【課題】スパッタターゲット及びその形成方法を提供する。
【解決手段】回転軸方向鍛造を用いてスパッタターゲットを作製する方法が記載される。当該鍛造工程の前及び／又は後に他の熱機械加工工程を用いることができる。特有の粒子サイズ及び／又は結晶構造を有することができるスパッタターゲットがさらに記載される。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子線描画法を用い、任意領域に、任意形状にて高規則性陽極酸化アルミナ膜及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
Ａｌ薄膜上のＳｉＯ_２保護層表面に細孔の発生起点をあらかじめ電子線描画により定めた所定の形態に高規則に配列することにより、細孔径、細孔間隔、縦、横、深さ方向の規則性を制御することを特徴とする陽極酸化アルミナ膜の製造方法、及びその方法により製造された陽極酸化アルミナ膜。得られた陽極酸化アルミナ膜は機能性デバイス及び半導体デバイス上絶縁体を作製するための材料として使用できる。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極触媒の製造方法に関し、スパッタリング時に微細化した触媒金属をカーボン粉末の表面に担持可能な電極触媒の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持された回転バレルと、該回転バレル内に配置したターゲットユニットと、該ターゲットユニットに接続されプラズマを発生可能なスパッタリング電源と、を備えたスパッタリング装置を用い、上記回転バレル内に比表面積３００ｍ^２／ｇ以下のカーボン粉末を収納すると共に、上記ターゲットユニット内に白金プレートを設置して、上記回転バレルを回転させつつ上記スパッタリング電源によりプラズマを発生させて、上記白金プレートの白金を上記カーボン粉末にスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ターゲットの断面方向から観察した結晶粒のアスペクト比（長手方向の長さ／短手方向の長さ）が２．０以下であるインジウムターゲット。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．０１〜２．０原子％と、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、およびＯｓよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａｇ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここで原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦３０、３≦ｚ≦６３で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】積層体の長手方向に、基材と保護フィルムとの密着力が変化した場合であっても、基材と保護フィルムとを適正に剥離させることができ、基材の搬送テンションが緩んで、ツレシワが発生したり、熱ダメージを受けて、基材が損傷することを防止する。
【解決手段】処理を行なう前の積層体の搬送中に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第１検出工程と、第１検出工程と成膜処理との間に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第２検出工程と、第１検出工程と第２検出工程の検出結果に応じて、第１検出工程と第２検出工程との間で、保護フィルムが基材から剥離するように、剥離力を制御する制御工程とを有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】下地膜を酸素や水分と反応させずに、下地膜の表面に光が透過できる金属酸化物膜を形成する光透過性金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
気体分子を前記気体分子の凝縮温度以下の凝縮面に凝縮させて捕捉する第一の真空ポンプ１２₁を用いて第一の真空雰囲気を形成し、第一の真空雰囲気中に配置された成膜対象物３０の下地膜の表面に金属酸化物の粒子を付着させて第一の金属酸化物膜を形成し、気体分子を大気中に移動させる第二の真空ポンプ１２₂を用いて第二の真空雰囲気を形成し、化学構造中に酸素を有する反応性ガスの第二の真空雰囲気中の分圧を第一の真空雰囲気中の分圧より大きくし、第二の真空雰囲気中に配置された成膜対象物の第一の金属酸化物膜の表面に金属又は金属酸化物の粒子を付着させて第二の金属酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここでＡがＡｕおよびＣｕの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦３０、３≦ｚ≦６３で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｕＰｔ合金粉およびＣｕＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能な成膜装置、及び成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱または冷却しながら基板を往復動させる。これにより、基板と搬送ローラーとの接点の位置を変化させ、特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制する。また、基板を往復動させることで、加熱／冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱／冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱／冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、基板と搬送ローラーとの接点をずらし、基板の伸縮を許容する。 （もっと読む）

【課題】多様な３次元形状の射出成形物又はガラスのような外装部品にでも耐指紋コーティング又は超撥水コーティングが可能な外装部品の表面コーティング方法及びその装置を提供する。
【解決手段】外装部品の表面コーティング方法であって、蒸着チャンバー内で、表面コーティングの対象となる一つ以上の外装部品を公転及び自転可能に配置するステップと、前記外装部品の公転軌跡によって囲まれる領域内に設置される気化装置にコーティング成分を含む一つ以上のタブレットをセットするステップと、前記外装部品の公転及び自転を実行している間に、前記タブレットを気化させることにより前記外装部品それぞれの表面にコーティング層を蒸着するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】種々の形状と材質とを有する被処理物の全表面に種々の材料による薄膜を好ましく形成する安価で作業性に優れたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内には被処理物３を収納するバレル５と、ターゲット表面を有するスパッタリングカソード７とを配設し、該バレルに回転と進退と揺動とを組み合わせた動きを与えることにより、該バレル内の被処理物を転動、混合させ、以て該被処理物の全表面にターゲット材の成膜を行うようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタ工程に要する時間を短縮化し、そのばらつきも小さくなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛を主成分とする焼結体からなり、焼結体の表面の水との接触角が８０°以下である。これは、アセトン又はアルコールを用いて表面が洗浄されることによる。そして、この洗浄後、湿度が４０〜８０％、温度が室温から１００℃以下の環境化で１時間以上静置されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ室温の基板あるいは基材に金属硫化物、金属セレン化物もしくは金属テルル化物薄膜を作製できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０が基板２０と、少なくとも一つの陰極４０と、当該陰極の近傍に配置する少なくとも一つのターゲット５０をチャンバー内に備え、チャンバー内において、基板とターゲットによりその一部が囲まれる空間と他の空間を仕切るための分離板６０と、当該分離板を加熱する加熱手段７０を備える。分離板により基板上に堆積した薄膜中の成分が再蒸発してチャンバー内に拡散することを防止し、更に分離板を加熱手段で加熱することで、再蒸発した成分の蒸気が分離板に凝着することを防止し、蒸気圧を高い状態で維持する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、公知のスパッタターゲットを改善して均一なスパッタ速度および均一な厚さの層を達成することである。
【解決手段】支持管と、該支持管上に配置されたインジウムベースのスパッタ材料とを有する管状スパッタターゲットであって、該スパッタ材料が、スパッタ材料のスパッタで粗くされる表面上のグレインの平均直径として測定される１ｍｍ未満の平均グレインサイズを有する微細構造を有し、該スパッタ材料が最大１質量％の銅またはガリウム部分を含むことを特徴とする、管状スパッタターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いＺｎＯ系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系粉体に、Ｂ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下を添加したことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ粉体にＢ_２Ｏ_３粉体を混合した後、７００〜１０００℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、１２００℃超の温度で焼結することを特徴とするＺｎＯ系焼結ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】同一の材料を使用して透明導電膜の積層を行い、可撓性、高透過率を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材の少なくとも一方の面に、非晶性の第一透明導電膜と、結晶性の第二透明導電膜を積層してなる透明導電性積層体であって、前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜が同一組成のスパッタリングターゲットを使用して形成され、かつ、前記第一透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ以上として形成され、前記第二透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ未満として形成されることを特徴とする透明導電性積層体である。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ代替材料としてのＺｎＯ系膜を提供するに当たり、基板加熱法によるエネルギー損失を受けることなく、結晶性が良好で低い比抵抗を有する透明導電膜の製造方法及び透明導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、気相蒸着法により基板上に酸化亜鉛を含む多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、前記多結晶膜に通電してジュール加熱を行うことにより前記多結晶膜を結晶成長させた透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）