【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ（１０）を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極（６０）が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料（６１）が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】低温でも良好に薄膜形成できるｐ型ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯとＮｉＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Ｚｎ_1-xＮｉ_ｘＯ薄膜を基板上に形成する。Ｚｎ_1-xＮｉ_xＯ（ｘは、ＺｎとＮｉの合計モル数に対するＮｉモル数の比率である）は、ＺｎＯとＮｉＯとが混合した酸化物であり、ｘの値は０．６５以下に設定してＺｎＯに対する価電子帯トップのオフセット量を１ｅＶ以内に抑えることが好ましく、ｘの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをｐ型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Ｚｎ_1-XＮｉ_XＯにおけるＸの値は０．１３以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】物理気相成長中に加工物を支持する方法及び関連する装置を提供する。
【解決手段】吸熱性コーティング（１５）でコートされた支持面を有するアルミニウム製支持体（１１）が提供される。冷却によって、加工物が３５０℃〜４５０℃の温度になるように、支持体は約１００℃に冷却されＰＶＤプロセスが実施される。コーティングは、不活性であり及び／または超高電圧に適合できる。 （もっと読む）

【課題】放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】一対のターゲット２１Ａ，２１Ｂへの電圧を交互に供給する交流電源ユニット５０を備える構成とし、ＡＣデュアルカソードスパッタリング法において、フィラメント４１から熱電子を放出させる。プラズマが形成された領域に、熱電子を供給することで、プラズマの放電電圧を低下させて、スパッタリング成膜時に下地層へ与えるダメージを低減する。 （もっと読む）

【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が１００℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ（膜異常）が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンと４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアナート）のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、４，４−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）と１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜１６ａ₂を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜１６ａ₂が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜１６ａ₂の表面にアルミナ膜１６ｃ₂を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも下部電極層２と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜４とを配した圧電膜素子１０において、前記下部電極層２は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの２軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板１上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のＸ線回折強度分布において、前記結晶面のＸ線回折強度の相対標準偏差が５７％以下である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの動きおよびＰＶＤプロセスで起こる擦れを減少させるターゲット構造物および方法を提供する。
【解決手段】ターゲット構造物であって、ターゲット構造物の前面に配置されたスパッタ面を含むスパッタ領域と、スパッタ領域に対して横方向外方に向かい、かつ、スパッタ領域から前記構造物の外縁まで延びる前面を有するフランジ領域２２と、フランジ領域２２の前面の少なくとも一部を覆う保護層５０とを備える。保護層５０が約０．００２５４ｃｍ（０．００１インチ）から約０．２５４ｃｍ（０．１インチ）の厚さであり、保護層５０はフランジ領域２２の前面に較べて低摩擦係数を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット２１の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段５１、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント５１を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ５３を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】短い円筒型のサブターゲットを円筒軸方向に並べて構成される長い円筒型ターゲットを用いて、膜質の変化を抑制して成膜を行うスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板１７を第１の円筒ターゲット１９の近傍を所定の方向Ｄｓに搬送させながら、中心軸Ａｘ１９に沿って延在する第１の円筒ターゲット１９からスパッタリングして、当該基板１７に薄膜を形成するスパッタリング装置Ａｓであって、前記第１の円筒ターゲット１９は、当該第１の円筒ターゲット１９より筒長の短い第２の円筒ターゲット１８が第１の所定数ｋだけ前記中心軸Ａｘ１９に沿って連結されて構成されると共に、当該中心軸Ａｘ１９が前記基板搬送方向Ｄｓに対して第１の所定の角度θを成すように配置され、当該第１の所定の角度θは０°より大きく９０°より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、成膜処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理材Ｓをキャリア３に保持した状態で搬送路Ｒに沿って搬送し、搬送路Ｒに沿って配置された複数のプロセスチャンバで所定の真空処理を行う装置であり、搬送路Ｒの角の部分にそれぞれ配置されている複数の方向転換チャンバ内でキャリア３に保持される被処理材Ｓの交換が行われる。 （もっと読む）

【課題】液体急冷法や化学還元法で作製したアモルファス合金の構造的な弱点を解決し、大きい表面積を有し、高い触媒活性を示し、更に、単なるアモルファス粒子よりかなり構造的に高い熱安定性も有するナノ金属ガラス薄膜を、工業プロセスで製造することができるナノ金属ガラス粒子集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。ガス置換ガスはアルゴンガスであり、ＲＦ電源の間欠的なＯＮ−ＯＦＦの間隔は、３分間以上、１０分間以内である。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性および耐候性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高ＰＴＦ値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの１種または２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足し、相対密度９９％以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材。
０．２０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．５０（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここでＡがＳｂおよびＳｎの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦２０、３≦ｚ≦６５で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＳｂＰｔ合金粉およびＳｎＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 ダメージが少なく均質な膜を形成可能な成膜装置や、当該成膜装置により形成される膜を電極として用いる発光装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、ターゲットＴａの側方を囲うように配置されるシールド部６と、ターゲットＴａの裏面側に配置されて磁場を発生する棒状の磁場発生部４と、ターゲットＴａの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁場発生部４の長手方向に対して垂直な方向である駆動方向に沿って磁場発生部４を直線的に往復駆動する駆動部５と、を備える。磁場発生部４が駆動部５によって駆動される範囲の端に位置するとき、磁場発生部４と、シールド部６を水平面に対して垂直に投影したときの射影との駆動方向における距離は、１０ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】非鉛の圧電膜と下部電極とのエッチング選択性を確保するとともに、高精度に加工することができる圧電膜素子、圧電膜素子の製造方法、及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電膜素子１は、基板２と、基板２上に形成されたＰｔ又はＰｔを主成分とする合金からなる第１の下部電極層４と、第１の下部電極層４上に形成されたＴｉ、Ｃｒ若しくはこれらのいずれかを主成分とする合金の単層又は積層体からなる第２の下部電極層５と、第２の下部電極層５上に形成されたペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜７と、圧電膜７上に形成された上部電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なＮａを含有したＣｕ−Ｇａ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】炎天下の車内環境等のような高温かつ直射日光に曝される状況であっても、優れた意匠性と視認性を保ち、且つ変形、変色等の変質を起こし難い耐候性を有する樹脂製品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】軟質樹脂基材２上に金属皮膜が形成された樹脂製品１において、前記金属皮膜は、前記軟質樹脂基材２上に少なくとも上下二層に形成されており、下層である第１金属皮膜３はスズ、インジウム又は亜鉛のうち少なくともいずれか１つから形成され、上層である第２金属皮膜４はクロムから形成されてなる樹脂製品１と、前記第１金属皮膜３及び第２金属皮膜４を、スパッタリング法によって形成する樹脂製品１の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に良好にＡｌ膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するＥＳＣ電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に３段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のＡｌ膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のＡｌ膜上に第二のＡｌ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Ｆの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Ｆをロール状に巻き取ることを特徴とする。 （もっと読む）