【課題】電界効果移動度が高く、オフ電流が小さい有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】有機半導体層の内部のうち、ソース電極の真上又は真下に位置する部分を第１の部分とし、ドレイン電極の真上又は真下に位置する部分を第２の部分とし、第１の部分と第２の部分とは異なる部分を第３の部分とした場合に、ドーピング領域が、第３の部分、第１の部分と第３の部分、又は第２の部分と第３の部分に存在する有機薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、電流リークによる不良品を低減する。
【解決手段】表示パネルの製造方法は、基板の主表面上に複数の層を形成したものを用いて表示パネルを製造する方法であって、前記複数の層のうち最終製品に残存する各層を前記主表面に近いものから順に第１構造層、第２構造層、第３構造層、…、第ｎ構造層と呼ぶこととしたときに、１≦ｋ≦ｎ−１を満たす全てのｋに関して、第ｋ構造層を成膜する工程Ｓ（ｋ，１）と、前記第ｋ構造層を成膜する工程より後で第ｋ＋１構造層を成膜する工程より前に、前記第ｋ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｋ，３）とを、それぞれ含み、さらに、第ｎ構造層を成膜する工程Ｓ（ｎ，１）と、前記第ｎ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｎ，３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化かつ薄型化された表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、一方の面に配線を有し、配線に対向する位置に他方の面への貫通孔を有する表示基板と、表示基板の他方の面側に設けられ、貫通孔を介して配線と電気的に接続された配線基板とを備えている。配線基板は折り曲げられることなく、平面状のまま配線に接続される。配線基板の曲げの距離（曲率半径）が不要となり、狭額縁化かつ薄型化がなされる。 （もっと読む）

【課題】より小型化、低コスト化した液晶表示素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板１とガラス基板２は回路基板３上の電極パッド１４、電極パッド１５と導通をとるため、液晶１１を介し、均一な位置関係でシール材９により貼り合わせて液晶表示素子を構成している。前記シリコン基板１に形成された画素電極１２は貫通電極４を介して、導電性材料１６（例えば金ペースト、はんだ等）によって回路基板３の電極パッド１４と電気的に接続される。また、ガラス基板２に形成された対向電極６は、これと対向する位置に配置された前記シリコン基板１上の貫通電極８と導電性樹脂７を介して接続され、貫通電極８の下面側において導電性材料１６（例えば金ペースト、はんだ等）を介して回路基板３の電極パッド１５と接続されている。前記画素電極１２と前記対向電極６とはそれぞれ異なった電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、一面に、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを有する第１基板３４と、一面に、ゲート電極４１ｅ、ゲート絶縁膜４１ｂおよび半導体層４１ａを有する第２基板３９と、第１基板３４および第２基板３９が互いの一面側を対向させて貼り合わされることによりこれら第１基板３４と第２基板３９との間に構成される薄膜トランジスタＴＲと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】制御性が良く、安定して動作する可変容量素子を提供する。消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】印加される電界により、ｎ型またはｉ型となる半導体、もしくは、ｐ型またはｉ型となる半導体を用いて可変容量素子を構成する。容量素子を構成する第１の電極と第２の電極の間に、誘電体層として絶縁層と上記半導体層の積層を設ける。第１の電極を誘電体層側に設け、第２の電極を半導体層側に設けた時に、第１の電極と半導体層が重畳する面積Ｃ１よりも、第１の電極と半導体層と第２の電極が重畳する面積Ｃ２の方を小さくなるようにする。動画像表示と静止画像表示で駆動方法を切り替える液晶表示装置に可変容量素子を適用することで、消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ等の表示素子パネルに接続する、透明性の高いフレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明ガラス層１と透明プラスチック層２との積層体を基材とし、そのガラス層１を貫通する溝１４内に配線３有するフレキシブルプリント配線板１０により、上記課題を解決する。このとき、配線の幅Ｗを１μｍ〜２ｍｍとし、配線の高さＨを５μｍ〜２００μｍとすることができる。こうした配線板１０は、エッチャントに対して異なる被エッチング能を持つ少なくとも２種の透明層１，２が積層されてなる積層体を準備する工程と、そのエッチャントでエッチングされる側の透明層１を所定パターンでエッチングを行って貫通させる工程と、その貫通した溝１４内に導電材３’を形成する工程とを有する方法で製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低く抑え、表示特性を向上させることができる表示素子を提供する。
【解決手段】共通電極１３および画素電極１６を有する駆動用基板１１と、対向基板２１と、駆動用基板１１および対向基板２１の間に設けられ、電界無印加時に光学的等方性を示すと共に、電界の印加に応じて光学的異方性の程度が変化する光変調層３０とを備えている。画素電極１６は、櫛根部分１６Ａと櫛歯部分１６Ｂとからなる櫛型構造を有している。櫛根部分１６Ａおよび櫛歯部分１６Ｂは、不透明材料からなり、断面形状の角部で丸みを帯びている。画素電極１６と共通電極１３との間に駆動電圧を印加すると電界Ｅが発生する。 （もっと読む）

