【課題】 大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に１軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な機構で、ラックギヤとピニオンギヤとを円滑に噛み合わせることができる搬送装置、及びこれを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の搬送装置は、基板３を搭載して搬送軌道９上を移動するキャリア２０に設けられたラックギヤ７と、ラックギヤ７に噛合する複数のピニオンギヤ５ａ，５ｂとを備え、ラックギヤ７は、ピニオンギヤ５ａがラックギヤ７の一端で歯合するときに、ピニオンギヤ５ｂと歯合する箇所のラックギヤ７が高くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】より均等にターゲットをスパッタでき、磁場分布補正を行う磁性板の配置も容易となるなど、極めて実用性に優れた磁界発生装置の提供。
【解決手段】磁気回路を有するマグネトロンスパッタリング装置用の磁界発生装置において、磁気回路は、内側永久磁石２、内側永久磁石２を取り囲むように設ける外側永久磁石３、及び、内側永久磁石２に隣接する第一の補助永久磁石４と、外側永久磁石３に隣接する第二の補助永久磁石５と、第一の補助永久磁石４と第二の補助永久磁石５との間に設けられ、磁気回路の磁束密度の垂直成分がゼロ点を３回交差するゼロ点交差領域若しくは磁束密度の垂直成分がゼロ点でフラットとなるゼロ周辺領域が形成されるように磁化方向が設定される第三の補助永久磁石６とから成る補助永久磁石を有する磁界発生装置。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ−Ｇａ合金からなるＣｕ−Ｇａ合金スラブを溶解鋳造により作製するための鋳造装置において、大型のＣｕ−Ｇａ合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる鋳造装置を提供する。
【解決手段】 鋳造装置１００は、坩堝１と鋳型２との間に貯留槽３を備える。貯留槽３は、坩堝１の下方に配置され、坩堝１の出湯開口１２から出湯された溶湯を一時的に貯留する。この貯留槽３は、坩堝１の出湯開口１２から出湯された溶湯が流入する流入開口３２と、該流入開口３２よりも下方に設けられ、流入開口３２から流入して貯留される溶湯を、溢流させて排出可能な排出開口３３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ（２）内に、ワークホルダ（１０）と、マグネトロン電極（１５）とを設ける。マグネトロン電極（１５）には、第１のターゲット材料（１６）を設け、これに重ね合わせるように第２のターゲット材料（１７）を設ける。第２のターゲット材料（１７、１７）は第１のターゲット材料（１６）をカバーする位置と、開放する位置の２位置を採ることができるようにする。ワークホルダ（１０）と、第１、２のターゲット材料（１６、１７）との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 （もっと読む）

【課題】成膜用ワークの形状、構造に拘わらず、必要な面のみを安価に成膜できるマスキング成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜用ワーク（Ｗ）を固定側金型（１０）と可動側金型（１５）とにより成形するとき、成膜する面は、固定側金型（１０）と可動側金型（１５）とで構成されるキャビテイ（Ｃ）により直接成形し、マスキングする面はキャビテイ（Ｃ）内に挿入したマスキング治具（１）により成形する。成膜不要な面にはマスキング治具（１）が付着して覆われているので、そのまま成膜室に搬入して成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】 Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、生産効率が低下することなく、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなくこれを切断して所望の形状に切断することができるＣｕ−Ｇａ合金の切断方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｇａ合金の切断方法は、熱処理工程とスライス加工工程とを含む。熱処理工程では、溶解鋳造により作製された直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、４５０℃以上７００℃未満の温度下で熱処理する。次に、スライス加工工程では、熱処理されたＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、切断面が直方体の最も短い辺に対して垂直となるように、ダイヤモンドバンドソー装置１またはマルチワイヤソー装置１０を用いて切断する。 （もっと読む）

【課題】放射線耐性能力をさらに向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に形成された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２の上方に形成され、下部電極１７と上部電極１９に挟まれる強誘電体膜１８を有するキャパシタＱと、キャパシタの上に形成される第２絶縁膜２６と、を有し、第１絶縁膜１２と下部電極１７の間に、Ｐｂ又はＢｉが添加された結晶を持つ絶縁材料膜から形成される第３絶縁膜１６、３８と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材１表面上に中間層２を介して形成されている硬質炭素膜３であって、前記中間層２は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか１層または２層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜３は１層または２層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径０．１μｍ〜０．５μｍの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ２ｎｍ〜５ｎｍの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 （もっと読む）

