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Fターム[4K029CA05]の内容

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【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第1の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第1の磁石と反発する磁極を有する第2の磁石と、第1の磁石と第2の磁石との間に斜めに設けられ第3の磁石とを備えた第1の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第4の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第4の磁石と反発する磁極を有する第5の磁石と、第4の磁石と第5の磁石の間に斜めに設けられ第6の磁石とを備えた第2の磁石エレメントとから構成され、第1の磁石エレメントと第2の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 (もっと読む)


【課題】安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット12a〜12cを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 処理装置等に用いるキャンロールにおいて、その外周面と長尺樹脂フィルム基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入する際に、ギャップ部のギャップ間隔をほぼ一定にして、フィルムのシワ発生を防止することができるキャンロールを提供する。
【解決手段】 周方向に沿って略均等な間隔をあけ且つ全周に亘り回転軸方向に沿って配設された複数のガス導入路11を有し、各ガス導入路11はキャンロール10の回転軸方向に沿って略均等な間隔で外周面10a側に開口する複数のガス放出孔12を有すると共に、外径が回転軸方向の中央部で最も長く且つ中央部から両端部に向けて次第に短くなるクラウン形状の外周面10aを備えている。 (もっと読む)


【課題】大気への開放後、すぐにメンテナンスを実施することが可能で、作業時間の短縮化を実現できる、スパッタ装置を提供する。
【解決手段】製膜室内に、基板2を挟んで、基板の一方側に、防着板により少なくともその基板側が被覆されたアノードバー7と、ターゲット3とが、その順に配置され、基板の他方側にヒータが配置されているスパッタ装置における保護カバー9aであり、基板がアノードバーとヒータとの間に位置して、基板表面に薄膜をスパッタ中には保護カバーは、薄膜が当該保護カバーに薄膜が堆積しないように収納部10に収納されており、スパッタ終了時には、アノードバーの少なくとも基板側と側面側とを覆うように配置される。 (もっと読む)


【課題】安定放電可能な酸化物焼結体ターゲット、および低抵抗かつ可視光域から近赤外域の広範囲で高い透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】亜鉛、元素L(Lはアルミニウムおよび/またはガリウム)、スカンジウム並びに酸素から成る複合酸化物焼結体であって、原子比が、
L/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.001〜0.100
スカンジウム/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.001〜0.100
である酸化物焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜し、原子比が
L/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.002〜0.100
スカンジウム/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.002〜0.100
である透明導電膜を得て、それを受光素子に使用する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層14にドーパントを導入するドーパント導入工程と、PLD、FCVA法又はECRスパッタ法を利用してエピタキシャル層14の表面にカーボン膜24を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜24が残存した状態でエピタキシャル層14をアニール処理するアニール処理工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも,熱安定性と記録性に優れ,ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を,上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域22とし,中心部は再生領域21とする。また,外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域23を設ける。 (もっと読む)


【課題】ザク巣欠陥や濃度ムラを低減し、太陽電池の光吸収層の成膜に好適なスパッタリングターゲット用銅合金を提供する。
【解決手段】平均組成が28質量%以上32質量%以下のガリウム(Ga)を含み、残部が銅(Cu)及び不可避的不純物からなるターゲット用銅合金であって、一方向柱状晶組織を有するスパッタリングターゲット用銅合金である。 (もっと読む)


【課題】界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、薄膜を構成する物質のスパッタ粒子を基板に向けて放出する放出部と、放出されたスパッタ粒子のうち少なくとも一部を帯電させる帯電部と、帯電した状態で基板に到達するスパッタ粒子の運動エネルギーの大きさを調整する調整部とを備える。 (もっと読む)


【課題】微細な物体を位置決めして保持する。
【解決手段】電磁チャックが、複数のマイクロコイルMCのうちの特定のマイクロコイルに電流を供給し、物体Mの磁石と協働して物体Mに電磁力を作用させるので、物体Mをベース面上の所望の位置(電流を供給したマイクロコイルに対応する位置)に位置決めした状態で保持することができる。また、気体供給路42から噴出される気体により、物体Mに対して浮上力が与えられるので、物体Mを位置決めする際に物体Mと電磁チャック上面との間に作用する摩擦力の影響を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は基板部及び導電部を備える。前記基板部は少なくとも1つのプラスチック基板を備える。前記導電部は少なくとも1つの透明導電フィルム及び少なくとも1つの導電ナノ粒子群が同時に形成されたものであり、前記透明導電フィルムは前記プラスチック基板上に形成される。前記導電ナノ粒子群は前記透明導電フィルム内に複数混入或いは組み込まれる導電ナノファイバーである。 (もっと読む)


