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Fターム[4K029CA05]の内容

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【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Mo−X合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Xは、Moと合金を形成し、Moより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Tlより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Xの含有量は、1at%以上20at%以下が好ましい。少なくとも表面から50nmまでの領域が本発明に係るMo−X合金からなる耐硫化性電極。元素Xは、Al及びGaからなる群から選ばれるいずれか1以上の金属元素が好ましい。 (もっと読む)


【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×10kg/m以上5.6×10kg/m以下で、Al換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl粒子20を起点とする異常放電を防止できる。 (もっと読む)


【課題】ICのシールド用メッキ膜を製造する設備及びICの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース31は、チャンバー311を有している。ワーク支持具32は、チャンバー311に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのICを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット33及び各多重アークイオンターゲット34は、それぞれチャンバー311に内設され、中周波マグネトロンターゲット33及び多重アークイオンターゲット34が、金属材料をIC上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ICの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 (もっと読む)


【課題】アーキングの発生回数を抑制しつつも、基板への異物の付着を抑制することが可能な薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法では、ターゲット94と向かい合う上面に第1の極性を有する第1の磁石51と、上面に第2の極性を有し、第1の磁石51の周囲に配置される第2の磁石52と、を含む磁石ユニット5を配置し、ターゲット94の使用量の増加に応じて、磁石ユニット5の外縁52aとターゲット94の外縁94aとのY方向の最近接距離を減少させる。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】低摩擦であると共に安定した摺動性を発揮するバルブリフターやシム等の内燃機関用バルブ駆動系部材を提供する。
【解決手段】本発明の内燃機関用バルブ駆動系部材は、潤滑油が介在する湿式条件下でカムのカム面と摺接してカムに従動する摺接面を有するカムフォロアからなる。本発明に係るカムフォロアの摺接面は、全体を100原子%としたときに5〜25原子%のHと4〜25原子%のBと残部であるCとからなるDLC膜(DLC−B膜)で被覆されてなる。このDLC−B膜からなる摺接面は、高靱性で耐衝撃性に優れ、カム面から150〜250MPa/degの衝撃力を受けても、欠け等を生じない。またジアルキルジチオカルバミン酸モリブデン(MoDTC)を含まない潤滑油が介在する湿式条件下で使用される場合に、本発明に係るカムフォロアは優れた低摩擦係数を発揮する。 (もっと読む)


【課題】 一つの低圧チャンバー内で、基材の表面の改質と該表面への成膜とを連続して行うことができるプラズマ改質成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ改質成膜装置1は、チャンバー10と、基材Fを搬送する搬送手段20、200、201と、基材Fの表面を改質するECRプラズマ生成装置3と、基材Fの該表面に薄膜を形成する成膜装置6と、を備える。ECRプラズマ生成装置3は、マイクロ波を伝送する矩形導波管31と、該マイクロ波が通過するスロット320を有するスロットアンテナ32と、スロット320を覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面330はスロット320から入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部33と、誘電体部33の裏面に配置される支持板34と、支持板34の裏面に配置される永久磁石35と、を備え、ECRプラズマP1を生成する。 (もっと読む)


【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材12の表面に積層されたアンダーコート層14上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部18と、無機珪素化合物のプラズマCVD層からなる表層部20との複層構造を有するトップコート層16を更に積層形成して、構成した。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス100を軸線Lまわりに回転させながら、軸線Lに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面51を仕上げ加工する。正面フライス100には、スローアウェイチップ(インサート)3として、第1チップ31と第2チップ32とが設けられる。第1チップ31は、円弧状の切り刃を有する。第2チップ32は、直線状の切り刃を有する。 (もっと読む)


【課題】アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料の薄膜を成膜する際において、生産性を低下させず且つ安全にメンテナンスを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室内を真空にする真空排気手段と、処理室内に設けられ、成膜材料を放出するための手段と、成膜材料を放出するための手段に対向して設けられた基板支持手段と、一方の面が処理室の内壁と対向し、且つ熱伝導性を有する領域であり、他方の面が熱伝導性を有する領域に接して設けられた酸化物を含む領域である、防着板と、を備えている成膜装置である。そして、当該成膜装置を用いた成膜方法である。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット31の背面側に設けられたマグネット配列体5は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット31のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット31の使用効率が高くなる。 (もっと読む)


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