【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】除去版のパターンサイズが小さい場合であっても、パターンの高解像性を維持することができる反転印刷方法およびそれに使われる除去版、その製造方法を提供する。
【解決手段】版材の厚さ方向の一方に位置する表面に凸部１５と凹部１２とからなるパターンを形成した除去版６を用意する。ブランケット３上に塗布されたインキ材料に除去版６を押し当てることにより凸部１５の頂面１６に対応するインキ材料をブランケット３から除去することでブランケット３上に残存するインキ材料からなる凹部１２に対応する形状のパターンインキを形成する。パターンインキを基材４に転写することによって基材４上に凹部１２に対応する形状のパターンを形成する。除去版６は、凸部１５の頂面１６で凹部１２の外周に位置する部分に凹部１２の輪郭に沿って延在する溝状の凹型補正線１３が連続してあるいは断続して形成されている。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な工程で画素領域にコンタクトホールを形成せず、ダーク領域とディスクリネーションを最大限除去することによって、開口率を増加させることができるようにする。
【解決手段】 本発明による液晶表示装置は、画素領域内に透明画素電極と透明共通電極を備えて液晶を駆動し、透明共通電極は、複数のスリットを有し、単位画素が互いに連結されるようにスイッチング素子の少なくとも一部をオープンして形成され、スリットは、ゲートラインと５乃至１０度の角度をもって形成され、液晶層のラビング方向は、ゲート方向と実質的に平行に構成される。本発明によれば、開口率の低下要因を除去し、光の漏れ現象を遮断し、内部反射をさらに向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製するための、半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜にマイクロ波または高周波の電磁波を照射し、電磁波が照射された酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に酸化物半導体膜の一部と接する酸化物絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】画像品質を向上し、小型化でき、工程を簡略化して製造歩留まりの向上や信頼性の向上する。
【解決手段】反射部１１と光透過部１２とが画素部に設けられている第１基板１０と、第１基板１０と間隔を隔てて対向している第２基板８０と、第１基板１０と第２基板８０との間に配置されている液晶層１９とを有する液晶表示装置において、第１基板１０の光反射部１１に対応する液晶層１９側の領域に偏光層２１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】サセプタの貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー６０と、チャンバー６０内に設けられ、基板１０’が載置されると共に、貫通孔６３が設けられたサセプタ６１と、貫通孔６３内に挿通され、基板１０’を昇降自在に支持するリフトピン６２と、リフトピン６２における下端６２ｉ側の外周面６２ｇに形成された、貫通孔６３の内周面６３ｎに接触する接触部位６２ｐ１と、リフトピン６２における上端６２ｔ側の外周面６２ｇに貫通孔６３の長さよりも短く形成された、貫通孔６３の内周面６３ｎに対し非接触となる非接触部位６２ｐ２と、リフトピン６２の下端６２ｉに当接した状態でリフトピン６２を昇降させ、リフトピン６２の上端６２ｔに支持された基板１０’を昇降させるリフトバー６５と、を具備していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化を実現することができ、かつ配線と導電層との密着性を向上させることができる表示装置用基板およびそれを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０、絶縁性基板１０上に設けられた配線４、配線４における絶縁性基板１０の反対側に設けられた導電層１２、並びに、配線４および導電層１２を覆うように絶縁性基板１０上に設けられた層間絶縁膜１５を備えており、導電層１２が金属ナノ粒子を含有し、配線４における導電層１２との接触面にはスリット２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記基板上に上記配線を形成し、上記基板から上記配線を凸状に突出させる工程と、導電粒子を含むインクを吐出し、上記配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を上記配線上に配置する工程と、上記インク滴を焼成し、上記配線上に導電層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの層間ショート欠陥を低減することが可能な薄膜トランジスタ基板およびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ３０は、例えば、基板１０上に、下層電極３１、キャパシタ絶縁膜３２および酸化物半導体よりなる上層電極３３を順に有している。具体的には、上層電極３３は、ＴＦＴの酸化物半導体層と同層に形成されたものである。上層電極３３が薄く、ステップカバレージが悪いので、キャパシタ絶縁膜３２中に異物が存在しても、下層電極３１と上層電極３３との間で層間ショートが発生しにくくなる。酸化物半導体はアモルファスシリコンに比べて導電性が高いので、櫛歯状などの複雑な形状にする必要はなく、上層電極３３の全面をキャパシタ電極として機能させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。
【解決手段】金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。メタルマスク層54を用いて金属拡散防止膜51を選択的に除去する。良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】良好なインプリント性と光硬化性を有し、機械的特性や各種耐久性、中でも光硬化性、耐熱性および弾性回復率に優れたインプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物およびその製造方法、並びに、液晶表示装置用部材を提供する。
