【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いＺｎＯ系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系粉体に、Ｂ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下を添加したことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ粉体にＢ_２Ｏ_３粉体を混合した後、７００〜１０００℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、１２００℃超の温度で焼結することを特徴とするＺｎＯ系焼結ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対してターゲット表面を任意の角度で傾斜することができ、材料に適した傾斜角度を見出し、良質の薄膜を再現性良く作製し、生産に結びつけることができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１内に配置されたターゲット電極１２及び基板ホルダ１３と、ターゲット電極１２に保持されたターゲット１４と、基板ホルダ１３に保持された基板１５と、真空チャンバ１１の内外に跨り且つ軸線Ｏ１を中心として回転可能な導入パイプ１６と、導入パイプ１６の先端とターゲット電極１２とを接続すると共にターゲット１４を基板１５に対して傾斜状態で対向させるエルボパイプ１７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、低温における焼結において製造可能なＺｎＯ系ターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系ターゲットにＢ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下含むことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ及び／又はＡｌを含むＺｎＯ粉体とＢ_２Ｏ_３粉体とを混合した後、８００〜１２００℃において仮焼成し、仮焼結体を粉砕後、粉砕された粉体をプレス成形し、次いで、９００〜１３００℃において焼結することを特徴とするＺｎＯ系ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐候性、耐食性に優れたフレキシブル透明膜を簡易に形成することができる多層膜の形成方法及び多層膜を提供すること。
【解決手段】一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ステンレスのような不動態被膜を形成する極薄板を発熱体として使用する面状発熱体において、電流リード線の接合に関して何らの問題も発生しない手段の提供。
【解決手段】 不動態膜を形成する金属極薄板を発熱体として使用する面状発熱体において、前記金属極薄板に中間金属を溶着し、当該中間金属上に電流リード線をハンダ溶接したことを特徴とする面状発熱体。 （もっと読む）