【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｅ，Ｅｕの内の１種または２種を合計で０．０５〜０．８質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】コールドスプレー法を用いて基材に金属皮膜を形成させた積層体を製造する場合に、基材と金属皮膜との間の密着強度が高い積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の積層体１０は、金属または合金から形成された基材１と、基材１表面に形成された基材１より軟らかい金属または合金からなる中間層２と、金属または合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、中間層２に固相状態のままで吹き付けて堆積させた金属皮膜３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】蛍光体や通信素子としての特性に優れたＧａＮ薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なＧａＮ薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。 （もっと読む）

【課題】筒状体の内周面への成膜に適したものであって、かつγ電子によるダメージを抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲットホルダ９は、スパッタ膜の材料としてのターゲット８を保持するためのものであって、相対的に負電位が印加されるように構成されている。筒状体ホルダ２は、筒状体１を保持するためのものであって、相対的に正電位が印加されるように構成された導電部２ｂを有する。導電部２ｂは、筒状体１が筒状体ホルダ２に保持された状態において筒状体１の内部空間へ露出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１０は、互いに異なる組成を有したＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂを有する。また、スパッタ装置１０は、基板Ｓを加熱する加熱面を有して、基板Ｓを該加熱面に吸着しながら加熱する基板ステージ１３と、基板ステージ１３を基板Ｓの周方向に回転させる回転部１８とを備えている。こうしたスパッタ装置１０は、基板ステージ１３が基板Ｓを吸着且つ加熱した状態で、回転部１８が基板ステージ１３を回転させつつ、ＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでスパッタすることにより、互いに異なる組成を有した二つの金属カルコゲナイド膜を基板Ｓ上に積層する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧１×１０^−１〜１×１０^−３Ｔｏｒｒという環境下にて予めグロー放電によるプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第１高分子樹脂層、ガスバリア層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｕ，Ｍｇの内の１種または２種を合計で０．１〜１．０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径５ｍｍ以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が１５０μｍ以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットを用いることなく、炭素含有量の多いＦｅＰｔＣ系薄膜を単独で形成できるＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであって、Ｐｔを４０〜６０ａｔ％含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、Ｃ相とが互いに分散した構造を有するようにし、ターゲット全体に対するＣの含有量を２１〜７０ａｔ％にする。
また、Ｐｔを４０〜６０ａｔ％含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金粉末にＣ粉末を添加し、酸素の存在する雰囲気下で混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形する。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆焼結体作製用の原料粉末として好適な、高純度で粒径の小さなＬａＢ₆微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）平均粒径２０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下のランタン化合物微粒子と平均粒径２０ｎｍ以上１０μｍ以下のホウ素化合物微粒子とを、Ｂ／Ｌａ原子比４以下になるように溶媒及び樹脂中に混合させる工程、（ｂ）混合液の乾燥工程、（ｃ）乾燥物を真空中又は不活性ガス雰囲気中で炭化後、真空、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれかの雰囲気中にて１１５０℃以上１６００℃以下で熱処理する工程、及び（ｄ）熱処理物を大気中にて５００℃以上８００℃以下で加熱酸化処理し、無機酸中で酸処理する工程を有し、（ａ）工程において、樹脂の質量がランタン化合物微粒子及びホウ素化合物微粒子の合計質量に対して０．５質量％以上１０質量％以下である六ホウ化ランタン微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高い温度域でも結晶膜化を抑制可能な垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜およびそのＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜形成用粉末焼結スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ−ｂ}−Ｍ_ａ−Ｂ_ｂ、１０≦Ｘ≦７０、０≦Ｙ≦２５、７≦ａ、１≦ｂ≦５、１３≦ａ＋ｂ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／またはＴａからなる粉末焼結ターゲット材をスパッタリングして、膜厚２０〜３００ｎｍに成膜されてなる垂直磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜である。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金粉末。また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸素等の不純物の量の少ないＰｄ合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄを主要成分として含有するＰｄ合金系スパッタリングターゲットであって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を２０００質量ｐｐｍ以下にする。
また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する。
【解決手段】金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、ＣｒＳｉＯ又はＮｉＣｒＳｉＯからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Ｃｒ膜との多層構造を有する。金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性が良い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する被覆部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る硬質塗層を有する被覆部材は、硬質基材を備えている。前記被覆部材は、前記硬質基材に形成された結合層と、前記結合層に形成された中間層と、前記中間層に形成された硬質層と、を備えている。又、本発明は、硬質塗層を有する被覆部材の製造方法にも関している。 （もっと読む）

【課題】基板及び／又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び／又は絶縁膜と直接接触するＣｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は基板側から順に、合金成分としてＸ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、ＢおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を含有するＣｕ−Ｍｎ−Ｘ合金層（第一層）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる層（第二層）で構成されたＣｕ合金膜である。 （もっと読む）