【課題】円筒形のセラミックスのターゲット材の接合面を電解還元することによって金属層を形成させ、これを下地層とすることによって、接合の際に接合部を押圧しなくても、冷却固化させるだけで、十分な接合率および強度が得られ、かつスパッタリング中の熱の影響で剥離や割れのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形セラミックスターゲット材21の内周面を電界還元して、ターゲット材の還元金属から成る下地層31を形成し、次いで円筒形支持基材11の外周面に円筒形セラミックスターゲット材を接合することにより、円筒形スパッタリングターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性皮膜システムを提供する。
【解決手段】本耐摩耗性皮膜システム(30)は、ガスタービンエンジンの高温構成要素(22、24)を含む組立体(20)の表面(26、32)のような、高温における接触摩耗を受ける表面(26、32)を保護するのに適している。構成要素(22、24)は、互いに摩耗接触状態になった表面(26、32)を有する。表面の1つ(26)は、他方の構成要素(24)の表面(32)と摩耗接触状態になるようになった耐摩耗性皮膜システム(30)をその上に有する。本耐摩耗性皮膜システム(30)は、TiAlN及びCrNの交互層を含む。 (もっと読む)


【課題】液晶ポリマーフィルムの表面を、2.6〜15Paのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理した面に、乾式めっき及び/又は湿式めっきにより形成された金属導体層を備えた銅張積層板。液晶ポリマーフィルムのプラズマ処理後の表面粗さが、算術平均粗さRaが0.15μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqが0.20μm以下である上記銅張積層板。
【解決手段】液晶ポリマーフィルムの表面を、2.6〜15Paのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理したした後、乾式めっき及び/又は湿式めっきにより金属導体層を形成することを特徴とする銅張積層板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/(Zn+Ti)が0.02を越え0.1以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して0.5%以上6%以下であり、かつ前記酸化チタンが、式TiO2-X(X=0.1〜1)で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。 (もっと読む)


【課題】軟質難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、0.5〜5μmの平均層厚を有するTi硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ti硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、10〜15nmの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径40〜70nmの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径300〜600nmの三次結晶粒とから構成されている。 (もっと読む)


【課題】高い反射率を有しながら、膜に欠陥が存在していても、白濁部が発生したり白濁部が粗大化しないAg基合金からなる反射膜およびそれらを形成するためのスパッタリングターゲット材または蒸着材料を提供すること。
【解決手段】0.005〜1.0mass%のP、0.01〜5.0mass%のCu、0.9mass%より多く5.0mass%以下のAuを含有し、残部がAg及び不可避不純物より構成されるAg基合金からなることを特徴とする反射膜。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系薄膜をパターニングする際のエッチングレートが充分に低く、エッチングレートを容易かつ確実に制御することが可能であり、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができるパターニング方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/(Zn+Ti)が0.02を超え0.1以下の薄膜である。前記酸化亜鉛系薄膜は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを膜形成材料として成膜されたものであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】冷却性能に優れたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット電極と、基板Wを載置することが可能な載置部と当該載置部に載置される基板との間に空間を形成する凹部を有する基板保持台107と、前記凹部内に冷却ガスを供給する供給源と、前記基板保持台との間に押し付け力を発生させて、前記基板を前記基板保持台に固定する保持部材と、前記基板保持台に接続される冷凍機108と、前記基板保持台を冷凍機と共に回転させる回転駆動手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、被処理体306と接する電極301に第1のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体306の上にTiNxからなる第1のバリア層404を成膜する手順と、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、電極301に第1のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第2のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第1のバリア層の上にTiNxからなる第2のバリア層405を成膜する手順と、第2のバリア層405の上に、Tiからなる第3のバリア層409を成膜する手順と、第3のバリア層409の上に低融点金属406を充填する手順と、を有する。 (もっと読む)


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