【課題】ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース３１は、チャンバー３１１を有している。ワーク支持具３２は、チャンバー３１１に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット３３及び各多重アークイオンターゲット３４は、それぞれチャンバー３１１に内設され、中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４が、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生回数を抑制しつつも、基板への異物の付着を抑制することが可能な薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法では、ターゲット９４と向かい合う上面に第１の極性を有する第１の磁石５１と、上面に第２の極性を有し、第１の磁石５１の周囲に配置される第２の磁石５２と、を含む磁石ユニット５を配置し、ターゲット９４の使用量の増加に応じて、磁石ユニット５の外縁５２ａとターゲット９４の外縁９４ａとのＹ方向の最近接距離を減少させる。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Ｍｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Ｘは、Ｍｏと合金を形成し、Ｍｏより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Ｔｌより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Ｘの含有量は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下が好ましい。少なくとも表面から５０ｎｍまでの領域が本発明に係るＭｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極。元素Ｘは、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属元素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が５．４×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上５．６×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下で、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１重量％以上３重量％以下のＡｌを含み、酸化亜鉛粒子１０中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の粒子径は３μｍ以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の径は１０μｍ以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にＡｌが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０を起点とする異常放電を防止できる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材１２の表面に積層されたアンダーコート層１４上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部１８と、無機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０との複層構造を有するトップコート層１６を更に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス１００を軸線Ｌまわりに回転させながら、軸線Ｌに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面５１を仕上げ加工する。正面フライス１００には、スローアウェイチップ（インサート）３として、第１チップ３１と第２チップ３２とが設けられる。第１チップ３１は、円弧状の切り刃を有する。第２チップ３２は、直線状の切り刃を有する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料の薄膜を成膜する際において、生産性を低下させず且つ安全にメンテナンスを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室内を真空にする真空排気手段と、処理室内に設けられ、成膜材料を放出するための手段と、成膜材料を放出するための手段に対向して設けられた基板支持手段と、一方の面が処理室の内壁と対向し、且つ熱伝導性を有する領域であり、他方の面が熱伝導性を有する領域に接して設けられた酸化物を含む領域である、防着板と、を備えている成膜装置である。そして、当該成膜装置を用いた成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３１の背面側に設けられたマグネット配列体５は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット３１のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット３１の使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】反射断熱材の表面の反射膜を高い反射率に維持できる優れた耐久性を確保できるようにすることである。
【解決手段】基材としての樹脂フィルム２の表面の反射膜３を、Ａｇを主成分とし、Ｂｉ、ＳｂおよびＮｄから選ばれる１種以上の合金元素を０．００５〜３．２原子％含有するＡｇ基合金で形成することにより、化学的安定性を純Ａｇよりも向上させて、反射膜３を高い反射率に維持できる優れた耐久性を確保できるようにした。 （もっと読む）

【課題】低摩擦であると共に安定した摺動性を発揮するバルブリフターやシム等の内燃機関用バルブ駆動系部材を提供する。
【解決手段】本発明の内燃機関用バルブ駆動系部材は、潤滑油が介在する湿式条件下でカムのカム面と摺接してカムに従動する摺接面を有するカムフォロアからなる。本発明に係るカムフォロアの摺接面は、全体を１００原子％としたときに５〜２５原子％のＨと４〜２５原子％のＢと残部であるＣとからなるＤＬＣ膜（ＤＬＣ−Ｂ膜）で被覆されてなる。このＤＬＣ−Ｂ膜からなる摺接面は、高靱性で耐衝撃性に優れ、カム面から１５０〜２５０ＭＰａ／ｄｅｇの衝撃力を受けても、欠け等を生じない。またジアルキルジチオカルバミン酸モリブデン（ＭｏＤＴＣ）を含まない潤滑油が介在する湿式条件下で使用される場合に、本発明に係るカムフォロアは優れた低摩擦係数を発揮する。 （もっと読む）