【課題】成膜用ワークを、その成膜面に成形痕あるいは取出痕が付かないように成形して取り出し、高均質の薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】射出成形により成形した成膜用ワーク（Ｗ１）を取り出すとき、成膜用ワークの成膜面（Ｍ１）が可動側金型（５）に残るように型を開き、型を開くことにより露出した非成膜部（Ｍ’１）を吸着して前記可動側金型（５）から取り出す。このとき、成膜用ワーク（Ｗ１）の縁部と、該縁部が付着している可動側金型（５）のパーティング面（Ｐ）との間に圧縮空気（２４、２４）を吹き付け、真空吸着力を破壊して剥離する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器２内に載置されたウエハ１０に対向するようにターゲット３１を配置し、このターゲット３１の背面側にマグネット配列体５を設ける。このマグネット配列体５は、マグネット６１，６２がマトリックス状に配列された内側マグネット群５４と、この内側マグネット群５４の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット５３とを備えている。これによりターゲット３１の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット３１とウエハ１０とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、ＭｏＴｉターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｔｉを２０〜８０原子％含有し残部がＭｏおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が１０質量ｐｐｍ以下であるＭｏＴｉターゲット材である。また、本発明のＭｏＴｉターゲット材は、ＭｏＴｉ焼結体を１００Ｐａ未満の圧力、８００℃以上、０．５時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム膜の面内均一性を高めることの可能なスパッタ装置を提供することにある。
【解決手段】ターゲット表面１２ａに対して基板表面Ｓａを平行に配置する基板ステージ１１と、ターゲット表面１２ａに漏洩磁場を形成する磁気回路と、を有し、ターゲット表面１２ａにて法線方向の漏洩磁場が無い部位をエロージョン部位１２ｅとし、基板表面Ｓａの中心とエロージョン部位１２ｅとを結ぶ線を第１の直線Ｌ１とし、基板表面Ｓａの中心から該基板の径方向に延びる直線を第２の直線Ｌ２とすると、ターゲット表面１２ａの中心とエロージョン部位１２ｅとの距離が基板半径Ｒ１より大きく、第１の直線Ｌ１と第２の直線Ｌ２とのなす角度が４３．５°以上、５４．５°以下である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が２００〜１６００ｎｍ、平均高さが５５〜５００ｎｍ、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の成膜時における温度上昇を抑制でき、電極の金属拡散を抑制できる圧電振動片の製造方法と、この方法で製造された圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッシベーション膜成膜工程は、ターゲット７７と、回転可能な回転ドラム７１と、を備えたスパッタリング装置７０を用いて行い、パッシベーション膜成膜工程は、回転ドラム７１の外周面７１ａにウエハＷを取り付けるウエハ取付工程と、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を通過するように回転ドラム７１を回転させてパッシベーション膜を成膜する回転成膜工程と、を備え、回転成膜工程は、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を複数回通過するように回転ドラム７１を回転させることによりパッシベーション膜を成膜することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材２の表面２ａ上に直接成膜されるＣｒとＷＣとを主体とする第１混合層１ａと、第１混合層１ａの上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする第２混合層１ｂと、第２混合層１ｂの上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層１ｃとからなる構造の硬質膜１であり、第１混合層１ａは、基材側から第２混合層側へ向けて連続的または段階的に、Ｃｒの含有率が小さくなり、ＷＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂは、第１混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂにおける水素含有量が１０〜４５原子％である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの損傷を防止しつつ、高品質の成膜を実現することができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】内部に配置された基板１３にスパッタによる成膜を行う成膜室１と、成膜室１内に配置されたターゲット２ａ、２ｂの前面側にプラズマを生成するための電源５と、閉じ込め磁場を生成する永久磁石８ａ、８ｂと、成膜室１内に配置されたターゲット２ａ、２ｂの周縁部を覆うリングプレート６ａ、６ｂとを備え、リングプレート６ａ、６ｂは、少なくとも表層部が例えばセラミックスなどの絶縁材料で構成されており、異常放電の原因および発塵源となるスパッタ粒子が、非エロージョン領域でターゲット上に堆積するのを防止でき、ターゲットの損傷を防止しつつ高品質の成膜を実現する。 （もっと読む）

【課題】薄膜均一性および高い生産性を維持しつつ、低抵抗の良質なＷ膜の成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットと交差する方向に磁化された２つの磁石部材を、ターゲット側に向く磁極が互いに逆向きとなるようにして隣接配置したマグネットピース２２を複数備えた磁石ユニットを設けたマグネトロンスパッタリング装置とし、磁石ユニットによって作り出されるターゲット表面の水平磁束密度を高くすることによって、ターゲットへ加速されるＡｒイオンのイオンエネルギーを小さくする。すなわち、ターゲット表面の水平磁束密度を高くするとターゲット表面で生成されるプラズマ密度が増加し、同一のＤＣ電力を投入した場合に、プラズマ密度が増加した分だけプラズマインピーダンスが低下してターゲット電圧が低下し、Ｗ膜に取り込まれる反射Ａｒの含有量を小さくすることによりＷ膜の低抵抗化を実現する。 （もっと読む）