【課題】一方の基板に形成された配線が他方の基板に形成された配線以外の導電体と導通することを防止する。
【解決手段】可撓性の基材３２に形成された配線３４の第１部分Ａ１を覆う金属層３６と配線３４の第２部分Ａ２を覆うソルダーレジスト３８とを含むフレキシブルプリント基板と、導電性基材２１の表面に形成される絶縁層２４上に形成される信号線２５を有する表示パネルと、を備え、フレキシブルプリント基板は、金属層３６が信号線２５と対向して当該信号線２５に接続されるとともに、ソルダーレジスト３８が、導電性基材２１の表面のうち絶縁層２４の周縁から張り出した縁領域Ｂと対向するように配置されるという構成を有する電子装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で反射電極を形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス素子４を形成した基板１０上に、層間絶縁膜１６および密着層１７を設けたのち、第１触媒層１８のパターンを形成する。続いて、第１無電解めっき処理を施し、第１触媒層１８を基に第１めっき層１９を成長させる。次いで、第２触媒層２０を形成し、この第２触媒層２０および第１めっき層１９を触媒として、第２無電解めっき処理を施す。これにより第２めっき層２１が形成され、表面に凹凸を有する反射電極５が形成される。 （もっと読む）

【課題】転写技術を利用した薄膜装置の製造工程、およびその製造後に、誘導によって生じる帯電を防止することが可能な薄膜装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。 （もっと読む）

【課題】表示装置自体の大型化を抑えつつ、フレキシブル配線基板の断線を防止する。
【解決手段】表示装置は、第一基板が第二基板から突出するように張り合わされ、第一基板の突出部における第二基板側の露出面に複数の入力端子が形成された表示パネルと、表示パネルに接続されるフレキシブル配線基板とを備える。フレキシブル配線基板は、基材と、基材の第一面側に設けられた第一金属層と、基材における第一面とは反対の第二面側に設けられた第二金属層とを有す。露出面の一端部に重畳される第一部分は、複数の前記入力端子に接続される複数の接続端子が形成された第一金属層、基材及び第二金属層を有するとともに、基材を介して第一金属層及び第二金属層を電気的に接続するスルーホールを有す。第一部分に対して、表示パネルから離れる方向で隣接する第二部分は、基材が露出するように第一金属層が除去されて、基材及び第二金属層とを有す。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を設け、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極及びドレイン電極と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】十分な解像度を持ち、露光マージンが広く、平坦化性能に優れ、高温の加熱工程を経ても高い透明性を維持することができ、金属配線を経時劣化することのない配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】上記感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）（ａ−１）アリール基を有するアルコキシシラン化合物５０〜９９重量％、（ａ−２）アルキル基を有するシラン化合物１〜４５重量および（ａ−３）その他のアルコキシシラン化合物０〜５重量％を重縮合してなるポリシロキサンならびに（Ｂ）放射線の照射を受けて酸を発生する化合物を含有する。 （もっと読む）