された第二透明電極層を形成することを特徴とする液晶ディスプレー下基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体においてはイオン注入法による拡散層形成が難しいため、バルクシリコンＭＯＳトランジスタや多結晶シリコンＴＦＴのようなイオン注入法を用いた自己整合プロセスを組むことができない。本願では、リフトオフを用いる場合のような不都合の生じない自己整合プロセスを酸化物半導体において実現することを課題とする。
【解決手段】 裏面露光により製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制でき、透明導電膜との接触電気抵抗も低減された表示デバイスを製造する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程によってＡｌ合金膜を透明導電膜と直接接触させる。（１）Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜を形成する第１の工程、（２）フォトリソグラフィおよびドライエッチングによってコンタクトホールを形成する第２の工程、（３）フォトリソグラフィで生成したフォトレジストの剥離を行なう第３の工程、（４）透明導電膜を形成する第４の工程と、をこの順序で包含し、第２の工程は、オーバーエッチングにおけるガスの流量比を、ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率で３０％以下に制御して前記Ａｌ合金膜の表面をＡｌの酸化物で覆う工程を含み、第３の工程は、ｐＨ１０．５以上のアルカリ溶液に接触させて前記Ａｌの酸化物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】遮光膜パターンの寸法制御をより正確に行う。
【解決手段】遮光膜上に遮光膜パターンの形成予定領域を覆うレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜のエッチングを開始し、レジストパターンに覆われていない遮光膜が除去された後にエッチングを停止する工程と、基板の他方の主面側から光を照射し、レジストパターンのエッジを遮光膜のエッジに一致させる工程と、エッジ位置を把握し、把握したエッジ位置を基に追加エッチング時間を決定し、遮光膜のサイドエッチングを行う工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタによって形成される半導体装置の製造工程において、フォトマスク数を削減し、製造コストを低減することができ、且つ生産性及び信頼性を向上することのできる技術を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル保護層を形成する膜を透光性を有する酸化物半導体層上に形成し、チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法を用いて酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成することを要旨とするものである。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型自己整合型のＴＦＴにおいて、ゲート電極の幅を最小加工寸法程度の幅とし、寄生容量が小さいＴＦＴを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に、ゲート電極をマスクにして紫外線を裏面照射することにより、自己整合型のＴＦＴを形成する。紫外線照射された半導体層は紫外線の回折の影響によりゲート電極より少し内側までソース電極、ドレイン電極として機能する程度に高導電化し、チャネル長はゲート電極の幅よりも少し短い長さとなる。これにより、ゲート電極の幅を最小加工寸法程度に短縮することが可能となり、その結果、ＴＦＴ寄生容量も低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】画素電極と左右のデータラインとの短絡が生じにくい液晶表示素子を提供する。
【解決課題】隣り合う一方及び他方のデータライン５と、一方及び他方のデータライン５と同一平面上で一方及び他方のデータライン５間に形成した画素電極３７と、一方のデータライン５に近接する屈曲部２７ａ並びに屈曲部２７ａと比べて一方のデータライン５から離れた位置にある一端及び他端をそれぞれ有する複数のスリット２７を相互に平行に形成した共通電極９と、を絶縁膜を介して同一基板上に形成した液晶表示素子において、画素電極３７のうち一方のデータライン５寄りの縁部について、最も一方のデータライン寄りのスリット２７の屈曲部２７ａに対応する部位と一方のデータライン５との間の部分を、最も一方のデータライン５寄りのスリット２７の一端及び他端にそれぞれ対応する部位と一方のデータライン５との間の部分より、一方のデータライン５に近接させる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【課題】画質を向上させる。
【解決手段】青色相液晶を使用する液晶表示装置において、画素電極のうちの少なくとも一部は突起と重畳する構造を有し、当該突起及びその上に形成された画素電極を通じて光が透過しないように形成するか、または当該突起の屈折率と青色相液晶の屈折率とが互いに同じ値を有するように形成する。
このように形成された液晶表示装置は、青色相液晶が有する長所以外に、相対的に低い電圧で駆動が可能であり、突起及びその上の電極周辺から光が漏れることを防止して、画質が向上する長所がある。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】電気的ストレスによる閾値電圧変化の小さいコプラナー構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル保護層は１層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸素を含む絶縁体からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク数を削減し、４枚又は３枚マスクプロセスでより微細なパターンが可能となる信頼性の高いＴＦＴを作製する製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネルエッチ型ボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ゲート配線を利用し裏面露光しフォトレジストを選択的に露光し所望のパターンのフォトレジストを形成し、さらに多階調マスクとしてハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクを利用する。また、ハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクを利用するリフトオフ工程およびフォトレジストをリフロー処理する工程を利用する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、素子基板に対して対向基板との隙間寸法を制御する柱状突起を光反射層の間に形成することのできる反射型液晶装置の製造方法、反射型液晶装置、電子機器、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型液晶装置１００の素子基板１０に柱状突起１１を形成するにあたって、樹脂塗布工程でネガタイプの感光性樹脂１３を塗布した後、露光工程で第２面１０ｙ側から感光性樹脂１３を露光すると、素子基板１０の透光領域１０ｔの感光性樹脂１３のみが露光されるので、現像後、画素電極９ａの上層には感光性樹脂層１３ａが形成されない。従って、現像後の感光性樹脂層１３ａをエッチングマスクとして用いて下層側の絶縁膜１２をエッチングして柱状突起１１を形成した場合、柱状突起１１が画素電極９ａの上層に形成されない。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制できる表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ合金膜は、Ａｌより貴な金属元素を含むものであり、アミン類を含む有機剥離液で絶縁膜上のフォトレジストを除去し、次いでヒドロキシル基とホルミル基とを有する芳香族化合物および／またはヒドロキシル基とカルボキシル基とを有する芳香族化合物を含む洗浄水で洗浄することを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）