【解決手段】光重合性単量体と、光重合開始剤と、酸化防止剤と、含有する光インプリント用組成物であって前記光重合性単量体の含有量が８０〜９９質量％であり、前記酸化防止剤の含有量が０．３〜７．質量％であり、前記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール系酸化防止剤のみ、セミヒンダードフェノール系酸化防止剤のみ、ヒンダードフェノール系酸化防止剤とセミヒンダードフェノール系酸化防止剤の混合物、またはヒンダードアミン系酸化防止剤のみ、のいずれかであることを特徴とするインプリント用硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの構成部材の位置ずれを抑制し、さらに寄生容量の低減を図った薄膜トランジスタおよびそれを用いた装置の提供。
【解決手段】絶縁基板上に、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、少なくとも前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層と重畳して配置されるゲート電極を備えるものであって、
前記ソース電極上に重ねられて第１バンク絶縁膜、前記ドレイン電極上に重ねられて第２バンク絶縁膜が形成され、
前記半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極は、前記第１バンク絶縁膜と前記第２バンク絶縁膜の間の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】走査信号線と映像信号線との交差箇所に開口部を設け、半導体層及び導電体層をレジストリフロー方式により形成する場合に、例えば黒点化修正を行えるよう担保できる表示装置を提供する。
【解決手段】映像信号線ＤＬとの交差箇所に開口部ＡＰが設けられた走査信号線ＧＬ、絶縁膜、導電体層より広がった領域を覆う半導体層ＡＳ、及び導電体層が順次積層され、導電体層は映像信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴのドレイン電極ＤＥ及びソース電極ＳＥ、並びに映像信号線ＧＬとドレイン電極ＤＥとを接続する接続線ＬＬを含み、接続線ＬＬは開口部ＡＰ上で映像信号線ＤＬから分岐し、開口部ＡＰは接続線ＬＬと交差する方向の幅が半導体層ＡＳの幅より広くなるように、走査信号線ＧＬの両側端に向けて突出して形成されている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上部と下部との導電体の間の導通をバンプにより十分に確保することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供する。
【解決方法】バンプと、バンプにより貫通される絶縁層とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプがフッ素化合物を含み、絶縁層が塗布法で形成され、バンプのフッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であり、バンプが凹版印刷法またはスクリーン印刷法で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 ヒロック等の発生による障害が発生することがなく、十分な信頼性を確保することが可能なアレイ基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】 第１配線層、第２配線層１７、第３配線層１９を有し、信号線が第２配線層１７及び第３配線層１９により構成されるとともに、最下層の第１配線層の一部が薄膜トランジスタのゲート電極１５を構成している。外部接続用のＯＬＢパッド４が最上層の第３配線層１９の一部により形成されており、ＯＬＢパッド４と接続される引き出し配線が第２配線層１７により形成されている。 （もっと読む）

【課題】基材上に配置して乾燥後、２５０℃以下の比較的低温で焼成しても導電性に優れ、不純物の少ない導電部材を得ることが可能な分散性の高い銅微粒子分散水溶液を提供する。金属微粒子分散液を基板上に塗布して、加熱焼成方法により導電性の高い導電回路を形成する方法を提供する。
【解決手段】一次粒子の平均粒径が１〜５００ｎｍである銅微粒子が２〜７０質量％の濃度となるように溶媒（Ｓ）に分散させた銅微粒子分散溶液（Ｌ）を基材（Ｓ）に塗布し、次に該銅微粒子分散溶液（Ｌ）が塗布された基材を１６０〜５００℃に加熱された炉内に挿入して不活性ガス雰囲気中で急速加熱することにより銅微粒子を焼結して、空隙率が４０〜７０％である焼結膜を基材上に形成することを特徴とする、多孔質銅焼結膜の製造方法。多孔質銅焼結膜の１例である多孔質銅焼結膜を示す。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する画素部を有する。前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有する。前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を自己制御的に除去することができるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、まず、第１シリコン酸化膜５１上に、アルミ又はアルミ系合金からなる第１犠牲層５２ａを形成する。第１犠牲層５２ａは、ゲート電極の形成と同時に形成する。次に、第１犠牲層５２ａ上に、ＩＴＯからなる第２犠牲層５２ｂを形成する。第２犠牲層５２ｂは、画素電極の形成と同時に形成する。このような犠牲層５２上に、錘５８として機能する第２シリコン酸化膜５３、シリコン膜５４を形成し、所定の形状にパターンニングする。その後、電食反応を利用して、犠牲層５２に王水を接触させることにより、自己制御的に犠牲層５２を除去し、錘５８の下側に空洞を形成する。 （もっと読む）